公开(公告)号：CN105334560B

公开(公告)日：2017-12-22

申请号：CN201510751720.6

申请日：2015-11-06

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 曾思为 ,  吴丽翔 ,  邱克强 ,  刘正坤 ,  付绍军

IPC分类号： G02B5/18

摘要： 本发明公开了一种旋转刻蚀角度来刻蚀光栅槽型的方法，其包括：加载设计光栅槽型参数，包括槽型宽度，槽型深度和槽型形状；初始化离子束刻蚀机参数，包括刻蚀速率，刻蚀比等；初始化光栅参数，包括光栅线密度、光栅初始胶厚、光栅占空比等；分割预设槽型，确定刻蚀角度个数；确定刻蚀角；确定刻蚀时间；优化刻蚀参数，判断刻蚀结果的归一化均方根偏差是否达到预设要求；未达到预设要求则增大刻蚀角度个数直到刻蚀结果的归一化均方根偏差满足实际需求；达到预设要求则按照计算参数进行加工。采用本发明公开的方法，可以较快获得设计槽型的最优化加工参数。

公开(公告)号：CN104907894B

公开(公告)日：2017-11-24

申请号：CN201510331466.4

申请日：2015-06-12

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 吴丽翔 ,  邱克强 ,  曾思为 ,  付绍军

IPC分类号： B24B1/00

摘要： 本发明提供了一种离子束抛光方法。该离子束抛光方法应用的离子束抛光设备包括：工件台、离子束发生器和运动控制系统。其中，工件放置于工件台上，离子束发生器发出形状和大小实时可控的离子束束斑(2)；运动控制系统驱动工件台和/或离子束发生器运动，离子束束斑(2)在工件表面移动，实现对工件的抛光。本发明中，离子束束斑的形状和大小均可控，从而提高了离子束抛光设备的可控性和控制精度。

公开(公告)号：CN104966682B

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201510408705.1

申请日：2015-07-10

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 曾思为 ,  吴丽翔 ,  邱克强 ,  付绍军

IPC分类号： H01L21/66

摘要： 本发明公开了一种离子束刻蚀时的加工参数确定方法，其包括：预设工件刻蚀的相关参数，其包括：工件一维刻蚀深度曲线与离子束刻蚀速率；将工件一维刻蚀深度曲线进行曲线变化，获得相应的驻留时间曲线；根据所述驻留时间曲线计算快门组件或工件的匀速移动速率，并根据所述匀速移动速率对驻留时间曲线进行坐标变换；对坐标变换后的驻留时间曲线进行分割，获得快门组件中可移动快门相对于快门零位的距离与时间曲线。采用本发明公开的方法，可以快速获得加工面形的加工参数。

公开(公告)号：CN104907894A

公开(公告)日：2015-09-16

申请号：CN201510331466.4

申请日：2015-06-12

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 吴丽翔 ,  邱克强 ,  曾思为 ,  付绍军

IPC分类号： B24B1/00

CPC分类号： B24B1/00

摘要： 本发明提供了一种离子束抛光设备。该离子束抛光设备包括：工件台、离子束发生器和运动控制系统。其中，工件放置于工件台上，离子束发生器发出形状和大小实时可控的离子束束斑2；运动控制系统驱动工件台和/或离子束发生器运动，离子束束斑2在工件表面移动，实现对工件的抛光。本发明中，离子束束斑的形状和大小均可控，从而提高了离子束抛光设备的可控性和控制精度。基于该离子束抛光设备，本发明还提供了一种应用其的离子束抛光方法。

公开(公告)号：CN105334560A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510751720.6

申请日：2015-11-06

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 曾思为 ,  吴丽翔 ,  邱克强 ,  刘正坤 ,  付绍军

IPC分类号： G02B5/18

CPC分类号： G02B5/1857 ,  G02B5/18

摘要： 本发明公开了一种旋转刻蚀角度来刻蚀光栅槽型的方法，其包括：加载设计光栅槽型参数，包括槽型宽度，槽型深度和槽型形状；初始化离子束刻蚀机参数，包括刻蚀速率，刻蚀比等；初始化光栅参数，包括光栅线密度、光栅初始胶厚、光栅占空比等；分割预设槽型，确定刻蚀角度个数；确定刻蚀角；确定刻蚀时间；优化刻蚀参数，判断刻蚀结果的归一化均方根偏差是否达到预设要求；未达到预设要求则增大刻蚀角度个数直到刻蚀结果的归一化均方根偏差满足实际需求；达到预设要求则按照计算参数进行加工。采用本发明公开的方法，可以较快获得设计槽型的最优化加工参数。

公开(公告)号：CN104966682A

公开(公告)日：2015-10-07

申请号：CN201510408705.1

申请日：2015-07-10

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 曾思为 ,  吴丽翔 ,  邱克强 ,  付绍军

IPC分类号： H01L21/66

CPC分类号： H01L22/20

摘要： 本发明公开了一种离子束刻蚀时的加工参数确定方法，其包括：预设工件刻蚀的相关参数，其包括：工件一维刻蚀深度曲线与离子束刻蚀速率；将工件一维刻蚀深度曲线进行曲线变化，获得相应的驻留时间曲线；根据所述驻留时间曲线计算快门组件或工件的匀速移动速率，并根据所述匀速移动速率对驻留时间曲线进行坐标变换；对坐标变换后的驻留时间曲线进行分割，获得快门组件中可移动快门相对于快门零位的距离与时间曲线。采用本发明公开的方法，可以快速获得加工面形的加工参数。

公开(公告)号：CN204792678U

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201520523614.8

申请日：2015-07-15

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 曾思为 ,  吴丽翔 ,  邱克强 ,  付绍军

IPC分类号： H01J37/32 ,  H01J37/21

摘要： 本实用新型公开了一种离子束刻蚀束斑分布矫正装置，其包括：离子源系统与置于其下方的快门系统；所述离子源系统包括：离子源导轨及置于其上方的离子源；所述快门系统包括：导轨及其置于上方的固定挡板与可移动挡板，以及驱动电机；其中：所述驱动电机通过驱动杆与第一传动齿轮相连，所述第一传动齿轮还分别与离子源及第二传动齿轮相连，所述第二传动齿轮还与可移动挡板相连。本装置，通过保证离子源出射的离子束斑的中心随着由固定挡板与可移动挡板所约束的矩形孔的中心移动并保持二者重合，以减小由于二者中心不重合导致的离子束束斑畸变对刻蚀加工产生的误差。

公开(公告)号：CN204771859U

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201520408818.7

申请日：2015-06-12

申请人： 中国科学技术大学

发明人： 吴丽翔 ,  邱克强 ,  曾思为 ,  付绍军

IPC分类号： B24B1/00

摘要： 本实用新型提供了一种离子束抛光设备。该离子束抛光设备包括：工件台、离子束发生器和运动控制系统。其中，工件放置于工件台上，离子束发生器发出形状和大小实时可控的离子束束斑；运动控制系统驱动工件台和/或离子束发生器运动，离子束束斑在工件表面移动，实现对工件的抛光。本实用新型中，离子束束斑的形状和大小均可控，从而提高了离子束抛光设备的可控性和控制精度。