公开(公告)号：CN109962047A

公开(公告)日：2019-07-02

申请号：CN201811518818.7

申请日：2018-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈正泓 ,  徐玉女 ,  刘俊成 ,  黄恒赍 ,  李建成 ,  陈世晏 ,  谢政男 ,  刘国洲 ,  陈承先 ,  古进誉 ,  庞德勋 ,  吴元冯 ,  江森淇

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请的实施例提供一种封装结构。封装结构包括第一凸块结构形成于基板之上，焊料接合点形成于第一凸块结构之上，以及第二凸块结构形成于焊料接合点之上。第一凸块结构包括第一柱状层形成于基板之上，以及第一阻障层形成于第一柱状层之上。第一阻障层具有第一突出部分，第一突出部分延伸远离第一柱状层的侧壁表面，且第一柱状层的侧壁与第一阻障层的侧壁之间具有一距离。第二凸块结构包括第二阻障层形成于焊料接合点之上，以及第二柱状层形成于第二阻障层之上，其中第二阻障层具有第二突出部分，第二突出部分延伸远离第二柱状层的侧壁表面。

公开(公告)号：CN109962047B

公开(公告)日：2023-11-14

申请号：CN201811518818.7

申请日：2018-12-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈正泓 ,  徐玉女 ,  刘俊成 ,  黄恒赍 ,  李建成 ,  陈世晏 ,  谢政男 ,  刘国洲 ,  陈承先 ,  古进誉 ,  庞德勋 ,  吴元冯 ,  江森淇

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

Abstract: 本申请的实施例提供一种封装结构。封装结构包括第一凸块结构形成于基板之上，焊料接合点形成于第一凸块结构之上，以及第二凸块结构形成于焊料接合点之上。第一凸块结构包括第一柱状层形成于基板之上，以及第一阻障层形成于第一柱状层之上。第一阻障层具有第一突出部分，第一突出部分延伸远离第一柱状层的侧壁表面，且第一柱状层的侧壁与第一阻障层的侧壁之间具有一距离。第二凸块结构包括第二阻障层形成于焊料接合点之上，以及第二柱状层形成于第二阻障层之上，其中第二阻障层具有第二突出部分，第二突出部分延伸远离第二柱状层的侧壁表面。