公开(公告)号：CN115799087A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202310026404.7

申请日：2018-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱胜焕 ,  陈俊仁 ,  陈承先 ,  刘国洲 ,  张国辉 ,  林忠仪 ,  郑锡圭 ,  赖怡仁

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/535

Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。

公开(公告)号：CN112151392A

公开(公告)日：2020-12-29

申请号：CN202010343372.X

申请日：2020-04-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨盛耀 ,  李苓玮 ,  吴毓瑞 ,  黄震麟 ,  李建成 ,  陈列全 ,  朱则荣 ,  刘国洲

IPC: H01L21/50 ,  H01L23/488

Abstract: 本发明实施例提供芯片封装结构的形成方法。方法包含在芯片上形成第一导电凸块和第一环状结构。第一环状结构环绕第一导电凸块，第一环状结构和第一导电凸块由相同的第一材料制成，芯片包含互连结构，且第一环状结构电性绝缘于互连结构和第一导电凸块。方法包含将芯片经由第一导电凸块接合至基板。

公开(公告)号：CN109962047A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811518818.7

申请日：2018-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈正泓 ,  徐玉女 ,  刘俊成 ,  黄恒赍 ,  李建成 ,  陈世晏 ,  谢政男 ,  刘国洲 ,  陈承先 ,  古进誉 ,  庞德勋 ,  吴元冯 ,  江森淇

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请的实施例提供一种封装结构。封装结构包括第一凸块结构形成于基板之上，焊料接合点形成于第一凸块结构之上，以及第二凸块结构形成于焊料接合点之上。第一凸块结构包括第一柱状层形成于基板之上，以及第一阻障层形成于第一柱状层之上。第一阻障层具有第一突出部分，第一突出部分延伸远离第一柱状层的侧壁表面，且第一柱状层的侧壁与第一阻障层的侧壁之间具有一距离。第二凸块结构包括第二阻障层形成于焊料接合点之上，以及第二柱状层形成于第二阻障层之上，其中第二阻障层具有第二突出部分，第二突出部分延伸远离第二柱状层的侧壁表面。

公开(公告)号：CN104752236A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410385450.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄文浚 ,  李建成 ,  刘国洲 ,  薛瑞云 ,  郑锡圭 ,  林志贤 ,  林俊成 ,  陆湘台 ,  谢子逸

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例是一种方法，包括：将管芯安装到衬底的顶面以形成器件；将管芯和衬底的顶面封装在模塑料中，模塑料在管芯之上具有第一厚度；以及去除管芯之上的模塑料的部分但非所有厚度。该方法还包括对器件执行进一步处理并且去除管芯之上的模塑料的剩余厚度。

公开(公告)号：CN115985850A

公开(公告)日：2023-04-18

申请号：CN202310075436.6

申请日：2017-12-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 汤友圣 ,  张富程 ,  黄震麟 ,  陈文明 ,  罗俊彦 ,  刘国洲

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/304

Abstract: 提供一种裁切半导体晶片的方法。此方法包含裁切一半导体晶片，以形成一第一开口。此外，上述半导体晶片包含一切割胶带与通过一芯片贴合薄膜贴合于上述切割胶带的一基底，上述第一开口是形成于上述基底的一上部。此方法更包含从上述第一开口切穿上述半导体晶片的上述基底与上述芯片贴合薄膜，以在上述第一开口之下形成一中间开口并在上述中间开口之下形成一第二开口，而将上述半导体晶片分割成二个芯片。此外，上述中间开口的侧壁的斜率异于上述第一开口及上述第二开口的侧壁的斜率。

公开(公告)号：CN110391191A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201810628042.8

申请日：2018-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈东翰 ,  陈承先 ,  刘国洲 ,  郑锡圭 ,  赖怡仁

