公开(公告)号：CN110658676B

公开(公告)日：2022-10-25

申请号：CN201910572799.4

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  温啟平 ,  王子奕 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/58 ,  H01L21/033

Abstract: 一种极紫外光(EUV)微影光罩的制造方法包含，形成影像图案于极紫外光光罩基底的吸收层中。极紫外光光罩基底包含：多层堆叠包含数个交替钼(Mo)与硅(Si)层设于光罩基板的第一表面的上方，覆盖层设于该多层堆叠的上方，以及吸收层设于覆盖层的上方。边界区围绕影像图案且具有沟渠，其中蚀刻吸收层、覆盖层、与多层堆叠的至少一部分。数个凹侧壁形成于边界区中、或相互扩散部形成在沟渠的多层堆叠中。

公开(公告)号：CN110658676A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910572799.4

申请日：2019-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  温啟平 ,  王子奕 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/58 ,  H01L21/033

Abstract: 一种极紫外光(EUV)微影光罩的制造方法包含，形成影像图案于极紫外光光罩基底的吸收层中。极紫外光光罩基底包含：多层堆叠包含数个交替钼(Mo)与硅(Si)层设于光罩基板的第一表面的上方，覆盖层设于该多层堆叠的上方，以及吸收层设于覆盖层的上方。边界区围绕影像图案且具有沟渠，其中蚀刻吸收层、覆盖层、与多层堆叠的至少一部分。数个凹侧壁形成于边界区中、或相互扩散部形成在沟渠的多层堆叠中。