公开(公告)号：CN113126423B

公开(公告)日：2024-06-18

申请号：CN202011588186.9

申请日：2020-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  薛文章

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/54

Abstract: 一种反射式光罩坯体及其制造方法，反射式光罩坯体包括基板、设置在基板上的多层反射层、设置在多层反射层上的覆盖层，及设置在覆盖层上的吸收层。吸收层具有比覆盖层小的长度或宽度尺寸，且覆盖层的部分被吸收层暴露。吸收层及硬遮罩层的尺寸的范围在146cm至148cm之间。基板、多层反射层及覆盖层的尺寸的范围在150cm至152cm之间。

公开(公告)号：CN116430667A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211481930.4

申请日：2022-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  朱家庆 ,  陈亚伦 ,  苏煜中 ,  王子奕 ,  郑雅如 ,  连大成 ,  李信昌 ,  张庆裕

IPC: G03F1/24

Abstract: 本文涉及EUV光掩模的制作方法。在一种制造反射型掩模的方法中，在掩模坯上方形成粘合层。掩模坯包括衬底、布置在衬底上方的反射多层、布置在反射多层上方的覆盖层、布置在覆盖层上方的吸收剂层和布置在吸收剂层上方的硬掩模层。在粘合层上方形成光致抗蚀剂图案，图案化粘合层，图案化硬掩模层，并且使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化吸收剂层。光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性高于对硬掩模层的粘附性。

公开(公告)号：CN114089596A

公开(公告)日：2022-02-25

申请号：CN202110835210.2

申请日：2021-07-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/54 ,  G03F1/24

Abstract: 本公开涉及具有钽基合金吸收体的极紫外掩模。提供了一种极紫外掩模，包括衬底、在衬底上的反射多层堆叠、和在反射多层堆叠上的经图案化的吸收体层。经图案化的吸收体层包括合金，该合金包括钽和至少一种合金元素。该至少一种合金元素包括至少一种过渡金属元素或至少一种第14族元素。

公开(公告)号：CN113126423A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011588186.9

申请日：2020-12-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  薛文章

IPC: G03F1/46 ,  G03F1/54

Abstract: 一种反射式光罩坯体及其制造方法，反射式光罩坯体包括基板、设置在基板上的多层反射层、设置在多层反射层上的覆盖层，及设置在覆盖层上的吸收层。吸收层具有比覆盖层小的长度或宽度尺寸，且覆盖层的部分被吸收层暴露。吸收层及硬遮罩层的尺寸的范围在146cm至148cm之间。基板、多层反射层及覆盖层的尺寸的范围在150cm至152cm之间。

公开(公告)号：CN106200274B

公开(公告)日：2020-07-10

申请号：CN201510860072.8

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  林志诚 ,  李信昌 ,  连大成 ,  严涛南

IPC: G03F7/20

Abstract: 本发明提供一种表膜组件和其制造方法，所述方法包含制造包含侧壁的表膜框架，所述侧壁具有多孔材料。在一些实施例中，所述表膜框架经受阳极化过程以形成所述多孔材料。所述多孔材料包含在垂直于所述侧壁的外部表面的方向上从所述侧壁的所述外部表面延伸到内部表面的多个孔隙通道。在各种实施例中，形成表膜薄膜，且所述表膜薄膜附接到所述表膜框架使得所述表膜薄膜由所述表膜框架悬置。本文中所揭示的一些实施例进一步提供包含薄膜和表膜框架的系统，所述表膜框架固定跨越所述表膜框架的所述薄膜。在一些实例中，所述表膜框架的一部分包含多孔材料，其中所述多孔材料包含所述多个孔隙通道。

公开(公告)号：CN110967925A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910922314.X

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨淳复 ,  许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/82 ,  B08B7/00

Abstract: 本公开涉及制造和维护光掩摸的方法。一种方法包括将在其表面上具有污染物的光掩模放置在等离子体处理腔室中。在等离子体处理腔室中对被污染的光掩模进行等离子体处理，以从表面移除污染物。等离子体包括氧等离子体和氢等离子体。

公开(公告)号：CN109581808A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811093649.7

申请日：2018-09-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  王子奕 ,  李信昌

IPC: G03F1/66

Abstract: 一种用以存放用于微影的遮罩的遮罩容器。此遮罩容器包括基底及盖体，基底具有复数个锥角，此些锥角从基底的主要顶面向外且向下延伸。盖体具有向下延伸的复数个锥角，且当盖体附接至基底时，盖体的锥角覆盖基底的锥角。盖体的锥角以与基底的锥角大致相同的角度呈锥状，使得当盖体附接至基底时，盖体的锥角的表面基本上平行于基底的锥角的对应表面。凹槽位于盖体的锥角中。偏压元件及球形元件位于基底的锥角中，以在盖体附接至基底时与凹槽配合。

公开(公告)号：CN113267956B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202110137144.1

申请日：2021-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡虹驿 ,  谢玮哲 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林秉勋 ,  郑浩平 ,  陈明威 ,  蔡思屏

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/56 ,  G03F1/48

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、以及设置在帽盖层上的吸收体层。该吸收体层包括由Cr基材料、Ir基材料、Pt基材料或Co基材料中的一者或多者制成的基础材料，并且还包含选自由Si、B、Ge、Al、As、Sb、Te、Se和Bi组成的组的一种或多种附加元素。

公开(公告)号：CN113253563B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202110081395.2

申请日：2021-01-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54 ,  G03F1/48 ,  G03F1/56

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底，设置在衬底之上的反射多层，设置在反射多层之上的帽盖层，设置在帽盖层之上的中间层，设置在中间层之上的吸收体层，以及设置在吸收体层之上的覆盖层。中间层包括氢扩散率比帽盖层的材料更低的材料。

公开(公告)号：CN115524921B

公开(公告)日：2024-11-29

申请号：CN202210434807.0

申请日：2022-04-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/66

Abstract: 一种倍缩光罩外壳及其处置方法，倍缩光罩外壳包括：包括一第一表面的一基座；一盖，该盖包括一第二表面且安置于该基座上，其中该基座及该盖在之间形成一内部空间以包括一倍缩光罩；及一弹性体或凝胶材料层，该弹性体或凝胶材料层安置于该第一表面及该第二表面中的至少一者上，其中该弹性体或凝胶材料层安置于该基座与该盖之间且接触该基座或该盖。