公开(公告)号：CN118263194A

公开(公告)日：2024-06-28

申请号：CN202410129128.1

申请日：2024-01-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  郭建利 ,  李光君 ,  李建成 ,  刘国洲

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/06 ,  H01L23/367 ,  H01L23/373 ,  H01L21/56

Abstract: 半导体封装结构可包含封装基板、耦合至封装基板的半导体晶粒、以及接附至封装基板且覆盖半导体晶粒的封装盖体。封装盖体可包含具有随空间变化的热导率的顶部，在第一区中的热导率大于在第二区中的热导率。第一区可包含多膜层结构，其包含借由铜膜层支撑的金属/钻石复合材料。金属/钻石复合材料可包含银/钻石复合材料、铜/钻石复合材料、或铝/钻石复合材料，且可具有范围在约600至约900W/m·k之内的热导率，以及具有在约5至约10ppm/℃的第二范围内的热膨胀系数。封装盖体可具有范围为约14.5至约17ppm/℃的有效热膨胀系数。

公开(公告)号：CN114464591A

公开(公告)日：2022-05-10

申请号：CN202210039325.5

申请日：2022-01-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈承先 ,  杨挺立 ,  蔡柏豪 ,  李建成 ,  郑明达

IPC: H01L23/498 ,  H01L23/528 ,  H01L21/48

Abstract: 本发明的实施例提供了一种半导体器件及其形成方法。在实施例中，一种半导体器件包括：半导体衬底上的钝化层；在钝化层上并沿钝化层延伸的第一再分布线；在钝化层上并沿钝化层延伸的第二再分布线；第一介电层位于第一再分布线、第二再分布线以及钝化层上；凸块下金属化层具有凸块部分和第一通孔部分，凸块部分设置在第一介电层上并沿着第一介电层延伸，凸块部分与第一再分布线和第二再分布线重叠，第一通孔部分延伸穿过第一介电层以物理和电连接到第一再分布线。

公开(公告)号：CN110816018B

公开(公告)日：2022-03-04

申请号：CN201911157825.3

申请日：2014-04-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘进财 ,  吕国良 ,  刘德隆 ,  张富程 ,  李建成

IPC: B32B38/10 ,  H01L21/683

Abstract: 本发明描述了使用浸没撕带的实施例。提供了衬底，该衬底具有附接至其上的衬底胶带。该衬底包括附接至衬底胶带的导电连接件。在衬底和衬底胶带之间提供液体。当液体位于衬底和衬底胶带之间时，从衬底去除衬底胶带。另一实施例是一种装置，该装置包括浸没槽、衬底夹具、第一和第二固定压辊，以及可移动的压辊。衬底夹具配置为固定衬底且将衬底放置到浸没槽内。可操作第一固定压辊以分配夹紧胶带。可操作第二固定压辊以卷动夹紧胶带。可操作可移动的压辊以延伸到浸没槽中且将夹紧胶带粘附至衬底上的衬底胶带。本发明还提供了浸没撕带。

公开(公告)号：CN104752236B

公开(公告)日：2017-10-13

申请号：CN201410385450.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄文浚 ,  李建成 ,  刘国洲 ,  薛瑞云 ,  郑锡圭 ,  林志贤 ,  林俊成 ,  陆湘台 ,  谢子逸

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例是一种方法，包括：将管芯安装到衬底的顶面以形成器件；将管芯和衬底的顶面封装在模塑料中，模塑料在管芯之上具有第一厚度；以及去除管芯之上的模塑料的部分但非所有厚度。该方法还包括对器件执行进一步处理并且去除管芯之上的模塑料的剩余厚度。

公开(公告)号：CN104795312A

公开(公告)日：2015-07-22

申请号：CN201410160689.4

申请日：2014-04-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 刘进财 ,  吕国良 ,  刘德隆 ,  张富程 ,  李建成

