-
公开(公告)号：CN107037515B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201710357385.0
申请日：2017-05-19
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 一种用于强激光系统中光束采样光栅的增透减反方法，首先利用全息离子束刻蚀方法在熔石英基底上制作亚波长光栅模板；在亚波长光栅模板上滴少许PUA紫外压印胶，然后将PET薄膜盖到PUA上，利用紫外光照射PUA使其固化，将固化后的PUA与光栅模板分离，得到亚波长光栅软模；光束采样光栅的表面清洗后，在上面旋涂PMMA压印胶，将亚波长光栅软模覆盖到PMMA上面，软模光栅条纹方向与光束采样光栅条纹方向可以平行、垂直或者成角度，用夹持机构将两者压紧，放到烘箱中加热固化，将亚波长光栅软模和基底分离，在PMMA上形成亚波长光栅；然后利用氧等离子体灰化去除PMMA光栅的底层残余胶，利用到底的PMMA亚波长光栅掩模，使用CHF3反应离子束刻蚀，最后清洗去除残余胶，即得到具有增透减反效果的光束采样光栅。
-
公开(公告)号：CN115291313A
公开(公告)日：2022-11-04
申请号：CN202210790526.9
申请日：2022-07-06
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提供一种封装式亚波长光栅偏振滤波片及其制造方法，所述偏振片包括双层增透膜、红外材料基底、介质光栅、双层金属膜，双层金属膜分别覆盖于介质光栅槽底和光栅线顶部，光栅周期远小于入射光波长，直接在基底上制造光栅矩形槽然后在光栅表面镀金属膜，采用和基底材料相同的材料封装光栅槽，因为具有相同折射率，该封装层可以减小光栅侧壁界面的光反射损失，从而提高TM偏振光透过率，同时还可以极大保护金属膜，在封装好的光栅两侧镀上双层膜增透，可以解决长波红外材料的透过率低的问题，在长波红外波段，该偏振滤波片具有宽波段、高透过率、高消光比等特点。
-
公开(公告)号：CN113387318A
公开(公告)日：2021-09-14
申请号：CN202110654487.5
申请日：2021-06-11
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明涉及一种基于纳米环形阵列的近红外带通滤波器，由基底和具有环形槽结构的Au膜构成，Au膜附着于基底表面之上；基底厚度为1mm，材料为熔石英，折射率为1.548@1.5um；Au膜表面通过工艺制备纳米环形阵列，Au膜厚度为100nm，折射率为0.18+i10.0@1.5um，Au膜表面粗糙度RMS小于2nm；纳米环形阵列的结构参数包括阵列周期P、外环半径R、环宽度W和环深度H，取值范围分别是P为550nm‑900nm、R为150nm‑250nm，W为80nm‑100nm，H为60nm‑150nm。本发明具有大尺寸兼容(优于100mm×100mm)、均匀性好、可重复、制作效率高和低成本的优势。
-
公开(公告)号：CN105403941B
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201510988326.4
申请日：2015-12-23
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本发明公开了一种变间距光栅的近场全息‑离子束刻蚀制备方法，该方法利用近场全息‑离子束刻蚀技术制备高线密度变间距光栅。本发明提供的变间距光栅制备方法，与一般的全息‑离子束刻蚀光栅相比，可以简化变间距光栅的全息制作光路、降低对全息系统稳定性的要求、提高线密度重复性精度；与机械刻划方法相比，易于产生高线密度、刻面光滑的矩形槽形轮廓的变间距光栅；与常规纳米压印技术相比，本发明提供的变间距光栅，可以通过优化近场全息的曝光‑显影条件在一定范围内对所获得的其光刻胶光栅掩模的占宽比进行调控。因此，本发明对发展激光等离子体诊断、同步辐射等领域所需变间距光栅的制备技术十分重要。
-
-
公开(公告)号：CN103901520B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201410166870.6
申请日：2014-04-23
