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公开(公告)号：CN107346761B
公开(公告)日：2020-07-21
申请号：CN201710145183.X
申请日：2017-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/482
Abstract: 一种封装体的形成方法包括：形成覆盖芯片中的金属通孔的聚合物层；对所述芯片开槽，以形成沟槽，其中所述沟槽从所述聚合物层的顶表面延伸至所述芯片中；以及在所述芯片上执行晶粒切割，以将所述芯片分割为多个组件晶粒。切口穿过所述沟槽。将所述组件晶粒中的一者放置在载体上方。将包封材料施配在所述组件晶粒上方和周围。所述方法还包括按压和固化所述包封材料。在所述包封材料固化之后，所述聚合物层的侧壁倾斜。对所述包封材料执行平坦化至所述聚合物层和所述金属通孔暴露出来。将重分布线形成在所述金属通孔上方且电耦合至所述金属通孔。此外，还提出一种封装体。
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公开(公告)号：CN107346761A
公开(公告)日：2017-11-14
申请号：CN201710145183.X
申请日：2017-03-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/78 , H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/482
Abstract: 一种封装体的形成方法包括：形成覆盖芯片中的金属通孔的聚合物层；对所述芯片开槽，以形成沟槽，其中所述沟槽从所述聚合物层的顶表面延伸至所述芯片中；以及在所述芯片上执行晶粒切割，以将所述芯片分割为多个组件晶粒。切口穿过所述沟槽。将所述组件晶粒中的一者放置在载体上方。将包封材料施配在所述组件晶粒上方和周围。所述方法还包括按压和固化所述包封材料。在所述包封材料固化之后，所述聚合物层的侧壁倾斜。对所述包封材料执行平坦化至所述聚合物层和所述金属通孔暴露出来。将重分布线形成在所述金属通孔上方且电耦合至所述金属通孔。此外，还提出一种封装体。
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公开(公告)号：CN107887346A
公开(公告)日：2018-04-06
申请号：CN201611112499.0
申请日：2016-12-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/498
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/4853 , H01L21/4857 , H01L21/486 , H01L21/565 , H01L23/3114 , H01L23/49811 , H01L23/5383 , H01L23/5384 , H01L23/5386 , H01L24/19 , H01L24/20 , H01L24/27 , H01L24/32 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L24/94 , H01L24/97 , H01L25/105 , H01L25/50 , H01L2224/03002 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/27002 , H01L2224/27003 , H01L2224/32013 , H01L2224/32059 , H01L2224/32113 , H01L2224/32225 , H01L2224/73267 , H01L2224/83005 , H01L2224/83191 , H01L2224/83201 , H01L2224/92244 , H01L2224/94 , H01L2224/97 , H01L2225/1035 , H01L2225/1041 , H01L2225/1058 , H01L2924/1434 , H01L2924/15311 , H01L2924/35121 , H01L2924/37001 , H01L2224/214 , H01L2224/27 , H01L2224/83 , H01L23/3121 , H01L23/498 , H01L23/49838
Abstract: 提供一种集成扇出型封装件，所述集成扇出型封装件包括管芯贴合膜、集成电路组件、绝缘包封体及重布线路结构。所述集成电路组件配置于所述管芯贴合膜上且包括多个导电端子。所述管芯贴合膜包括升高的边缘，所述升高的边缘朝所述集成电路组件的侧壁凸起。所述绝缘包封体包覆所述升高的边缘及所述集成电路组件。所述重布线路结构配置于所述集成电路组件及所述绝缘包封体上，且所述重布线路结构电连接至所述集成电路组件的所述导电端子。还提供一种制作集成扇出型封装件的方法。
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公开(公告)号：CN107393894A
公开(公告)日：2017-11-24
申请号：CN201610630898.X
申请日：2016-08-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例提供一种整合扇出型封装，其整合扇出型封装，包括集成电路、绝缘包封体、多个导电通孔以及重布线路结构。集成电路包括多个导电端子。绝缘包封体包覆集成电路的侧壁。导电通孔贯穿绝缘包封体。重布线路结构被配置于集成电路、导电通孔以及绝缘包封体上。重布线路结构电连接导电端子以及导电通孔。导电端子的多个第一接触表面以及导电通孔的多个第二接触表面与重布线路结构接触，且第一接触表面以及第二接触表面的粗糙度介于100埃到500埃之间。本发明实施例的制造成本低，具有好的可靠度以及良率。
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公开(公告)号：CN107644859B
