裁切半导体晶片的方法
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108231677A

    公开(公告)日:2018-06-29

    申请号:CN201711306922.5

    申请日:2017-12-11

    Abstract: 提供一种裁切半导体晶片的方法。此方法包含裁切一半导体晶片,以形成一第一开口。此外,上述半导体晶片包含一切割胶带与通过一芯片贴合薄膜贴合于上述切割胶带的一基底,上述第一开口是形成于上述基底的一上部。此方法更包含从上述第一开口切穿上述半导体晶片的上述基底与上述芯片贴合薄膜,以在上述第一开口之下形成一中间开口并在上述中间开口之下形成一第二开口,而将上述半导体晶片分割成二个芯片。此外,上述中间开口的侧壁的斜率异于上述第一开口及上述第二开口的侧壁的斜率。

    裁切半导体晶片的方法
    4.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115985850A

    公开(公告)日:2023-04-18

    申请号:CN202310075436.6

    申请日:2017-12-11

    Abstract: 提供一种裁切半导体晶片的方法。此方法包含裁切一半导体晶片,以形成一第一开口。此外,上述半导体晶片包含一切割胶带与通过一芯片贴合薄膜贴合于上述切割胶带的一基底,上述第一开口是形成于上述基底的一上部。此方法更包含从上述第一开口切穿上述半导体晶片的上述基底与上述芯片贴合薄膜,以在上述第一开口之下形成一中间开口并在上述中间开口之下形成一第二开口,而将上述半导体晶片分割成二个芯片。此外,上述中间开口的侧壁的斜率异于上述第一开口及上述第二开口的侧壁的斜率。

Patent Agency Ranking