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公开(公告)号:CN1288507C
公开(公告)日:2006-12-06
申请号:CN03136669.4
申请日:2003-05-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F1/16 , H01L21/027
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70441 , G03F7/70475 , H01J37/3174 , H01J2237/31761 , H01J2237/31776
Abstract: 是用在XY方向上束的模糊量不同的CP方式的曝光装置,高精度地把图形复制到试样上。取入由在XY方向上的电子束的模糊量(S2)之差得到的形状修正以制作CP孔径掩模(S9),用该CP孔径掩模在试样上使图形进行CP曝光。
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公开(公告)号:CN1460896A
公开(公告)日:2003-12-10
申请号:CN03136669.4
申请日:2003-05-23
Applicant: 株式会社东芝
IPC: G03F7/20 , G03F1/16 , H01L21/027
CPC classification number: B82Y10/00 , B82Y40/00 , G03F7/70441 , G03F7/70475 , H01J37/3174 , H01J2237/31761 , H01J2237/31776
Abstract: 是用在XY方向上束的模糊量不同的CP方式的曝光装置,高精度地把图形复制到试样上。取入由在XY方向上的电子束的模糊量(S2)之差得到的形状修正以制作CP孔径掩模(S9),用该CP孔径掩模在试样上使图形进行CP曝光。
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