公开(公告)号：CN107833855A

公开(公告)日：2018-03-23

申请号：CN201711063553.1

申请日：2014-04-08

申请人： 先进装配系统新加坡有限公司

发明人： 哈里斯·汤姆 ,  贝内特·瑞奇

IPC分类号： H01L21/68

CPC分类号： B41F15/18 ,  H01L21/682 ,  H01L21/68

摘要： 本发明公开一种工件引用系统和方法，该系统包含有：用于支撑多个工件的工件支撑组件，其中该支撑组件包含有支撑平台和多个设置于支撑平台上的支撑部件，每个支撑部件被配置来支撑单独的工件；和工件引用组件，用于将由该支撑组件支撑时的工件引用至预定位置；其中，每个支撑部件包含有主体和弹性联轴器，该主体包含有支撑工件的支撑表面，该弹性联轴器弹性耦接该主体相对于支撑平台的至少上局部，以便于该主体的至少局部相对于支撑平台从第一、未偏置位置移动至第二、偏置引用位置，并且当释放时，该主体的至少局部回复到第一、未偏置位置。

公开(公告)号：CN107502859A

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201710729012.1

申请日：2017-08-23

申请人： 京东方科技集团股份有限公司 ,  成都京东方光电科技有限公司

发明人： 刘金彪

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C14/24 ,  H01L21/68 ,  H01L51/56

CPC分类号： C23C14/042 ,  C23C14/24 ,  H01L21/682 ,  H01L51/0011

摘要： 本发明提供一种用于掩膜板的对位装置、蒸镀设备及对位方法。该对位装置包括：能够分别移动的至少两个磁性件，每一所述磁性件均能够形成均匀磁场，且当每一所述磁性件均位于第一预设位置时，至少两个所述磁性件相组合在第二预设位置形成均匀面磁场；其中，所述掩膜板处于所述第二预设位置时，至少两个所述磁性件相组合所形成面磁场对所述掩膜板施加使所述掩膜板朝所述第一预设位置移动的磁场力。本发明所述对位装置通过设置至少两个磁性件，能够保证每一下垂位置的掩膜板在磁场力作用下均能够以相同移动速度，带动玻璃基板移动，避免掩膜板下垂产生褶皱，造成对位精度不准确的影响。

公开(公告)号：CN107112264A

公开(公告)日：2017-08-29

申请号：CN201580072362.4

申请日：2015-11-02

申请人： 布鲁克斯自动化公司

发明人： A.C.博诺拉 ,  J.格拉西亚诺

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/68 ,  H01L21/687 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L21/68707 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67173 ,  H01L21/67178 ,  H01L21/67259 ,  H01L21/681 ,  H01L21/682 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54406 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 一种半导体晶片输送装置包括：框架；输送臂，其可移动地安装到所述框架，并且具有可移动地安装到所述臂的至少一个末端执行器，使得所述至少一个末端执行器与所述臂作为一个单元相对于所述框架沿第一方向横向运动，并且相对于所述输送臂沿第二方向线性横向运动；以及边缘检测传感器，其安装到所述输送臂，使得所述边缘检测传感器与所述输送臂作为一个单元相对于所述框架移动，所述边缘检测传感器是实现由所述末端执行器同时支撑的每个晶片的边缘检测的共同传感器；其中，所述边缘检测传感器被配置成使得每个晶片的边缘检测通过所述输送臂上的每个末端执行器的沿所述第二方向的横向运动来实现，并与所述横向运动同时发生。

公开(公告)号：CN104904002B

公开(公告)日：2017-08-18

申请号：CN201480004760.8

申请日：2014-01-15

申请人： 株式会社爱发科

发明人： 木村孔 ,  中尾裕利 ,  柴智志 ,  坂内雄也

IPC分类号： H01L21/68

CPC分类号： H01L21/67092 ,  H01L21/682

摘要： 本发明提供一种使加工掩模和基板位置对准并且精度高地紧贴的技术。在使在分离的状态下进行了位置对准的加工掩模（31）和基板（32）靠近移动来紧贴时，一边进行位置对准一边进行靠近移动。因此，即使在靠近移动中产生位置对准的误差，也能够消除该误差。即使基板（32）的垂下部分与加工掩模（31）接触，也一边进行位置对准一边进一步进行靠近移动。

