公开(公告)号：CN113126420A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202010355364.7

申请日：2020-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  陈庆煌 ,  蔡虹驿 ,  陈明威 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 本公开涉及极紫外线光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底；反射多层，设置在衬底上；帽盖层，设置在反射多层上；以及吸收体层，设置在帽盖层上。吸收体层包括第一铬基质层和第二铬基质层的一个或多个交替对，第二铬基质层不同于第一铬基质层。

公开(公告)号：CN112445062A

公开(公告)日：2021-03-05

申请号：CN202010908400.8

申请日：2020-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈庆煌 ,  孙啟元 ,  林华泰 ,  李信昌 ,  陈明威

IPC: G03F1/54 ,  G03F1/24 ,  G03F7/20

Abstract: 一种反射性光罩及其制造方法，反射性光罩包括基板、设置在基板上的反射性多层、设置在反射性多层上的覆盖层、设置在覆盖层上的光催化层，及设置在光催化层上且携载具有开口的电路图案的吸收层。光催化层的部分在吸收层的开口处被曝光，且光催化层包括选自由氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)及硫化镉(CdS)组成的群组的一者。

公开(公告)号：CN113126420B

公开(公告)日：2024-12-20

申请号：CN202010355364.7

申请日：2020-04-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 许倍诚 ,  陈庆煌 ,  蔡虹驿 ,  陈明威 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/24 ,  G03F1/54

Abstract: 本公开涉及极紫外线光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底；反射多层，设置在衬底上；帽盖层，设置在反射多层上；以及吸收体层，设置在帽盖层上。吸收体层包括第一铬基质层和第二铬基质层的一个或多个交替对，第二铬基质层不同于第一铬基质层。

公开(公告)号：CN113267956A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110137144.1

申请日：2021-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡虹驿 ,  谢玮哲 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林秉勋 ,  郑浩平 ,  陈明威 ,  蔡思屏

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/56 ,  G03F1/48

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、以及设置在帽盖层上的吸收体层。该吸收体层包括由Cr基材料、Ir基材料、Pt基材料或Co基材料中的一者或多者制成的基础材料，并且还包含选自由Si、B、Ge、Al、As、Sb、Te、Se和Bi组成的组的一种或多种附加元素。

公开(公告)号：CN113253562A

公开(公告)日：2021-08-13

申请号：CN202010913267.5

申请日：2020-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  钱志道 ,  陈明威 ,  连大成

IPC: G03F1/24

Abstract: 本公开涉及具有非晶帽盖层的光刻掩模。多层反射结构被设置在衬底之上。非晶帽盖层被设置在多层反射结构之上。非晶帽盖层可以包括钌、氧、铌、氮、钽或锆。非晶层也可以被设置在多层反射结构与非晶帽盖层之间。非晶层包括非晶硅、非晶氧化硅或非晶氮化硅。

公开(公告)号：CN113253562B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202010913267.5

申请日：2020-09-03

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李信昌 ,  许倍诚 ,  钱志道 ,  陈明威 ,  连大成

IPC: G03F1/24

Abstract: 本公开涉及具有非晶帽盖层的光刻掩模。多层反射结构被设置在衬底之上。非晶帽盖层被设置在多层反射结构之上。非晶帽盖层可以包括钌、氧、铌、氮、钽或锆。非晶层也可以被设置在多层反射结构与非晶帽盖层之间。非晶层包括非晶硅、非晶氧化硅或非晶氮化硅。

公开(公告)号：CN112445062B

公开(公告)日：2024-07-19

申请号：CN202010908400.8

申请日：2020-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈庆煌 ,  孙啟元 ,  林华泰 ,  李信昌 ,  陈明威

IPC: G03F1/54 ,  G03F1/24 ,  G03F7/20

Abstract: 一种反射性光罩及其制造方法，反射性光罩包括基板、设置在基板上的反射性多层、设置在反射性多层上的覆盖层、设置在覆盖层上的光催化层，及设置在光催化层上且携载具有开口的电路图案的吸收层。光催化层的部分在吸收层的开口处被曝光，且光催化层包括选自由氧化钛(TiO2)、氧化锡(SnO)、氧化锌(ZnO)及硫化镉(CdS)组成的群组的一者。

公开(公告)号：CN110967938A

公开(公告)日：2020-04-07

申请号：CN201910924604.8

申请日：2019-09-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈明威 ,  李信昌 ,  林秉勳

IPC: G03F7/20

Abstract: 一种用于清洗微影工具的遮罩，包括遮罩基材以及遮罩基材上的涂层。涂层配置以捕捉来自微影工具的微粒污染物质。还提供了一种清洗微影工具的方法，包括制备清洗遮罩，清洗遮罩包含形成于基材上的粒子捕捉层。此方法包括经由微影工具的遮罩转移路径，转移清洗遮罩。更进一步地，此方法还包括分析由粒子捕捉层捕捉的粒子。

公开(公告)号：CN113267956B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202110137144.1

申请日：2021-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡虹驿 ,  谢玮哲 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林秉勋 ,  郑浩平 ,  陈明威 ,  蔡思屏

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/56 ,  G03F1/48

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、以及设置在帽盖层上的吸收体层。该吸收体层包括由Cr基材料、Ir基材料、Pt基材料或Co基材料中的一者或多者制成的基础材料，并且还包含选自由Si、B、Ge、Al、As、Sb、Te、Se和Bi组成的组的一种或多种附加元素。

公开(公告)号：CN115145124A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210338407.X

申请日：2022-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仲豪 ,  陈明威 ,  马艾杰 ,  陈庆跃

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/68

Abstract: 本申请涉及使用光掩模制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，在EUV扫描仪中，对形成在半导体衬底上方的光致抗蚀剂层执行使用EUV掩模的EUV光刻操作。在EUV光刻操作之后，从EUV扫描仪的掩模台卸载EUV掩模。EUV掩模被置于低于大气压的减压下。在该减压下以100℃至350℃的范围内的第一温度加热EUV掩模。在加热之后，EUV掩模被储存在掩模储料器中。