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公开(公告)号：CN109461693B
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN201710795387.8
申请日：2017-09-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677
摘要： 本发明实施例提供一种晶片传送装置，晶片传送装置包括机械臂以及托架。机械臂用于传送晶片。托架安装在所述机械臂上并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角，且所述托架的最大厚度与所述定位凹槽的深度的比率介於4.85至5.17之间。
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公开(公告)号：CN106168739B
公开(公告)日：2020-04-24
申请号：CN201510859346.1
申请日：2015-11-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/311
摘要： 本发明涉及图案化光致抗蚀剂的去除。具体的，本发明提供一种用于执行光刻工艺的方法。所述方法在光致抗蚀剂已被用作为蚀刻掩模后，促进光致抗蚀剂从晶片的去除。所述光致抗蚀剂可以是负色调光致抗蚀剂，其经历曝露于电磁能的交联过程。通过降低的曝光后烘烤温度和/或减少交联剂加载来限制所述交联，所述光致抗蚀剂或者至少其一部分可具有减小的溶剂式剥除阻力。由于所述减小的溶剂式剥除阻力，所述光致抗蚀剂的一部分可使用溶剂式剥除加以去除。在所述溶剂式剥除之后，可执行干蚀刻以去除所述光致抗蚀剂的剩余部分。
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公开(公告)号：CN110941149A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910895121.X
申请日：2019-09-20
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20
摘要： 本公开提供一种电子束微影系统及电子束微影方法以增加生产量，特别涉及用于电子束微影及增加生产量的方法。由电子束微影系统实现的增加生产量的范例性方法，包括接收包含目标图案的集成电路(IC)设计布局，其中子束微影系统执行第一曝光剂量，以基于集成电路设计布局在工作件上形成目标图案。上述方法还包括插入虚拟图案至集成电路设计布局中，以将集成电路设计布局的图案密度增加到大于或等于临界图案密度，进而产生修改后集成电路设计布局。电子束微影系统执行第二曝光剂量，以基于修改后集成电路设计布局在工作件上形成目标图案，其中第二曝光剂量小于第一曝光剂量。
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公开(公告)号：CN109461693A
公开(公告)日：2019-03-12
申请号：CN201710795387.8
申请日：2017-09-06
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/687 , H01L21/677
摘要： 本发明实施例提供一种晶片传送装置，晶片传送装置包括机械臂以及托架。机械臂用于传送晶片。托架安装在所述机械臂上并包括定位凹槽，所述定位凹槽用以夹持所述晶片的部分并将所述晶片定位于所述托架上，所述定位凹槽在所述托架的边缘处具有圆弧导角，且所述托架的最大厚度与所述定位凹槽的深度的比率介於4.85至5.17之间。
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公开(公告)号：CN106019849B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201510755863.4
申请日：2015-11-09
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/20 , H01L21/033
CPC分类号： H01L21/3081 , G03F7/0751 , G03F7/0752 , G03F7/091 , G03F7/094 , H01L21/02126 , H01L21/0271 , H01L21/0274 , H01L21/0276 , H01L21/0332 , H01L21/266 , H01L21/3086 , H01L21/31111 , H01L21/31133 , H01L21/31138 , H01L21/32 , H01L21/67075
摘要： 根据一些实施例提供了一种光刻方法。光刻方法包括在衬底上形成聚合材料的下层；在下层上形成含硅中间层，其中含硅中间层具有重量百分比小于20％的硅浓度并且是可湿剥离的；在含硅中间层上形成图案化的光敏层；实施第一蚀刻工艺以将图案化的光敏层的图案转印至含硅中间层；实施第二蚀刻工艺以将图案转印至下层；以及对含硅中间层和下层实施湿剥离工艺。
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公开(公告)号：CN112309837A
公开(公告)日：2021-02-02
申请号：CN202010758388.7
申请日：2020-07-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 陈建志
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 本公开涉及具有增强粘附性的半导体结构的图案化工艺方法。一种光刻方法包括：在衬底上形成底部抗反射涂覆(BARC)层，其中，BARC层包括有机聚合物和反应性化学基团，该反应性化学基团具有螯合配体和封端单体中的至少一项，其中，该反应性化学基团键合至有机聚合物；在BARC层上涂覆含金属光致抗蚀剂(MePR)层，其中，MePR层对极紫外(EUV)辐射是敏感的；对MePR层和BARC层执行第一烘烤工艺，从而使MePR层的金属化学结构与BARC层的反应性化学结构反应，并在MePR层和BARC层之间形成界面层；使用EUV辐射对MePR层执行曝光工艺；以及显影MePR层以形成经图案化的光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：CN106168739A
公开(公告)日：2016-11-30
申请号：CN201510859346.1
申请日：2015-11-30
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： G03F7/42 , H01L21/311
摘要： 本发明涉及图案化光致抗蚀剂的去除。具体的，本发明提供一种用于执行光刻工艺的方法。所述方法在光致抗蚀剂已被用作为蚀刻掩模后，促进光致抗蚀剂从晶片的去除。所述光致抗蚀剂可以是负色调光致抗蚀剂，其经历曝露于电磁能的交联过程。通过降低的曝光后烘烤温度和/或减少交联剂加载来限制所述交联，所述光致抗蚀剂或者至少其一部分可具有减小的溶剂式剥除阻力。由于所述减小的溶剂式剥除阻力，所述光致抗蚀剂的一部分可使用溶剂式剥除加以去除。在所述溶剂式剥除之后，可执行干蚀刻以去除所述光致抗蚀剂的剩余部分。
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公开(公告)号：CN112309837B
公开(公告)日：2024-04-19
申请号：CN202010758388.7
申请日：2020-07-31
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 陈建志
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 本公开涉及具有增强粘附性的半导体结构的图案化工艺方法。一种光刻方法包括：在衬底上形成底部抗反射涂覆(BARC)层，其中，BARC层包括有机聚合物和反应性化学基团，该反应性化学基团具有螯合配体和封端单体中的至少一项，其中，该反应性化学基团键合至有机聚合物；在BARC层上涂覆含金属光致抗蚀剂(MePR)层，其中，MePR层对极紫外(EUV)辐射是敏感的；对MePR层和BARC层执行第一烘烤工艺，从而使MePR层的金属化学结构与BARC层的反应性化学结构反应，并在MePR层和BARC层之间形成界面层；使用EUV辐射对MePR层执行曝光工艺；以及显影MePR层以形成经图案化的光致抗蚀剂层。
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公开(公告)号：CN109841502A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811251209.X
申请日：2018-10-25
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号： H01L21/027
摘要： 本发明实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括形成一底层(underlying)结构；形成一表面接枝层于底层结构上；以及形成一光刻胶层于表面接枝层上。其中，表面接枝层包括一涂布材料，包括：一主链聚合物；一表面接枝单元，与主链聚合物的一端耦合；以及一黏着单元，不同于表面接枝单元且耦合至主链聚合物作为一侧链。
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公开(公告)号：CN113363141A
公开(公告)日：2021-09-07
申请号：CN202110618810.3
申请日：2021-06-03
申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
发明人： 陈建志
IPC分类号： H01L21/027 , G03F7/004
摘要： 一种光阻组成物与制造半导体装置的方法，制造半导体装置的方法包含在基板上形成光阻层。光阻层包含光阻组成物，光阻组成物包含聚合物。聚合物包含具有侧链敏化剂基团与交联基团的单体单元与具有侧链酸不稳定基团的单体单元。选择性地在光化辐射下曝光光阻层，且显影经选择性曝光的光阻层。
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