公开(公告)号：CN105552013A

公开(公告)日：2016-05-04

申请号：CN201510659366.4

申请日：2015-10-12

申请人： SNU精度株式会社

发明人： 李亨培 ,  安庆烈 ,  朴喜载

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L51/56

CPC分类号： H01L21/682 ,  H01L51/001 ,  H01L51/0011

摘要： 本发明涉及基板旋转对准装置，本发明的基板旋转对准装置为在沉积工艺中在掩模上对准基板的装置，包括：连接柱，与用于安装所述基板的安装部连接；旋转载物台，设置为圆形，用于固定所述连接柱，在外周面上交替形成有向内侧凹陷的凹陷部和向外侧凸出的凸出部；动力传递部，包括彼此按规定间隔隔开配置的多个滚轮销，其中至少一个所述滚轮销在对所述旋转载物台的区域的凹陷部加压紧贴的状态下进行旋转，以向所述旋转载物台传递动力；及固定部，在彼此按规定间隔隔开配置的多个固定销中至少一个固定销紧贴于所述旋转载物台的另一区域的凹陷部，从而使固定部具有与所述动力传递部向所述旋转载物台的加压力相反方向的力的矢量。

公开(公告)号：CN105428292A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510793828.1

申请日：2015-11-17

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 王宇 ,  刘正坤 ,  邱克强 ,  郑衍畅 ,  刘颖 ,  洪义麟

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L23/544

CPC分类号： H01L21/682 ,  H01L23/544 ,  H01L2223/54426

摘要： 本发明提供了一种光栅掩模与硅片{111}晶面的对准方法，包括以下步骤：A)在硅片上制作具有光栅衍射特性的多个对准标志图形，各对准标志图形具有与所述硅片的定位边平行的两长边；B)将步骤A)得到的硅片进行湿法刻蚀，使所述对准标志图形的长边沿着硅片的{111}晶面截止，得到具有多个第一对准标志图形的硅片；C)定位表征光栅掩模的基准线，采用激光照射所述多个第一对准标志图形的长边，得到所述多个第一对准标志图形的长边的衍射斑，将所述基准线与所述衍射斑重合。该对准方法只需要制作一次对准标志图形，无需显微镜观察比较，便可零误差定位{111}晶面，并利用其衍射特性进行表征。该方法对准总误差≤±0.016°。

公开(公告)号：CN102954761B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201210305329.X

申请日：2012-08-24

申请人： ASML荷兰有限公司

发明人： W·H·G·A·考恩 ,  E·J·M·尤森 ,  E·A·F·范德帕斯奇 ,  R·E·范莱文 ,  A·H·考沃埃特斯

IPC分类号： G01B11/00 ,  G03F7/20 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L23/544 ,  G03F7/70 ,  G03F7/70775 ,  G03F9/7019 ,  H01L21/682 ,  H01L2223/5442 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54453 ,  H01L2223/5446 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了位置测量系统、光刻设备和器件制造方法。所述位置测量系统包括：第一部分和第二部分，用于通过提供表示第一部分相对于第二部分的位置的位置信号来确定第一构件相对于第二构件的位置；和计算单元，包括用于接收所述位置信号的输入端子。所述计算单元配置成在使用时对位置信号应用转换以获得表示第一构件相对于第二构件的位置的信号，和对所述转换应用调整以至少部分地补偿第一部分或第二部分或第一部分和第二部分两者的漂移。所述调整是分别基于第一部分或第二部分或第一部分和第二部分两者的预定的漂移特性。所述预定的漂移特性包括第一部分和/或第二部分的一个或多个基础形状。

公开(公告)号：CN104995328A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201480008826.0

