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公开(公告)号：CN108122879B
公开(公告)日：2021-10-22
申请号：CN201710974099.9
申请日：2017-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本揭露实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一介电层，其具有第一表面；模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的第一表面；通路，其安置于所述模制化合物中；及第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。填充材料具有介于所述第二介电层与所述半导体裸片之间的厚度，且所述孔的直径与所述填充材料的所述厚度成反比。
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公开(公告)号：CN107833837B
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201710618102.3
申请日：2017-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括形成第一聚合物层以覆盖晶圆的金属焊盘，以及图案化第一聚合物层以形成第一开口。暴露于第一开口的第一聚合物层的第一侧壁具有第一倾斜角，其中第一侧壁与金属焊盘接触。该方法还包括在第一开口中形成金属柱，锯切晶圆以产生器件管芯，将器件管芯密封在密封材料中，实施平坦化以暴露金属柱，在密封材料和器件管芯上方形成第二聚合物层，以及图案化第二聚合物层以形成第二开口。通过第二开口暴露金属柱。暴露于第二开口的第二聚合物层的第二侧壁具有比第一倾斜角度更大的第二倾斜角。本发明实施例涉及具有反向轮廓的铜柱的信息结构。
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公开(公告)号：CN108122879A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710974099.9
申请日：2017-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/498 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L23/485
Abstract: 本揭露实施例涉及一种半导体装置，其包含：第一介电层，其具有第一表面；模制化合物，其安置于所述第一介电层的所述第一表面上；第二介电层，其具有安置于所述模制化合物上的第一表面；通路，其安置于所述模制化合物中；及第一导电凸块，其安置于所述通路上且由所述第二介电层包围；其中所述第一介电层及所述第二介电层由相同材料组成。填充材料具有介于所述第二介电层与所述半导体裸片之间的厚度，且所述孔的直径与所述填充材料的所述厚度成反比。
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公开(公告)号：CN102148211B
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201010213358.4
申请日：2010-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/6836 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/6834 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1357 , H01L2224/136 , H01L2224/16 , H01L2224/16237 , H01L2224/81001 , H01L2224/812 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H01L2924/3651 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层，且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时，凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。
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公开(公告)号：CN102148211A
公开(公告)日：2011-08-10
申请号：CN201010213358.4
申请日：2010-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
CPC classification number: H01L24/13 , H01L21/6836 , H01L24/11 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/0657 , H01L25/50 , H01L2221/6834 , H01L2224/1308 , H01L2224/13082 , H01L2224/13083 , H01L2224/13109 , H01L2224/13111 , H01L2224/13139 , H01L2224/13144 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2224/13164 , H01L2224/1357 , H01L2224/136 , H01L2224/16 , H01L2224/16237 , H01L2224/81001 , H01L2224/812 , H01L2224/81815 , H01L2224/97 , H01L2225/06513 , H01L2924/00013 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01012 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01025 , H01L2924/01029 , H01L2924/0103 , H01L2924/01032 , H01L2924/01033 , H01L2924/01038 , H01L2924/0104 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01049 , H01L2924/0105 , H01L2924/01051 , H01L2924/01073 , H01L2924/01074 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01322 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/14 , H01L2924/19041 , H01L2924/3011 , H01L2924/351 , H01L2924/3651 , H01L2224/81 , H01L2924/00014 , H01L2224/13099 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供一种半导体元件、半导体组件及半导体元件的形成方法，半导体元件包括一半导体基材；一焊盘区域，位于该半导体基材上；以及一凸块结构，位于该焊盘区域之上且电性连接该焊盘区域。凸块结构包括铜层与位于铜层上的无铅焊料层。无铅焊料层为锡银合金层，且于锡银合金层中的银含量小于1.6重量百分比。当无铅凸块中的银含量较低时，凸块硬度会随之降低。较软的凸块可以消除由于热应力所引起的裂缝问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107818962B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201710610887.X
申请日：2017-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。特别的，本发明实施例的一种半导体结构包含：衬底；裸片，其放置在所述衬底上方且包含裸片垫、放置在所述裸片垫上方的导电通路及环绕所述导电通路的介电材料；模塑物，其放置在所述衬底上方且环绕所述裸片；下部介电层，其较接近所述衬底而放置且放置在所述介电材料及所述模塑物上方；及上部介电层，其较远离所述衬底而放置且放置在所述下部介电层上方，其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层中的材料含量比率，且所述材料含量比率实质上反向影响所述上部介电层及所述下部介电层的机械强度。
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公开(公告)号：CN107833864B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710617523.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 实施例是一种结构，该结构包括：第一封装件，第一封装件包括第一管芯和至少横向包封第一管芯的模塑料；通过第一组导电连接件接合至第一封装件的第二封装件，第二封装件包括第二管芯和位于第一封装件和第二封装件之间并且围绕第一组导电连接件的底部填充物，底部填充物具有沿着第二封装件的侧壁向上延伸的第一部分，该第一部分具有第一侧壁，该第一侧壁具有弯曲部分和平坦部分。发明实施例涉及封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107833864A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710617523.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 实施例是一种结构，该结构包括：第一封装件，第一封装件包括第一管芯和至少横向包封第一管芯的模塑料；通过第一组导电连接件接合至第一封装件的第二封装件，第二封装件包括第二管芯和位于第一封装件和第二封装件之间并且围绕第一组导电连接件的底部填充物，底部填充物具有沿着第二封装件的侧壁向上延伸的第一部分，该第一部分具有第一侧壁，该第一侧壁具有弯曲部分和平坦部分。发明实施例涉及封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107833837A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710618102.3
申请日：2017-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括形成第一聚合物层以覆盖晶圆的金属焊盘，以及图案化第一聚合物层以形成第一开口。暴露于第一开口的第一聚合物层的第一侧壁具有第一倾斜角，其中第一侧壁与金属焊盘接触。该方法还包括在第一开口中形成金属柱，锯切晶圆以产生器件管芯，将器件管芯密封在密封材料中，实施平坦化以暴露金属柱，在密封材料和器件管芯上方形成第二聚合物层，以及图案化第二聚合物层以形成第二开口。通过第二开口暴露金属柱。暴露于第二开口的第二聚合物层的第二侧壁具有比第一倾斜角度更大的第二倾斜角。本发明实施例涉及具有反向轮廓的铜柱的信息结构。
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公开(公告)号：CN107818962A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710610887.X
申请日：2017-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。特别的，本发明实施例的一种半导体结构包含：衬底；裸片，其放置在所述衬底上方且包含裸片垫、放置在所述裸片垫上方的导电通路及环绕所述导电通路的介电材料；模塑物，其放置在所述衬底上方且环绕所述裸片；下部介电层，其较接近所述衬底而放置且放置在所述介电材料及所述模塑物上方；及上部介电层，其较远离所述衬底而放置且放置在所述下部介电层上方，其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层中的材料含量比率，且所述材料含量比率实质上反向影响所述上部介电层及所述下部介电层的机械强度。
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