公开(公告)号：CN107017169B

公开(公告)日：2020-01-10

申请号：CN201611001301.1

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施孟甫 ,  罗俊彦 ,  黄震麟 ,  陈文明 ,  黄建铭 ,  刘原甫 ,  郑咏全 ,  黄威志 ,  刘承勋 ,  詹前彬 ,  徐玉女 ,  林奇鸿 ,  庞德勋 ,  古进誉

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 讨论了外部电连接件和形成这种外部电连接件的方法，一种方法包括在衬底上形成外部电连接结构。形成外部电连接结构包括在第一溶液中的衬底处产生的第一搅拌等级的情况下在衬底上电镀柱。该方法还包括在第二溶液中的衬底处产生的第二搅拌等级的情况下，在外部电连接结构上电镀焊料。在衬底处产生的第二搅拌等级大于在衬底处产生的第一搅拌等级。电镀焊料还包括在外部电连接结构的侧壁上形成外壳。本发明还提供了半导体器件及形成方法。

公开(公告)号：CN108735616A

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201711219754.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施孟甫 ,  黄震麟 ,  李建成 ,  朱则荣 ,  陈文明 ,  刘国洲

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含提供半导体结构，半导体结构具有中央部分和围绕中央部分的周边部分。此方法包含在半导体结构的表面上方形成多个第一导电凸块和多个虚设导电凸块，第一导电凸块在中央部分上方并电性连接至半导体结构，虚设导电凸块在周边部分上方并与半导体结构电性绝缘，第一导电凸块的每一个具有第一厚度和第一宽度，虚设导电凸块的每一个具有第二厚度和第二宽度，第二厚度小于第一厚度，且第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：CN108735616B

公开(公告)日：2020-03-06

申请号：CN201711219754.6

申请日：2017-11-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施孟甫 ,  黄震麟 ,  李建成 ,  朱则荣 ,  陈文明 ,  刘国洲

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/488

Abstract: 提供半导体装置结构的形成方法，此方法包含提供半导体结构，半导体结构具有中央部分和围绕中央部分的周边部分。此方法包含在半导体结构的表面上方形成多个第一导电凸块和多个虚设导电凸块，第一导电凸块在中央部分上方并电性连接至半导体结构，虚设导电凸块在周边部分上方并与半导体结构电性绝缘，第一导电凸块的每一个具有第一厚度和第一宽度，虚设导电凸块的每一个具有第二厚度和第二宽度，第二厚度小于第一厚度，且第二宽度大于第一宽度。

公开(公告)号：CN107017169A

公开(公告)日：2017-08-04

申请号：CN201611001301.1

申请日：2016-11-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施孟甫 ,  罗俊彦 ,  黄震麟 ,  陈文明 ,  黄建铭 ,  刘原甫 ,  郑咏全 ,  黄威志 ,  刘承勋 ,  詹前彬 ,  徐玉女 ,  林奇鸿 ,  庞德勋 ,  古进誉

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 讨论了外部电连接件和形成这种外部电连接件的方法，一种方法包括在衬底上形成外部电连接结构。形成外部电连接结构包括在第一溶液中的衬底处产生的第一搅拌等级的情况下在衬底上电镀柱。该方法还包括在第二溶液中的衬底处产生的第二搅拌等级的情况下，在外部电连接结构上电镀焊料。在衬底处产生的第二搅拌等级大于在衬底处产生的第一搅拌等级。电镀焊料还包括在外部电连接结构的侧壁上形成外壳。本发明还提供了半导体器件及形成方法。