公开(公告)号：CN102282916A

公开(公告)日：2011-12-14

申请号：CN201080004507.4

申请日：2010-01-12

Applicant: 里巴贝鲁株式会社

Inventor： 钟江正巳 ,  加藤恭一 ,  尾上薰 ,  福冈大辅

IPC: H05H1/24 ,  B01J19/08 ,  C23C16/507 ,  H01L21/205 ,  H01L21/3065 ,  H05H1/30

CPC classification number: B01J19/088 ,  B01J2219/0809 ,  B01J2219/083 ,  B01J2219/0871 ,  B01J2219/0884 ,  B01J2219/0898 ,  H05H1/2406 ,  H05H2001/2456 ,  H05H2001/2462 ,  H05H2240/10 ,  H05H2240/20

Abstract: 本发明的课题是提供一个在高洁净、高纯度的状态下，能够产生并维持稳定的高密度等离子体的等离子体装置。解决上述课题的技术方案是：配有第1等离子体生成室10(配有气体供应口12和等离子体出口13)、第1等离子体生成装置11(在不暴露在第1等离子体生成室空间内的情况下配置)、第2等离子体生成室20(配有等离子体供应口22，供应通过等离子体出口在第1等离子体生成室产生的等离子体)和第2等离子体生成装置21(在不暴露在第2等离子体生成室空间内的情况下配置，在第2等离子体生成室内产生比第1等离子体生成室产生的等离子体更高密度的等离子体)的等离子体生成装置。