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/683 ,  H01L21/67

Abstract: 本发明描述了使用浸没撕带的实施例。提供了衬底，该衬底具有附接至其上的衬底胶带。该衬底包括附接至衬底胶带的导电连接件。在衬底和衬底胶带之间提供液体。当液体位于衬底和衬底胶带之间时，从衬底去除衬底胶带。另一实施例是一种装置，该装置包括浸没槽、衬底夹具、第一和第二固定压辊，以及可移动的压辊。衬底夹具配置为固定衬底且将衬底放置到浸没槽内。可操作第一固定压辊以分配夹紧胶带。可操作第二固定压辊以卷动夹紧胶带。可操作可移动的压辊以延伸到浸没槽中且将夹紧胶带粘附至衬底上的衬底胶带。本发明还提供了浸没撕带。

公开(公告)号：CN108735616A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201711219754.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施孟甫 ,  黄震麟 ,  李建成 ,  朱则荣 ,  陈文明 ,  刘国洲

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含提供半导体结构，半导体结构具有中央部分和围绕中央部分的周边部分。此方法包含在半导体结构的表面上方形成多个第一导电凸块和多个虚设导电凸块，第一导电凸块在中央部分上方并电性连接至半导体结构，虚设导电凸块在周边部分上方并与半导体结构电性绝缘，第一导电凸块的每一个具有第一厚度和第一宽度，虚设导电凸块的每一个具有第二厚度和第二宽度，第二厚度小于第一厚度，且第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：CN115561492A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210943460.2

申请日：2022-08-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  陈颢 ,  孙传翔 ,  王敏哲 ,  李建成 ,  陈承先

IPC: G01R1/067

Abstract: 一种探针头结构，包括软性基板，具有顶面和底面。探针头结构包括第一探针柱，穿过基板。第一探针柱具有从底面凸出的第一突出部分。探针头结构包括重分布结构，位于基板的顶面和第一探针柱上，重分布结构与基板和第一探针柱直接接触。重分布结构包括位于介电结构中的介电结构和导线结构。导线结构电性连接至第一探针柱。探针头结构包括导线基板，位于重分布结构上方。探针头结构包括第一导电凸块，连接于导线基板和重分布结构之间。

公开(公告)号：CN114975138A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210322160.2

申请日：2022-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林文益 ,  李光君 ,  李建成 ,  陈承先

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/07

Abstract: 提供封装结构及封装结构的形成方法。前述方法包括：设置芯片结构在基板上方；以及形成第一黏接元件在基板上方。第一黏接元件具有第一电阻率。前述方法亦包括：形成第二黏接元件在基板上方。第二黏接元件具有第二电阻率，且第二电阻率大于第一电阻率。前述方法还包括：通过第一黏接元件及第二黏接元件附接保护盖到基板。保护盖围绕芯片结构且覆盖芯片结构的顶表面。

公开(公告)号：CN112151392A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010343372.X

申请日：2020-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨盛耀 ,  李苓玮 ,  吴毓瑞 ,  黄震麟 ,  李建成 ,  陈列全 ,  朱则荣 ,  刘国洲

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明实施例提供芯片封装结构的形成方法。方法包含在芯片上形成第一导电凸块和第一环状结构。第一环状结构环绕第一导电凸块，第一环状结构和第一导电凸块由相同的第一材料制成，芯片包含互连结构，且第一环状结构电性绝缘于互连结构和第一导电凸块。方法包含将芯片经由第一导电凸块接合至基板。

公开(公告)号：CN109962047A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811518818.7

申请日：2018-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈正泓 ,  徐玉女 ,  刘俊成 ,  黄恒赍 ,  李建成 ,  陈世晏 ,  谢政男 ,  刘国洲 ,  陈承先 ,  古进誉 ,  庞德勋 ,  吴元冯 ,  江森淇

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请的实施例提供一种封装结构。封装结构包括第一凸块结构形成于基板之上，焊料接合点形成于第一凸块结构之上，以及第二凸块结构形成于焊料接合点之上。第一凸块结构包括第一柱状层形成于基板之上，以及第一阻障层形成于第一柱状层之上。第一阻障层具有第一突出部分，第一突出部分延伸远离第一柱状层的侧壁表面，且第一柱状层的侧壁与第一阻障层的侧壁之间具有一距离。第二凸块结构包括第二阻障层形成于焊料接合点之上，以及第二柱状层形成于第二阻障层之上，其中第二阻障层具有第二突出部分，第二突出部分延伸远离第二柱状层的侧壁表面。