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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115799087A
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202310026404.7
申请日：2018-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/56 , H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。
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公开(公告)号：CN110310929A
公开(公告)日：2019-10-08
申请号：CN201811608334.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。
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公开(公告)号：CN109309013B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201810836178.8
申请日：2018-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括在载体上方形成释放膜，在释放膜上方形成聚合物缓冲层，在聚合物缓冲层上形成金属柱，将金属柱密封在密封材料中，对密封材料实施平坦化以暴露金属柱，在密封材料和金属柱上方形成再分布结构，以及分解释放膜的第一部分。分解后留下释放膜的第二部分。在聚合物缓冲层中形成开口以暴露金属柱。本发明的实施例还提供了LTHC在形成封装件中作为电荷阻挡层、封装件及其形成方法。
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公开(公告)号：CN110310929B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN201811608334.1
申请日：2018-12-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/31 , H01L23/535
Abstract: 一种封装包括管芯、多个第一导电结构、多个第二导电结构、包封体及重布线结构。所述管芯具有有源表面及与所述有源表面相对的后表面。所述第一导电结构及所述第二导电结构环绕所述管芯。所述第一导电结构包括圆形柱且所述第二导电结构包括椭圆形柱或圆台。所述包封体包封所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。所述重布线结构位于所述管芯的所述有源表面及所述包封体上。所述重布线结构电连接到所述管芯、所述第一导电结构及所述第二导电结构。
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公开(公告)号：CN109309013A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810836178.8
申请日：2018-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法包括在载体上方形成释放膜，在释放膜上方形成聚合物缓冲层，在聚合物缓冲层上形成金属柱，将金属柱密封在密封材料中，对密封材料实施平坦化以暴露金属柱，在密封材料和金属柱上方形成再分布结构，以及分解释放膜的第一部分。分解后留下释放膜的第二部分。在聚合物缓冲层中形成开口以暴露金属柱。本发明的实施例还提供了LTHC在形成封装件中作为电荷阻挡层、封装件及其形成方法。
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