公开(公告)号：CN110310929B

公开(公告)日：2023-01-31

申请号：CN201811608334.1

申请日：2018-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱胜焕 ,  陈俊仁 ,  陈承先 ,  刘国洲 ,  张国辉 ,  林忠仪 ,  郑锡圭 ,  赖怡仁

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/535

Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。

公开(公告)号：CN109309013A

公开(公告)日：2019-02-05

申请号：CN201810836178.8

申请日：2018-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖怡仁 ,  林忠仪 ,  郑锡圭 ,  陈承先 ,  刘国洲

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31

Abstract: 一种方法包括在载体上方形成释放膜，在释放膜上方形成聚合物缓冲层，在聚合物缓冲层上形成金属柱，将金属柱密封在密封材料中，对密封材料实施平坦化以暴露金属柱，在密封材料和金属柱上方形成再分布结构，以及分解释放膜的第一部分。分解后留下释放膜的第二部分。在聚合物缓冲层中形成开口以暴露金属柱。本发明的实施例还提供了LTHC在形成封装件中作为电荷阻挡层、封装件及其形成方法。

公开(公告)号：CN104916617B

公开(公告)日：2018-02-16

申请号：CN201410566501.6

申请日：2014-10-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李立国 ,  刘永盛 ,  刘宜臻 ,  赖怡仁 ,  陈俊仁 ,  郑锡圭

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48

CPC classification number: H01L24/14 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/03462 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05013 ,  H01L2224/05023 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05558 ,  H01L2224/05564 ,  H01L2224/05568 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1134 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13014 ,  H01L2224/13023 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/1411 ,  H01L2224/16058 ,  H01L2224/16238 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/81191 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供了半导体器件结构及制造方法。该半导体器件结构包括半导体衬底和位于半导体衬底上方的介电层。该半导体器件结构还包括位于介电层上方的导电迹线。该半导体器件结构还包括位于导电迹线上方的导电部件，并且导电部件的宽度基本上等于或大于导电迹线的最大宽度。另外，该半导体器件结构包括位于导电部件上方的导电凸块。

公开(公告)号：CN115799087A

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN202310026404.7

申请日：2018-12-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 邱胜焕 ,  陈俊仁 ,  陈承先 ,  刘国洲 ,  张国辉 ,  林忠仪 ,  郑锡圭 ,  赖怡仁

IPC: H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L23/535

Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。

公开(公告)号：CN108122879B

公开(公告)日：2021-10-22

申请号：CN201710974099.9

申请日：2017-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  方子睿 ,  郑锡圭 ,  韩至刚 ,  赖怡仁 ,  刘献文 ,  林仪柔

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: 本揭露实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一介电层，其具有第一表面；模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的第一表面；通路，其安置于所述模制化合物中；及第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。填充材料具有介于所述第二介电层与所述半导体裸片之间的厚度，且所述孔的直径与所述填充材料的所述厚度成反比。

公开(公告)号：CN104752236A

公开(公告)日：2015-07-01

申请号：CN201410385450.7

申请日：2014-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄文浚 ,  李建成 ,  刘国洲 ,  薛瑞云 ,  郑锡圭 ,  林志贤 ,  林俊成 ,  陆湘台 ,  谢子逸

IPC: H01L21/50

CPC classification number: H01L21/565 ,  H01L21/486 ,  H01L21/56 ,  H01L21/561 ,  H01L21/563 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L23/145 ,  H01L23/147 ,  H01L23/28 ,  H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/3128 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/36 ,  H01L23/49816 ,  H01L23/49827 ,  H01L23/5329 ,  H01L23/5384 ,  H01L23/60 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/06 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/14 ,  H01L24/16 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L25/0652 ,  H01L25/0655 ,  H01L25/50 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2221/6834 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03452 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/0557 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05583 ,  H01L2224/05624 ,  H01L2224/05639 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/05647 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/05671 ,  H01L2224/05684 ,  H01L2224/06181 ,  H01L2224/11002 ,  H01L2224/1132 ,  H01L2224/11334 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11452 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/11464 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13109 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13116 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13139 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13164 ,  H01L2224/1403 ,  H01L2224/14181 ,  H01L2224/16145 ,  H01L2224/16225 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/73204 ,  H01L2224/73253 ,  H01L2224/81192 ,  H01L2224/81815 ,  H01L2224/81895 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/92125 ,  H01L2224/94 ,  H01L2225/06513 ,  H01L2225/06517 ,  H01L2225/06541 ,  H01L2225/06589 ,  H01L2924/10252 ,  H01L2924/10253 ,  H01L2924/10254 ,  H01L2924/10271 ,  H01L2924/10272 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/10333 ,  H01L2924/10335 ,  H01L2924/10342 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/1431 ,  H01L2924/1432 ,  H01L2924/1434 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/157 ,  H01L2924/1579 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/18161 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/11 ,  H01L2224/03 ,  H01L2924/00012