公开(公告)日：2022-11-11
申请号：CN201610891613.8
申请日：2016-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01Q1/22
Abstract: 一种整合扇出型封装，其包括集成电路、绝缘包封体以及重布线路结构。集成电路包括天线区域。绝缘包封体包覆集成电路。重布线路结构配置于集成电路与绝缘包封体上。重布线路结构与集成电路电性连接，并且重布线路结构包括覆盖集成电路的天线区域的无走线介电部分。无走线介电部分的设计能够让射频集成电路的整合扇出型封装具有良好的信号表现以及信赖性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN107644859A
公开(公告)日：2018-01-30
申请号：CN201610891613.8
申请日：2016-10-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/485 , H01L23/64 , H01L23/66 , H01Q1/22
CPC classification number: H01L23/5389 , H01L21/561 , H01L21/568 , H01L21/6835 , H01L23/3114 , H01L23/3128 , H01L23/49816 , H01L23/66 , H01L28/10 , H01L2221/68359 , H01L2223/6677 , H01L2224/04105 , H01L2224/12105 , H01L2224/18 , H01L2224/97
Abstract: 一种整合扇出型封装，其包括集成电路、绝缘包封体以及重布线路结构。集成电路包括天线区域。绝缘包封体包覆集成电路。重布线路结构配置于集成电路与绝缘包封体上。重布线路结构与集成电路电性连接，并且重布线路结构包括覆盖集成电路的天线区域的无走线介电部分。无走线介电部分的设计能够让射频集成电路的整合扇出型封装具有良好的信号表现以及信赖性。
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公开(公告)号：CN107818962B
公开(公告)日：2021-04-13
申请号：CN201710610887.X
申请日：2017-07-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/48 , H01L23/488 , H01L21/60
Abstract: 本发明实施例涉及半导体结构及其制造方法。特别的，本发明实施例的一种半导体结构包含：衬底；裸片，其放置在所述衬底上方且包含裸片垫、放置在所述裸片垫上方的导电通路及环绕所述导电通路的介电材料；模塑物，其放置在所述衬底上方且环绕所述裸片；下部介电层，其较接近所述衬底而放置且放置在所述介电材料及所述模塑物上方；及上部介电层，其较远离所述衬底而放置且放置在所述下部介电层上方，其中所述上部介电层中的材料含量比率实质上大于所述下部介电层中的材料含量比率，且所述材料含量比率实质上反向影响所述上部介电层及所述下部介电层的机械强度。
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公开(公告)号：CN107833864B
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201710617523.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 实施例是一种结构，该结构包括：第一封装件，第一封装件包括第一管芯和至少横向包封第一管芯的模塑料；通过第一组导电连接件接合至第一封装件的第二封装件，第二封装件包括第二管芯和位于第一封装件和第二封装件之间并且围绕第一组导电连接件的底部填充物，底部填充物具有沿着第二封装件的侧壁向上延伸的第一部分，该第一部分具有第一侧壁，该第一侧壁具有弯曲部分和平坦部分。发明实施例涉及封装结构及其形成方法。
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公开(公告)号：CN107895718A
公开(公告)日：2018-04-10
申请号：CN201710432906.4
申请日：2017-06-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供一种封装结构，包括成型化合物。封装结构亦包括具有芯片边缘的集成电路芯片位于成型化合物中。封装结构亦包括集成电路芯片与成型化合物下的钝化层。此外，封装结构包括钝化层中的再布线层。封装结构亦包括经由再布线层电性连接至集成电路芯片的第一凸块。第一凸块位于芯片边缘之内且沿着芯片边缘配置。封装结构亦包括经由再布线层电性连接至集成电路芯片的第二凸块。第二凸块位于芯片边缘之外且沿着芯片边缘配置。第一凸块与第二凸块相邻。第一凸块与芯片边缘分隔，且第二凸块与芯片边缘分隔。
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公开(公告)号：CN107833864A
公开(公告)日：2018-03-23
申请号：CN201710617523.4
申请日：2017-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 实施例是一种结构，该结构包括：第一封装件，第一封装件包括第一管芯和至少横向包封第一管芯的模塑料；通过第一组导电连接件接合至第一封装件的第二封装件，第二封装件包括第二管芯和位于第一封装件和第二封装件之间并且围绕第一组导电连接件的底部填充物，底部填充物具有沿着第二封装件的侧壁向上延伸的第一部分，该第一部分具有第一侧壁，该第一侧壁具有弯曲部分和平坦部分。发明实施例涉及封装结构及其形成方法。
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