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公开(公告)号：CN102385649A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110044064.8
申请日：2011-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/84 , G06T7/001 , G06T2207/30148
Abstract: 本发明提供一种检测光学微影光罩的方法及系统与装置，其中接收到一设计数据库，并通过一偏向因子(Bias Factor)来调整此设计数据库的一图形，以产生被偏置的数据库(Biased Database)。对此被偏置的数据库进行影像显示(Image Rendering)，以产生被偏置的影像。亦使用此设计数据库来产生一光罩，而此光罩被造影产生一光罩影像。比较被偏置的影像与光罩影像，而可基于此比较来决定此偏向因子的一新数值。
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公开(公告)号：CN109581806B
公开(公告)日：2022-01-07
申请号：CN201810141775.9
申请日：2018-02-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种从光掩模移除护膜的方法包括从护膜框架移除膜片的一部分，其中在所述移除所述膜片的所述部分之后，所述护膜框架保持附着到所述光掩模。所述方法进一步包括从所述光掩模移除所述护膜框架。所述方法进一步包括对所述光掩模进行清洁。
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公开(公告)号：CN108121169A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710441632.5
申请日：2017-06-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例阐述一种在不使用光刻方法的情况下在远紫外线空白掩模的顶部层上或顶部层中形成对准标记的方法。举例来说，所述方法可包括通过以下方式在远紫外线空白掩模的顶部层上形成金属结构：在远紫外线掩模的顶部层上分配六羰基铬蒸气，并将六羰基铬蒸气暴露至电子束。使六羰基铬蒸气分解以在靠近六羰基铬蒸气与电子束相互作用之处的区域处形成金属结构。在另一实例中，所述方法可包括使用蚀刻器开孔及蚀刻工艺在远紫外线空白掩模的顶部层中形成图案化结构。
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公开(公告)号：CN107797378A
公开(公告)日：2018-03-13
申请号：CN201710130750.4
申请日：2017-03-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/62
CPC classification number: G03F1/62
Abstract: 一种石墨烯层的形成方法包括：在第一衬底之上沉积第一材料层；以及在所述第一材料层之上沉积石墨烯层。所述方法还包括：在所述石墨烯层之上沉积非晶硅层；以及将所述非晶硅层结合至第二衬底，从而形成组件。所述方法还包括：使所述组件退火，从而将所述非晶硅层转变成氧化硅层。所述石墨烯层的形成方法还包括：自所述组件移除所述第一衬底；以及自所述组件移除所述第一材料层，从而暴露出所述石墨烯层。
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公开(公告)号：CN102385649B
公开(公告)日：2014-05-21
申请号：CN201110044064.8
申请日：2011-02-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F1/84 , G06T7/001 , G06T2207/30148
Abstract: 本发明提供一种检测光学微影光罩的方法及系统与装置，其中接收到一设计数据库，并通过一偏向因子(Bias？Factor)来调整此设计数据库的一图形，以产生被偏置的数据库(Biased？Database)。对此被偏置的数据库进行影像显示(Image？Rendering)，以产生被偏置的影像。亦使用此设计数据库来产生一光罩，而此光罩被造影产生一光罩影像。比较被偏置的影像与光罩影像，而可基于此比较来决定此偏向因子的一新数值。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102637614B
公开(公告)日：2015-01-21
申请号：CN201110234991.6
申请日：2011-08-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G01N21/8806 , G01N21/55 , G01N21/59 , G01N21/9501 , G01N21/956 , G01N2021/558 , G01N2021/8809 , H01L22/12 , H01L22/20 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 一种消除错误缺陷检测方法与系统，该方法用以检查一制造产品，包括一第一测试单元将一第一测试制范应用在制造产品中，用以鉴别产品缺陷，其中第一测试制范产生缺陷候选者的一第一集合；一第二测试单元将一第二测试制范应用在制造产品中，用以鉴别产品缺陷，其中第二测试制范产生缺陷候选者的一第二集合，并且第二测试制范不同于第一测试制范；以及一错误缺陷检测单元借由消除缺陷候选者的第一集合中未被缺陷候选者的第二集合鉴别为缺陷的部分，以便产生一第一已过滤缺陷集合。本发明适用于现有的测试方法和测试硬件，使得增加生产力而不用在增加大量的资出来具以实现。
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公开(公告)号：CN110389500B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201811258664.2
申请日：2018-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法，包括：接收一工件，其包括具有一低热膨胀系数材料的一基底、在上述基底的上方的一多层反射层、在上述多层反射层的上方的一盖层与在上述盖层的上方的一吸收剂层。上述方法还包括：图形化上述吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；以及图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于上述晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模。上述方法还包括：使用不同化学元素对上述极紫外线光刻掩模进行表面改质处理，避免上述吸收剂层的曝露表面受到氧化。
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公开(公告)号：CN110389500A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201811258664.2
申请日：2018-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法，包括：接收一工件，其包括具有一低热膨胀系数材料的一基底、在上述基底的上方的一多层反射层、在上述多层反射层的上方的一盖层与在上述盖层的上方的一吸收剂层。上述方法还包括：图形化上述吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；以及图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于上述晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模。上述方法还包括：使用不同化学元素对上述极紫外线光刻掩模进行表面改质处理，避免上述吸收剂层的曝露表面受到氧化。
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公开(公告)号：CN102736399B
公开(公告)日：2014-12-17
申请号：CN201110349360.9
申请日：2011-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种形成标准光掩模的方法及装置与使用检测系统，该方法方法用于一检测系统，包括：在一反应室内提供一基板；在反应室内提供一四乙基正硅酸盐(TEOS)先驱物；以及使TEOS先驱物与一电子束反应以在基板的一或多个可控位置形成可控大小的多个氧化硅微粒，氧化硅微粒可作为多个模拟污染缺陷。本发明提供了有效测试工具以检定工具性能、调整方法(recipe tuning)以及工具评估。
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公开(公告)号：CN102736399A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110349360.9
申请日：2011-10-31
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L22/12 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种形成标准光掩模的方法及装置与使用检测系统，该方法方法用于一检测系统，包括：在一反应室内提供一基板；在反应室内提供一四乙基正硅酸盐(TEOS)先驱物；以及使TEOS先驱物与一电子束反应以在基板的一或多个可控位置形成可控大小的多个氧化硅微粒，氧化硅微粒可作为多个模拟污染缺陷。本发明提供了有效测试工具以检定工具性能、调整方法(recipe tuning)以及工具评估。
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