申请日：2014-01-08

申请人： HZO股份有限公司

发明人： D·考克斯 ,  M·索伦森 ,  T·C·蔡尔德 ,  V·K·卡萨加尼 ,  C·L·卢斯

IPC分类号： C23C14/04 ,  C23C16/04 ,  B05B15/04

CPC分类号： B05C21/005 ,  B05C13/00 ,  B05D5/08 ,  C23C14/042 ,  C23C14/50 ,  C23C16/042 ,  C23C16/458 ,  H01L21/6715 ,  H01L21/67333 ,  H01L21/67724 ,  H01L21/682 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

摘要： 用于将保护涂层施加到电子装置组件或其它衬底的设备可以包括托盘，所述托盘能够保持多个衬底。托盘可以在衬底上方选择性地关闭。下托盘元件和/或上托盘元件可以在上面包括预成型的掩膜，所述掩膜与不应该将保护涂层材料粘附到衬底的位置相对应。掩膜可以包括结构部分和密封部分。结构部分可以保持衬底升高以维持开口或通道，保护涂层材料通过所述开口或通道可以施加到衬底的未掩蔽的部分。掩膜的密封部分可以接合衬底以限制保护涂层材料流到已掩蔽的部分。每个托盘都可以容纳多个衬底。载体可以支撑多个托盘。载体可以运载几十个并且可能几百个衬底以用于同时施加保护涂层。

公开(公告)号：CN104885209A

公开(公告)日：2015-09-02

申请号：CN201380067778.8

申请日：2013-12-04

申请人： 苏斯微技术光刻有限公司

发明人： S·汉森 ,  T·许尔斯曼 ,  K·申德勒

IPC分类号： H01L21/68 ,  G03F9/00

CPC分类号： H01L21/682 ,  G03F9/703 ,  H01L21/6833

摘要： 一种用于将第一平面衬底(例如晶片)与第二平面衬底(例如掩膜)平行排布的卡盘，包括：具有用于放置第一平面衬底的上表面的顶板、底板、至少一个配置用于测量顶板上表面与第二平面衬底一个表面之间距离的距离测量传感器；以及至少三个与顶板和底板接触的线性致动器。一种用于特别地通过卡盘设定卡盘顶板上的第一平面衬底(例如晶片)与第二平面衬底(例如掩膜)之间间距的方法，包括步骤：在至少一个点处测量第一平面衬底的厚度；通过卡盘的至少一个距离测量传感器测量第二平面衬底的表面与顶板的上表面之间的距离；以及采用卡盘的至少三个线性致动器，优选结合卡盘的至少三个弹簧轴承调整第一平面衬底或卡盘的顶面与第二平面衬底表面之间的倾斜度。

公开(公告)号：CN104701229A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201410725561.8

申请日：2014-12-03

申请人： 库利克和索夫工业公司

发明人： J·E·埃德 ,  D·C·沙尔克斯基

IPC分类号： H01L21/68 ,  H01L21/67 ,  H01L21/02

CPC分类号： H01L22/20 ,  H01L23/544 ,  H01L24/75 ,  H01L24/81 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2223/54486 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2224/75343 ,  H01L2224/75701 ,  H01L2224/75734 ,  H01L2224/75744 ,  H01L2224/75753 ,  H01L2224/75755 ,  H01L2224/81121 ,  H01L2224/8118 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/81205 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06593 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/00014 ,  H01L21/682 ,  H01L21/02 ,  H01L21/67011

摘要： 一种用于结合半导体元件的结合机包括：用于支撑基板的支撑结构；结合头组件，其包括配置成将多个半导体元件结合到基板的结合工具；包括复数个第一对准标记的对准结构；配置成利用结合工具置放在对准结构上的对准元件，所述对准元件包括复数个第二对准标记；配置成将第一对准标记与对应的第二对准标记的相对位置成像的成像系统；以及计算机系统，其配置成在将所述多个半导体元件中的其中多个结合到基板期间提供对于结合工具和支撑结构中的至少一个的位置的调整，所述计算机配置成至少部分地基于第一对准标记与对应的第二对准标记的相对位置提供所述调整，所述调整针对于将多个所述多个半导体元件中的其中结合到基板的对应区段。