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公开(公告)号：CN110967917B
公开(公告)日：2025-03-04
申请号：CN201910909214.3
申请日：2019-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于极紫外线微影术的光罩包括基板，基板具有前表面及与该前表面相对的后表面；多层Mo/Si堆叠，多层Mo/Si堆叠安置在基板的前表面上；封盖层，封盖层安置在多层Mo/Si堆叠上；吸收层，吸收层安置在封盖层上；以及背侧导电层，背侧导电层安置在基板的后表面上。背侧导电层由硼化钽制成。
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公开(公告)号：CN113053734A
公开(公告)日：2021-06-29
申请号：CN202110225684.5
申请日：2021-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/027
Abstract: 本公开提供了一种光罩的形成方法。此方法包括提供设置在吸收体顶部上的硬遮罩层、覆盖层和设置在基材上的多层。此方法包括在硬遮罩层上方形成中间层，在中间层上方形成光阻层，图案化光阻层，透过图案化的光阻层蚀刻中间层，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层，然后，透过图案化的硬遮罩层蚀刻吸收体。在部分实施例中，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层包括干式蚀刻制程，此干式蚀刻制程具有对硬遮罩层的第一去除速率和对中间层的第二去除速率，并且对硬遮罩层的第一去除速率与对中间层的第二去除速率的比例大于5。
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公开(公告)号：CN113053734B
公开(公告)日：2025-01-10
申请号：CN202110225684.5
申请日：2021-03-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/033 , H01L21/027
Abstract: 本公开提供了一种光罩的形成方法。此方法包括提供设置在吸收体顶部上的硬遮罩层、覆盖层和设置在基材上的多层。此方法包括在硬遮罩层上方形成中间层，在中间层上方形成光阻层，图案化光阻层，透过图案化的光阻层蚀刻中间层，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层，然后，透过图案化的硬遮罩层蚀刻吸收体。在部分实施例中，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层包括干式蚀刻制程，此干式蚀刻制程具有对硬遮罩层的第一去除速率和对中间层的第二去除速率，并且对硬遮罩层的第一去除速率与对中间层的第二去除速率的比例大于5。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118483865A
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202410675832.7
申请日：2019-08-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/22 , G03F1/24 , G03F1/38 , G03F1/40 , G03F1/54 , G03F1/80 , G03F7/20 , G03F7/00 , H01J37/32 , H01L21/3065 , H01L21/67
Abstract: 本公开涉及制造EUV光掩模的方法。在一种制造光掩模的方法中，在待蚀刻的光掩模的目标层上方形成具有电路图案的蚀刻掩模层。光掩模包括背部导电层。利用蚀刻硬盖覆盖目标层的边缘部分，同时通过蚀刻硬盖的开口暴露目标层的待蚀刻的区域。通过等离子体蚀刻来蚀刻目标层，同时防止等离子体的活性物质侵蚀背部导电层。蚀刻硬盖具有框架部分和侧框架。
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公开(公告)号：CN110658676B
公开(公告)日：2022-10-25
申请号：CN201910572799.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/58 , H01L21/033
Abstract: 一种极紫外光(EUV)微影光罩的制造方法包含，形成影像图案于极紫外光光罩基底的吸收层中。极紫外光光罩基底包含：多层堆叠包含数个交替钼(Mo)与硅(Si)层设于光罩基板的第一表面的上方，覆盖层设于该多层堆叠的上方，以及吸收层设于覆盖层的上方。边界区围绕影像图案且具有沟渠，其中蚀刻吸收层、覆盖层、与多层堆叠的至少一部分。数个凹侧壁形成于边界区中、或相互扩散部形成在沟渠的多层堆叠中。
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公开(公告)号：CN110389500B
公开(公告)日：2021-09-10
申请号：CN201811258664.2
申请日：2018-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法，包括：接收一工件，其包括具有一低热膨胀系数材料的一基底、在上述基底的上方的一多层反射层、在上述多层反射层的上方的一盖层与在上述盖层的上方的一吸收剂层。上述方法还包括：图形化上述吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；以及图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于上述晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模。上述方法还包括：使用不同化学元素对上述极紫外线光刻掩模进行表面改质处理，避免上述吸收剂层的曝露表面受到氧化。
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公开(公告)号：CN110658676A
公开(公告)日：2020-01-07
申请号：CN201910572799.4
申请日：2019-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F1/58 , H01L21/033
Abstract: 一种极紫外光(EUV)微影光罩的制造方法包含，形成影像图案于极紫外光光罩基底的吸收层中。极紫外光光罩基底包含：多层堆叠包含数个交替钼(Mo)与硅(Si)层设于光罩基板的第一表面的上方，覆盖层设于该多层堆叠的上方，以及吸收层设于覆盖层的上方。边界区围绕影像图案且具有沟渠，其中蚀刻吸收层、覆盖层、与多层堆叠的至少一部分。数个凹侧壁形成于边界区中、或相互扩散部形成在沟渠的多层堆叠中。
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公开(公告)号：CN110389500A
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201811258664.2
申请日：2018-10-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种方法，包括：接收一工件，其包括具有一低热膨胀系数材料的一基底、在上述基底的上方的一多层反射层、在上述多层反射层的上方的一盖层与在上述盖层的上方的一吸收剂层。上述方法还包括：图形化上述吸收剂层以提供对应于一晶圆上的电路图形的多个第一沟槽；以及图形化上述吸收剂层、上述盖层与上述多层反射层，以提供对应于上述晶圆上的一晶粒边界区的多个第二沟槽，借此提供一极紫外线光刻掩模。上述方法还包括：使用不同化学元素对上述极紫外线光刻掩模进行表面改质处理，避免上述吸收剂层的曝露表面受到氧化。
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