公开(公告)号：CN113782474B

公开(公告)日：2025-03-28

申请号：CN202111069547.3

申请日：2021-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐煌仁 ,  苏正熹 ,  刘坤明 ,  谢子逸 ,  巫丰印

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544

Abstract: 本揭露描述了对准标记的制作方法及半导体结构，用于在晶圆上制作对准标记的方法包含在晶圆的第一表面区中蚀刻凹槽。在晶圆的第二表面区中形成装置结构。在晶圆的第一表面上沉积介电层并填充凹槽。进行第一平坦化程序以平坦化介电层。在第一平坦化程序之后，对晶圆的第二表面区上的装置结构进行第二平坦化程序。

公开(公告)号：CN113539963B

公开(公告)日：2024-12-24

申请号：CN202110652211.3

申请日：2021-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏宇晨 ,  巫丰印 ,  谢子逸

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成牺牲栅极结构。牺牲栅极结构包括牺牲栅电极。在牺牲栅极结构上方形成第一介电层。在第一介电层上方形成第二介电层。平坦化第二介电层和第一介电层并且使第二介电层和第一介电层凹进，并且牺牲栅极结构的上部暴露，而牺牲栅极结构的下部嵌入在第一介电层中。在暴露的牺牲栅极结构上方和第一介电层上方形成第三介电层。在第三介电层上方形成第四介电层。平坦化第四介电层和第三介电层，并且牺牲栅电极暴露，并且第三介电层的一部分保留在凹进的第一介电层上。去除牺牲栅电极。

公开(公告)号：CN113782474A

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN202111069547.3

申请日：2021-09-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐煌仁 ,  苏正熹 ,  刘坤明 ,  谢子逸 ,  巫丰印

IPC: H01L21/68 ,  H01L23/544

Abstract: 本揭露描述了对准标记的制作方法及半导体结构，用于在晶圆上制作对准标记的方法包含在晶圆的第一表面区中蚀刻凹槽。在晶圆的第二表面区中形成装置结构。在晶圆的第一表面上沉积介电层并填充凹槽。进行第一平坦化程序以平坦化介电层。在第一平坦化程序之后，对晶圆的第二表面区上的装置结构进行第二平坦化程序。

公开(公告)号：CN104752236B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410385450.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄文浚 ,  李建成 ,  刘国洲 ,  薛瑞云 ,  郑锡圭 ,  林志贤 ,  林俊成 ,  陆湘台 ,  谢子逸

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例是一种方法，包括：将管芯安装到衬底的顶面以形成器件；将管芯和衬底的顶面封装在模塑料中，模塑料在管芯之上具有第一厚度；以及去除管芯之上的模塑料的部分但非所有厚度。该方法还包括对器件执行进一步处理并且去除管芯之上的模塑料的剩余厚度。

公开(公告)号：CN109623630B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201811122514.9

申请日：2018-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈政炳 ,  李仁铎 ,  彭升泰 ,  赖宗龙 ,  谢子逸 ,  张建玮

IPC: B24B37/30 ,  H01L21/768

Abstract: 在一些实施例中，本发明在一些实施例中涉及形成CMP膜的方法。该方法通过在膜模具内的腔内提供可延展材料来实施。该腔具有中心区域和围绕中心区域的外围区域。固化腔内的可延展材料以形成膜。通过将膜模具的中心区域内的可延展材料加热至第一温度并且将膜模具的外围区域内的可延展材料加热至大于第一温度的第二温度来实施固化可延展材料。本发明的实施例涉及化学机械平坦化工具和形成化学机械平坦化膜的方法。

公开(公告)号：CN104752236A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410385450.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄文浚 ,  李建成 ,  刘国洲 ,  薛瑞云 ,  郑锡圭 ,  林志贤 ,  林俊成 ,  陆湘台 ,  谢子逸

