公开(公告)号：CN110389500B

公开(公告)日：2021-09-10

申请号：CN201811258664.2

申请日：2018-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  苏益辰 ,  蔡继光 ,  连大成 ,  王子奕 ,  张宗裕 ,  李信昌

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/82 ,  G03F1/84

Abstract: 一种方法，包括：接收一工件，其包括具有一低热膨胀系数材料的一基底、在上述基底的上方的一多层反射层、在上述多层反射层的上方的一盖层与在上述盖层的上方的一吸收剂层。上述方法还包括：图形化上述吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；以及图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于上述晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模。上述方法还包括：使用不同化学元素对上述极紫外线光刻掩模进行表面改质处理，避免上述吸收剂层的曝露表面受到氧化。

公开(公告)号：CN110389500A

公开(公告)日：2019-10-29

申请号：CN201811258664.2

申请日：2018-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  苏益辰 ,  蔡继光 ,  连大成 ,  王子奕 ,  张宗裕 ,  李信昌

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/22 ,  G03F1/82 ,  G03F1/84

Abstract: 一种方法，包括：接收一工件，其包括具有一低热膨胀系数材料的一基底、在上述基底的上方的一多层反射层、在上述多层反射层的上方的一盖层与在上述盖层的上方的一吸收剂层。上述方法还包括：图形化上述吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；以及图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于上述晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模。上述方法还包括：使用不同化学元素对上述极紫外线光刻掩模进行表面改质处理，避免上述吸收剂层的曝露表面受到氧化。