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明实施例提供一种叠层封装结构，包含：第一封装件、多个导电凸块、第二封装件以及底部填充胶。导电凸块设置在第一封装件的第二表面上且电连接到第一封装件。第二封装件通过导电凸块设置在第一封装件的第二表面上，且包含半导体器件以及包封半导体器件的包封材料。从包封材料的上部表面到半导体器件的上部表面的最短距离大于或大体上等于半导体器件的厚度的两倍。底部填充胶填充在第一封装件与第二封装件之间。

公开(公告)号：CN108735616A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201711219754.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施孟甫 ,  黄震麟 ,  李建成 ,  朱则荣 ,  陈文明 ,  刘国洲

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含提供半导体结构，半导体结构具有中央部分和围绕中央部分的周边部分。此方法包含在半导体结构的表面上方形成多个第一导电凸块和多个虚设导电凸块，第一导电凸块在中央部分上方并电性连接至半导体结构，虚设导电凸块在周边部分上方并与半导体结构电性绝缘，第一导电凸块的每一个具有第一厚度和第一宽度，虚设导电凸块的每一个具有第二厚度和第二宽度，第二厚度小于第一厚度，且第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：CN109962047B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811518818.7

申请日：2018-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈正泓 ,  徐玉女 ,  刘俊成 ,  黄恒赍 ,  李建成 ,  陈世晏 ,  谢政男 ,  刘国洲 ,  陈承先 ,  古进誉 ,  庞德勋 ,  吴元冯 ,  江森淇

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请的实施例提供一种封装结构。封装结构包括第一凸块结构形成于基板之上，焊料接合点形成于第一凸块结构之上，以及第二凸块结构形成于焊料接合点之上。第一凸块结构包括第一柱状层形成于基板之上，以及第一阻障层形成于第一柱状层之上。第一阻障层具有第一突出部分，第一突出部分延伸远离第一柱状层的侧壁表面，且第一柱状层的侧壁与第一阻障层的侧壁之间具有一距离。第二凸块结构包括第二阻障层形成于焊料接合点之上，以及第二柱状层形成于第二阻障层之上，其中第二阻障层具有第二突出部分，第二突出部分延伸远离第二柱状层的侧壁表面。

公开(公告)号：CN110970396B

公开(公告)日：2023-05-02

申请号：CN201910927282.2

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李苓玮 ,  黄震麟 ,  刘明达 ,  乔福康 ,  周彦彬 ,  罗俊彦 ,  朱则荣 ,  陈文明 ,  刘国洲

IPC: H01L23/538 ,  H01L23/498 ,  H01L21/768 ,  H01L21/48

Abstract: 形成半导体器件的方法包括接收中介层的第一表面上的导电凸块的第一设计，第一设计中的导电凸块具有相同的截面面积；将第一设计中的导电凸块分组为第一表面的第一区域中的第一组导电凸块和第一表面的第二区域中的第二组导电凸块，其中，第二区域的凸块图案密度低于第一区域的凸块图案密度；通过修改第一设计来形成第二设计，其中，修改第一设计包括修改第二区域中的第二组导电凸块的截面面积；并且根据第二设计在中介层的第一表面上形成导电凸块，其中，在形成之后，第一组导电凸块和第二组导电凸块具有不同的截面面积。本发明的实施例还涉及半导体器件。

公开(公告)号：CN108735616B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201711219754.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施孟甫 ,  黄震麟 ,  李建成 ,  朱则荣 ,  陈文明 ,  刘国洲

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含提供半导体结构，半导体结构具有中央部分和围绕中央部分的周边部分。此方法包含在半导体结构的表面上方形成多个第一导电凸块和多个虚设导电凸块，第一导电凸块在中央部分上方并电性连接至半导体结构，虚设导电凸块在周边部分上方并与半导体结构电性绝缘，第一导电凸块的每一个具有第一厚度和第一宽度，虚设导电凸块的每一个具有第二厚度和第二宽度，第二厚度小于第一厚度，且第二宽度大于第一宽度。