Abstract: 本公开的实施例包括半导体封装件及其形成方法。一个实施例是一种方法，包括：将管芯安装到衬底的顶面以形成器件；将管芯和衬底的顶面封装在模塑料中，模塑料在管芯之上具有第一厚度；以及去除管芯之上的模塑料的部分但非所有厚度。该方法还包括对器件执行进一步处理并且去除管芯之上的模塑料的剩余厚度。

公开(公告)号：CN107833837B

公开(公告)日：2019-12-03

申请号：CN201710618102.3

申请日：2017-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑锡圭 ,  张兢夫 ,  韩至刚 ,  黄信杰

IPC: H01L21/56 ,  H01L21/60 ,  H01L21/78 ,  H01L23/48 ,  H01L23/31

Abstract: 一种方法包括形成第一聚合物层以覆盖晶圆的金属焊盘，以及图案化第一聚合物层以形成第一开口。暴露于第一开口的第一聚合物层的第一侧壁具有第一倾斜角，其中第一侧壁与金属焊盘接触。该方法还包括在第一开口中形成金属柱，锯切晶圆以产生器件管芯，将器件管芯密封在密封材料中，实施平坦化以暴露金属柱，在密封材料和器件管芯上方形成第二聚合物层，以及图案化第二聚合物层以形成第二开口。通过第二开口暴露金属柱。暴露于第二开口的第二聚合物层的第二侧壁具有比第一倾斜角度更大的第二倾斜角。本发明实施例涉及具有反向轮廓的铜柱的信息结构。

公开(公告)号：CN110391191A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201810628042.8

申请日：2018-06-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 沈东翰 ,  陈承先 ,  刘国洲 ,  郑锡圭 ,  赖怡仁

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/498

Abstract: 本发明实施例提供一种叠层封装结构，包含：第一封装件、多个导电凸块、第二封装件以及底部填充胶。导电凸块设置在第一封装件的第二表面上且电连接到第一封装件。第二封装件通过导电凸块设置在第一封装件的第二表面上，且包含半导体器件以及包封半导体器件的包封材料。从包封材料的上部表面到半导体器件的上部表面的最短距离大于或大体上等于半导体器件的厚度的两倍。底部填充胶填充在第一封装件与第二封装件之间。

公开(公告)号：CN108122879A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710974099.9

申请日：2017-10-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑心圃 ,  方子睿 ,  郑锡圭 ,  韩至刚 ,  赖怡仁 ,  刘献文 ,  林仪柔

IPC: H01L23/498 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L23/485

Abstract: 本揭露实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一介电层，其具有第一表面；模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的第一表面；通路，其安置于所述模制化合物中；及第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。填充材料具有介于所述第二介电层与所述半导体裸片之间的厚度，且所述孔的直径与所述填充材料的所述厚度成反比。

公开(公告)号：CN104916579B

公开(公告)日：2018-04-20

申请号：CN201410443141.0

申请日：2014-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李立国 ,  刘宜臻 ,  刘永盛 ,  赖怡仁 ,  陈俊仁 ,  郑锡圭

IPC: H01L21/768 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L24/13 ,  H01L23/3192 ,  H01L24/03 ,  H01L24/05 ,  H01L24/11 ,  H01L2224/0345 ,  H01L2224/03912 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/05008 ,  H01L2224/05022 ,  H01L2224/05124 ,  H01L2224/05147 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05181 ,  H01L2224/05186 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/0558 ,  H01L2224/05655 ,  H01L2224/05666 ,  H01L2224/1145 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/11821 ,  H01L2224/11827 ,  H01L2224/11848 ,  H01L2224/11849 ,  H01L2224/119 ,  H01L2224/13006 ,  H01L2224/13007 ,  H01L2224/13082 ,  H01L2224/13083 ,  H01L2224/13111 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13565 ,  H01L2224/1357 ,  H01L2224/13693 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2224/1182 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01047

Abstract: 本发明提供了一种半导体器件结构和制造方法。该方法包括在半导体衬底上方形成导电柱。该方法还包括在导电柱上方形成焊料层。该方法还包括在焊料层上方形成水溶性助焊剂。此外，该方法包括使焊料层回流以在导电柱上方形成焊料凸块并在焊料层回流期间在导电柱的侧壁上方形成侧壁保护层。本发明还涉及半导体器件结构和制造方法。