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 一种顶角90°三角形槽阶梯光栅的制作方法，由硅光栅结构(1)、光刻胶(3)与金属膜(4)组成；所制作的光栅槽型是顶角等于90°的三角形，可以获得比顶角不是90°的阶梯光栅更高的衍射效率；光栅结构在斜切的单晶硅片中产生，光栅闪耀角度由切割硅片时切偏角决定，可以实现任意闪耀角光栅制作；90°顶角通过在非直角顶角硅光栅槽中填充光刻胶，并再次进行光刻产生，可将以往非90°顶角的硅光栅转变成90°顶角的三角形槽光栅，所制作的光栅结构，光栅闪耀面是光滑的单晶硅 晶格面，能有效降低散射，提高光栅衍射效率。根据使用波段在光栅表面可选择镀制不同种类反射膜层，实现光栅在宽波段均具有高衍射效率。
-
公开(公告)号：CN105334560A
公开(公告)日：2016-02-17
申请号：CN201510751720.6
申请日：2015-11-06
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G02B5/18
CPC分类号： G02B5/1857 , G02B5/18
摘要： 本发明公开了一种旋转刻蚀角度来刻蚀光栅槽型的方法，其包括：加载设计光栅槽型参数，包括槽型宽度，槽型深度和槽型形状；初始化离子束刻蚀机参数，包括刻蚀速率，刻蚀比等；初始化光栅参数，包括光栅线密度、光栅初始胶厚、光栅占空比等；分割预设槽型，确定刻蚀角度个数；确定刻蚀角；确定刻蚀时间；优化刻蚀参数，判断刻蚀结果的归一化均方根偏差是否达到预设要求；未达到预设要求则增大刻蚀角度个数直到刻蚀结果的归一化均方根偏差满足实际需求；达到预设要求则按照计算参数进行加工。采用本发明公开的方法，可以较快获得设计槽型的最优化加工参数。
-
公开(公告)号：CN102205671A
公开(公告)日：2011-10-05
申请号：CN201110062679.3
申请日：2011-03-15
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： B32B3/30 , B32B17/10 , B32B15/082 , G01B11/16 , G01B11/02
摘要： 本发明实施例公开了一种测量材料表面形变的简易贴及其制作方法，该方法包括：提供基底；在所述基底上粘贴表面粗糙的胶带；在所述胶带上形成反射层，所述反射层表面与所述胶带表面具有高光学对比度；采用光刻工艺，在所述胶带上形成网格、点阵或栅线的图形；将所述胶带与所述基底分离，制作完成测量材料表面形变的简易贴。本发明实施例通过采用光刻工艺，可以制作直径为微米至毫米数量级的网格、点阵或栅线等，使得最终网格/点阵的尺寸能够满足CCD相机以及自动网格法对小尺寸网格/点阵的要求。并且，由于紫外光刻技术自身的特点，使得制作出的网格、点阵或栅线等很有规则且均匀，而且制作技术成熟、简单，制作周期短。
-
公开(公告)号：CN113387318B
公开(公告)日：2024-02-09
申请号：CN202110654487.5
申请日：2021-06-11
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明涉及一种基于纳米环形阵列的近红外带通滤波器，由基底和具有环形槽结构的Au膜构成，Au膜附着于基底表面之上；基底厚度为1mm，材料为熔石英，折射率为1.548@1.5um；Au膜表面通过工艺制备纳米环形阵列，Au膜厚度为100nm，折射率为0.18+i10.0@1.5um，Au膜表面粗糙度RMS小于2nm；纳米环形阵列的结构参数包括阵列周期P、外环半径R、环宽度W和环深度H，取值范围分别是P为550nm‑900nm、R为150nm‑250nm，W为80nm‑100nm，H为60nm‑150nm。本发明具有大尺寸兼容(优于100mm×100mm)、均匀性好、可重复、制作效率高和低成本的优势。
-
公开(公告)号：CN117452543A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311413319.2
申请日：2023-10-27
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提供一种低吸收的长波红外偏振片及其制造方法，所述偏振片包括硫化锌和氟化镱薄膜、高阻硅基底、硅光栅、双层金膜，双层金膜分别覆盖于介质光栅槽底和光栅线顶部，由于硫化锌较硅折射率低且无吸收，该填充层可以提高TM偏振光透过率，同时由于硫化锌薄膜属于硬质膜，还可以极大保护金膜，提高偏振片鲁棒性，在封装好的光栅背侧镀氟化镱和硫化锌薄膜，根据镀膜材料的光学吸收特性，优化了增透膜设计，可以进一步提高透过率，该发明解决了国内外以硅基底做偏振片的9um的固有吸收问题，进一步改善10um后偏振片的吸收，在保证高消光比和高透过率的同时提高了偏振片稳定性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
搜索结果
54 条记录 (耗时 0.043 秒)