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例是一种方法，包括：将管芯安装到衬底的顶面以形成器件；将管芯和衬底的顶面封装在模塑料中，模塑料在管芯之上具有第一厚度；以及去除管芯之上的模塑料的部分但非所有厚度。该方法还包括对器件执行进一步处理并且去除管芯之上的模塑料的剩余厚度。

公开(公告)号：CN101378026B

公开(公告)日：2011-09-28

申请号：CN200810127632.9

申请日：2008-07-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑翔升 ,  谢子逸 ,  阙嘉良 ,  陈俊仁 ,  纪元兴 ,  黎伟钦

IPC: H01L21/677

Abstract: 一种用于晶圆传送自动控制装置的晶圆传送片，其具有改善结构的一囊袋空间，以在晶圆传送自动控制装置的拾取与传送期间内最小化晶圆的损坏。传送片具有一于传送片后面的斜表面，以允许不准确晶圆在斜面下滑，而又不伤害到晶圆表面。

公开(公告)号：CN113539963A

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN202110652211.3

申请日：2021-06-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 魏宇晨 ,  巫丰印 ,  谢子逸

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 在制造半导体器件的方法中，在衬底上方形成牺牲栅极结构。牺牲栅极结构包括牺牲栅电极。在牺牲栅极结构上方形成第一介电层。在第一介电层上方形成第二介电层。平坦化第二介电层和第一介电层并且使第二介电层和第一介电层凹进，并且牺牲栅极结构的上部暴露，而牺牲栅极结构的下部嵌入在第一介电层中。在暴露的牺牲栅极结构上方和第一介电层上方形成第三介电层。在第三介电层上方形成第四介电层。平坦化第四介电层和第三介电层，并且牺牲栅电极暴露，并且第三介电层的一部分保留在凹进的第一介电层上。去除牺牲栅电极。

公开(公告)号：CN109623630A

公开(公告)日：2019-04-16

申请号：CN201811122514.9

申请日：2018-09-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈政炳 ,  李仁铎 ,  彭升泰 ,  赖宗龙 ,  谢子逸 ,  张建玮

IPC: B24B37/30 ,  H01L21/768

CPC classification number: B24B37/32 ,  B24B37/015 ,  B24B37/20 ,  H01L21/3212 ,  B24B37/30 ,  H01L21/7684

Abstract: 在一些实施例中，本发明在一些实施例中涉及形成CMP膜的方法。该方法通过在膜模具内的腔内提供可延展材料来实施。该腔具有中心区域和围绕中心区域的外围区域。固化腔内的可延展材料以形成膜。通过将膜模具的中心区域内的可延展材料加热至第一温度并且将膜模具的外围区域内的可延展材料加热至大于第一温度的第二温度来实施固化可延展材料。本发明的实施例还涉及化学机械平坦化膜。

公开(公告)号：CN108214278A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201611143913.4

申请日：2016-12-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈世忠 ,  彭升泰 ,  谢子逸 ,  纪元兴 ,  陈政炳

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/32

Abstract: 本发明实施例提供一种环绕待抛光工件并且维持待抛光工件与抛光衬垫相对位置的固定环。上述固定环具有内侧壁、外侧壁、连接内侧壁以及外侧壁的底面以及多个凹槽，其中外侧壁环绕内侧壁，底面以及外侧壁的之间具有导角，且在抛光工艺中，底面与抛光衬垫接触，其中多个凹槽位于底面上，每一个凹槽具有彼此相对的第一凹槽侧壁与第二凹槽侧壁，且第一凹槽侧壁的所在平面与内侧壁的所在平面夹锐角且与外侧壁的所在平面夹钝角，第二凹槽侧壁的所在平面与内侧壁的所在平面夹钝角且与外侧壁的所在平面夹锐角，其中第一凹槽侧壁以及内侧壁之间具有导角，且第二凹槽侧壁以及外侧壁之间具有导角。具有上述固定环的抛光设备亦被提供。