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公开(公告)号：CN108117038A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201711148122.5
申请日：2017-11-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/0041 , B81B2201/0264 , B81B2207/012 , B81B2207/097 , B81C1/00293 , B81C2203/0145 , B81C2203/036 , B81C2203/0735 , B81C2203/0771 , G01L9/0048 , G01L9/0072 , G01L9/008 , B81B7/0032 , B81B7/0035 , B81B7/02 , B81C1/00261 , B81C1/00277
摘要： 本发明实施例提供了高密封良率的多层密封膜。在一些实施例中，衬底包括从衬底的上侧穿过衬底延伸至衬底的下侧的通气口。衬底的上侧具有第一压力，并且衬底的下侧具有与第一压力不同的第二压力。多层密封膜覆盖并且密封通气口以防止第一压力通过通气口与第二压力平衡。此外，多层密封膜包括金属层对和夹在金属层之间的阻挡层。还提供了包括多层密封膜的微电子机械系统(MEMS)封装件和用于制造多层密封膜的方法。
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公开(公告)号：CN109427521A
公开(公告)日：2019-03-05
申请号：CN201711224239.7
申请日：2017-11-29
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01J37/08
CPC分类号： H01J37/08 , C01F17/00 , H01J37/3171 , H01J2237/061 , H01J2237/082
摘要： 本发明提供一种用于离子布植机的离子产生器。用于离子布植机的离子产生器包含一离子源电弧室及一热电子发射器，离子源电弧室包含一电弧室壳体，热电子发射器耦接至电弧室壳体。此外，热电子发射器包含一丝极以及一阴极，且阴极具有由功函数改质的导电材料所形成的一实心顶部，上述功函数改质的导电材料包含钨以及一功函数改质金属。
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公开(公告)号：CN109461693B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710795387.8
申请日：2017-09-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677
摘要： 本发明实施例提供一种晶片传送装置，晶片传送装置包括机械臂以及托架。机械臂用于传送晶片。托架安装在所述机械臂上并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角，且所述托架的最大厚度与所述定位凹槽的深度的比率介於4.85至5.17之间。
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公开(公告)号：CN109623630A
公开(公告)日：2019-04-16
申请号：CN201811122514.9
申请日：2018-09-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： B24B37/30 , H01L21/768
CPC分类号： B24B37/32 , B24B37/015 , B24B37/20 , H01L21/3212 , B24B37/30 , H01L21/7684
摘要： 在一些实施例中，本发明在一些实施例中涉及形成CMP膜的方法。该方法通过在膜模具内的腔内提供可延展材料来实施。该腔具有中心区域和围绕中心区域的外围区域。固化腔内的可延展材料以形成膜。通过将膜模具的中心区域内的可延展材料加热至第一温度并且将膜模具的外围区域内的可延展材料加热至大于第一温度的第二温度来实施固化可延展材料。本发明的实施例还涉及化学机械平坦化膜。
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公开(公告)号：CN109461693A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710795387.8
申请日：2017-09-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677
摘要： 本发明实施例提供一种晶片传送装置，晶片传送装置包括机械臂以及托架。机械臂用于传送晶片。托架安装在所述机械臂上并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角，且所述托架的最大厚度与所述定位凹槽的深度的比率介於4.85至5.17之间。
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公开(公告)号：CN108217580A
公开(公告)日：2018-06-29
申请号：CN201711329337.7
申请日：2017-12-13
