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公开(公告)号：CN109960104B
公开(公告)日：2023-01-17
申请号：CN201810457279.4
申请日：2018-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。第二区域的限定包括在第二区域中形成基本非反射材料。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。
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公开(公告)号：CN114993991A
公开(公告)日：2022-09-02
申请号：CN202110851395.6
申请日：2021-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01N21/45
Abstract: 一种遮罩特征分析的方法及设备，遮罩特征分析的方法包含量测用于微影的反射或透射遮罩的干涉信号、以及基于干涉信号确定反射或透射遮罩的品质指标。一种遮罩特征分析的设备包含光源、光学光栅及光学侦测器阵列。光源经配置以用光照射反射或透射遮罩，由此产生遮罩反射或遮罩透射光。光学光栅经配置以将遮罩反射或遮罩透射光转换为干涉图案。光学侦测器阵列经配置以通过量测干涉图案来产生干涉信号。
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公开(公告)号：CN109581806B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201810141775.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种从光掩模移除护膜的方法包括从护膜框架移除膜片的一部分，其中在所述移除所述膜片的所述部分之后，所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。所述方法进一步包括对所述光掩模进行清洁。
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公开(公告)号：CN109782533A
公开(公告)日：2019-05-21
申请号：CN201811258198.8
申请日：2018-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 在一种制造光刻用掩模的方法中，获取电路图案数据；根据电路图案数据计算图案密度，其中图案密度是每预定区域的总图案区域；为图案密度低于临界密度的区域产生虚拟图案数据；根据电路图案数据及虚拟图案数据产生掩模绘图数据；根据掩模绘图数据，以电子束光刻设备的电子束于掩模坯料基板上所形成的光刻胶层上绘制图案；以及以显影液显影经绘图的光刻胶层，当光刻胶层以电子束曝光且经过显影，虚拟图案数据内所包含的多个虚拟图案并不会转印为掩模图案。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN115061335A
公开(公告)日：2022-09-16
申请号：CN202110848860.0
申请日：2021-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于半导体微影制程的光罩及其制造方法、微影方法以及光罩制程，用于半导体微影制程的光罩包括基板、设置在基板上的光罩图案及围绕光罩图案的光吸收边界。光吸收边界自基板的至少两个边缘插入以界定光吸收边界之外的周围区域。在一些设计中，第一周围区域自光吸收边界的外周延伸至基板的第一边缘，并且第二周围区域自光吸收边界的外周延伸至基板的第二边缘，其中基板的第一边缘与基板的第二边缘位于光罩图案的相对侧。
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公开(公告)号：CN110941149B
公开(公告)日：2022-03-15
申请号：CN201910895121.X
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种电子束微影系统及电子束微影方法以增加生产量，特别涉及用于电子束微影及增加生产量的方法。由电子束微影系统实现的增加生产量的范例性方法，包括接收包含目标图案的集成电路(IC)设计布局，其中子束微影系统执行第一曝光剂量，以基于集成电路设计布局在工作件上形成目标图案。上述方法还包括插入虚拟图案至集成电路设计布局中，以将集成电路设计布局的图案密度增加到大于或等于临界图案密度，进而产生修改后集成电路设计布局。电子束微影系统执行第二曝光剂量，以基于修改后集成电路设计布局在工作件上形成目标图案，其中第二曝光剂量小于第一曝光剂量。
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公开(公告)号：CN117348330A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202310558044.5
申请日：2023-05-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/32
Abstract: 本申请公开了制造光掩模的方法。在一种制造衰减相移掩模的方法中，在掩模基板之上形成光致抗蚀剂图案。该掩模基板包括透明衬底、透明衬底上的蚀刻停止层、蚀刻停止层上的相移材料层、相移材料层上的硬掩模层、以及硬掩模层上的中间层。通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化中间层，通过使用经图案化的中间层作为蚀刻掩模来图案化硬掩模层，以及通过使用经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模来图案化相移材料层。中间层包括过渡金属、过渡金属合金或含硅材料中的至少一种，并且硬掩模层由与中间层不同的材料制成。
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公开(公告)号：CN110941149A
公开(公告)日：2020-03-31
申请号：CN201910895121.X
申请日：2019-09-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
Abstract: 本公开提供一种电子束微影系统及电子束微影方法以增加生产量，特别涉及用于电子束微影及增加生产量的方法。由电子束微影系统实现的增加生产量的范例性方法，包括接收包含目标图案的集成电路(IC)设计布局，其中子束微影系统执行第一曝光剂量，以基于集成电路设计布局在工作件上形成目标图案。上述方法还包括插入虚拟图案至集成电路设计布局中，以将集成电路设计布局的图案密度增加到大于或等于临界图案密度，进而产生修改后集成电路设计布局。电子束微影系统执行第二曝光剂量，以基于修改后集成电路设计布局在工作件上形成目标图案，其中第二曝光剂量小于第一曝光剂量。
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公开(公告)号：CN109960104A
公开(公告)日：2019-07-02
申请号：CN201810457279.4
申请日：2018-05-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 光刻掩模包括衬底、设置在衬底的第一侧上方的反射结构和设置在反射结构上方的图案化的吸收层。光刻掩模包括第一区域和在俯视图中围绕第一区域的第二区域。图案化的吸收层位于第一区域中。基本非反射材料位于第二区域中。通过以下方法形成光刻掩模：在衬底上方形成反射结构，在反射结构上方形成吸收层，限定光刻掩模的第一区域，以及限定光刻掩模的第二区域。第一区域的限定包括图案化吸收层。第二区域限定为在俯视图中围绕第一区域。第二区域的限定包括在第二区域中形成基本非反射材料。本发明的实施例还涉及具有黑色边界区域的光刻掩模及其制造方法。
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