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公开(公告)号：CN115113313B
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202210780810.8
申请日：2022-07-04
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提供一种利用离子束刻蚀修饰闪耀光栅槽形的方法，包括如下步骤：(1)通过全息‑离子束刻蚀法在石英表面制作出浮雕闪耀光栅；(2)通过严格耦合波分析方法确定透射型或者反射型闪耀光栅的反闪耀角对衍射效率的影响，找出反闪耀角度的最优区间；(3)根据已制作的闪耀光栅的反闪耀角与最优区间的差异确定反闪耀角的改变方向，并利用离子束刻蚀对反闪耀角度进行修饰。本发明采用离子束刻蚀的方式，改变闪耀光栅的反闪耀角度，从而扩大闪耀面的有效工作面积，增加衍射效率。
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公开(公告)号：CN117452543A
公开(公告)日：2024-01-26
申请号：CN202311413319.2
申请日：2023-10-27
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提供一种低吸收的长波红外偏振片及其制造方法，所述偏振片包括硫化锌和氟化镱薄膜、高阻硅基底、硅光栅、双层金膜，双层金膜分别覆盖于介质光栅槽底和光栅线顶部，由于硫化锌较硅折射率低且无吸收，该填充层可以提高TM偏振光透过率，同时由于硫化锌薄膜属于硬质膜，还可以极大保护金膜，提高偏振片鲁棒性，在封装好的光栅背侧镀氟化镱和硫化锌薄膜，根据镀膜材料的光学吸收特性，优化了增透膜设计，可以进一步提高透过率，该发明解决了国内外以硅基底做偏振片的9um的固有吸收问题，进一步改善10um后偏振片的吸收，在保证高消光比和高透过率的同时提高了偏振片稳定性。
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公开(公告)号：CN110244395A
公开(公告)日：2019-09-17
申请号：CN201910574843.5
申请日：2019-06-28
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本申请提供了一种平面双角闪耀光栅的制作方法，该平面双角闪耀光栅的制作方法，采用全息离子束刻蚀技术，其方法相比较电子束刻蚀技术而言，降低了工艺成本，且制作周期短、重复性好以及可控性高；并且，采用倾斜刻蚀的方式对梯形同质掩模结构进行刻蚀，其槽形更容易控制，其轮廓可看成由简单的线条构成，因此，在刻蚀过程中槽形的演化更加简洁。以及，通过调节梯形同质掩模结构的高宽比来改变两个闪耀面的长度，其方式简单有效。
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公开(公告)号：CN115113313A
公开(公告)日：2022-09-27
申请号：CN202210780810.8
申请日：2022-07-04
申请人： 中国科学技术大学
摘要： 本发明提供一种利用离子束刻蚀修饰闪耀光栅槽形的方法，包括如下步骤：(1)通过全息‑离子束刻蚀法在石英表面制作出浮雕闪耀光栅；(2)通过严格耦合波分析方法确定透射型或者反射型闪耀光栅的反闪耀角对衍射效率的影响，找出反闪耀角度的最优区间；(3)根据已制作的闪耀光栅的反闪耀角与最优区间的差异确定反闪耀角的改变方向，并利用离子束刻蚀对反闪耀角度进行修饰。本发明采用离子束刻蚀的方式，改变闪耀光栅的反闪耀角度，从而扩大闪耀面的有效工作面积，增加衍射效率。
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公开(公告)号：CN110244395B
公开(公告)日：2020-10-27
申请号：CN201910574843.5
申请日：2019-06-28
申请人： 中国科学技术大学
IPC分类号： G02B5/18
摘要： 本申请提供了一种平面双角闪耀光栅的制作方法，该平面双角闪耀光栅的制作方法，采用全息离子束刻蚀技术，其方法相比较电子束刻蚀技术而言，降低了工艺成本，且制作周期短、重复性好以及可控性高；并且，采用倾斜刻蚀的方式对梯形同质掩模结构进行刻蚀，其槽形更容易控制，其轮廓可看成由简单的线条构成，因此，在刻蚀过程中槽形的演化更加简洁。以及，通过调节梯形同质掩模结构的高宽比来改变两个闪耀面的长度，其方式简单有效。
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