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC分类号： B81B7/007 , B81B7/0077 , B81B7/02 , B81C1/00238 , B81C1/00269 , B81C3/005 , B81C3/008 , B81C2203/019 , B81C2203/054 , B81C2203/0735 , B81C2203/075 , B81C3/001 , B81B7/0006
摘要： 一种封装的形成方法包括：提供上面形成有多个第一半导体装置的第一衬底；提供上面形成有多个第二半导体装置的第二衬底；以及通过使所述第一衬底及所述第二衬底各自的虚拟垫接触来将所述第一衬底与所述第二衬底耦合，其中所述第一衬底的所述虚拟垫及所述第二衬底的所述虚拟垫中的至少一者包括多个峰与谷。
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公开(公告)号：CN109623630B
公开(公告)日：2022-01-04
申请号：CN201811122514.9
申请日：2018-09-26
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： B24B37/30 , H01L21/768
摘要： 在一些实施例中，本发明在一些实施例中涉及形成CMP膜的方法。该方法通过在膜模具内的腔内提供可延展材料来实施。该腔具有中心区域和围绕中心区域的外围区域。固化腔内的可延展材料以形成膜。通过将膜模具的中心区域内的可延展材料加热至第一温度并且将膜模具的外围区域内的可延展材料加热至大于第一温度的第二温度来实施固化可延展材料。本发明的实施例涉及化学机械平坦化工具和形成化学机械平坦化膜的方法。
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公开(公告)号：CN108117038B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201711148122.5
申请日：2017-11-17
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
摘要： 本发明实施例提供了高密封良率的多层密封膜。在一些实施例中，衬底包括从衬底的上侧穿过衬底延伸至衬底的下侧的通气口。衬底的上侧具有第一压力，并且衬底的下侧具有与第一压力不同的第二压力。多层密封膜覆盖并且密封通气口以防止第一压力通过通气口与第二压力平衡。此外，多层密封膜包括金属层对和夹在金属层之间的阻挡层。还提供了包括多层密封膜的微电子机械系统(MEMS)封装件和用于制造多层密封膜的方法。
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公开(公告)号：CN106995204A
公开(公告)日：2017-08-01
申请号：CN201610970705.5
申请日：2016-11-04
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： B81B7/02
CPC分类号： B81B3/0005 , B81B3/001 , B81B2203/04 , B81B2207/012 , B81B2207/07 , B81C1/00984 , B81C2201/0132 , B81C2203/037 , B81C2203/0785 , B81B7/02 , B81C2203/01 , B81C2203/0172 , B81C2203/0707
摘要： 本发明实施例涉及具有粗糙金属抗静摩擦层以改善静摩擦特性的MEMS封装和相关联形成方法。在一些实施例中，所述MEMS封装包括接合到CMOS IC的MEMS IC。所述CMOS IC具有CMOS衬底及安置在所述CMOS衬底上方的互连结构。所述互连结构包括安置在多个介电层内的多个金属层。所述MEMS IC接合到所述互连结构的上表面并与所述CMOS IC合作而围封所述MEMS IC与所述CMOS IC之间的空腔。所述MEMS IC具有布置在所述空腔中的可移动块状物。所述MEMS封装进一步包括抗静摩擦层，其安置于所述互连结构的所述上表面之上、在所述可移动块状物之下。所述抗静摩擦层由金属制成并具有粗糙顶表面。
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公开(公告)号：CN102953038A
公开(公告)日：2013-03-06
申请号：CN201210293401.1
申请日：2012-08-16
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： C23C14/35
CPC分类号： C23C14/35 , C23C14/3407 , H01J37/3405 , H01J37/3423 , H01J37/3482
摘要： 本发明公开了一种溅射靶，该溅射靶包括平坦垫板和形成在该平坦垫板上方的靶材料，并且包括具有较厚部分和较薄部分的不平坦溅射表面，并且与诸如具有固定磁体装置的磁控溅射工具的溅射装置结合在一起进行配置。将不平坦表面为与由磁体装置生成的磁场结合在一起进行设计，以将较厚溅射靶部分设置在溅射靶侵蚀发生速度高的位置。还提供了一种磁控溅射系统，以及一种方法，该方法用于应用具有不平坦溅射表面的溅射靶的方法，使得使用靶的过程中将溅射靶上的厚度变得更加均匀。本发明还提供了一种具有逆向侵蚀轮廓表面的溅射靶、溅射系统、及其使用方法。
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