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公开(公告)号：CN113253563B
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202110081395.2
申请日：2021-01-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底，设置在衬底之上的反射多层，设置在反射多层之上的帽盖层，设置在帽盖层之上的中间层，设置在中间层之上的吸收体层，以及设置在吸收体层之上的覆盖层。中间层包括氢扩散率比帽盖层的材料更低的材料。
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公开(公告)号：CN112578629B
公开(公告)日：2024-10-22
申请号：CN202011031340.2
申请日：2020-09-27
Applicant: 爱发科成膜株式会社
Abstract: 本发明涉及一种掩模坯及光掩模，所述掩模坯具有成为光掩模的掩模层。所述掩模坯的反射率低且具有规定的光密度，能够使遮光层的蚀刻速率与防反射层的蚀刻速率接近，并且能够实现降低上檐及下摆的适当的剖面形状。所述掩模层具有：下部防反射层，层压于透明基板；遮光层，设置在比所述下部防反射层更远离所述透明基板的位置上；和上部防反射层，设置在比所述遮光层更远离所述透明基板的位置上。
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公开(公告)号：CN118348737A
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202410636442.9
申请日：2024-05-22
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 樱井敬佑
Abstract: 本发明的反射型光掩模坯料具有：基板1；反射作为极端紫外线区域光的曝光光的多层反射膜2；用于保护多层反射膜2的保护膜3；吸收曝光光的光吸收膜4；以及与光吸收膜4相接形成的硬掩模。光吸收膜4是包含含氧的光吸收膜4的氧化层41及吸收层42的多层结构。硬掩模是包含第二层52、53(2A、2B)、或是包含第一层51及第二层52、53(2A、2B)多层结构。第二层52、53是包含含氧的上方硬掩模层52(2A)和下方硬掩模层53(2B)的多层结构。
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公开(公告)号：CN118302719A
公开(公告)日：2024-07-05
申请号：CN202280076428.7
申请日：2022-11-22
Applicant: 凸版光掩模有限公司
Abstract: 本公开的目的在于提供最大限度地活用相移效应、且具有高转印性(特别是分辨率)的反射型光掩模坯以及反射型光掩模。本公开的一个方式涉及的反射型光掩模坯(100)的特征在于，具备：基板(11)；形成在基板(11)上的具有多层膜结构的反射EUV光的反射层(12)；形成在反射层(12)上、保护反射层(12)的保护层(13)；以及形成在保护层(13)上的吸收EUV光的吸收层(14)，吸收层(14)具有200度以上280度以下的范围内的相位差。
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公开(公告)号：CN112925163B
公开(公告)日：2024-06-21
申请号：CN202011339150.7
申请日：2020-11-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Inventor： 松桥直树
IPC: G03F1/22 , G03F1/50 , G03F1/54 , G03F1/62 , G03F1/68 , G03F1/80 , H01L21/027 , H01L21/033
Abstract: 发明涉及的光掩模板包括：基板；被加工膜；以及由含有铬的材料构成的膜，该膜从远离基板的一侧起具有第1层、第2层、第3层以及第4层。第1层的铬含有率为40原子％以下(含)，氧含有率为38原子％以上(含)，氮含有率为22原子％以下(含)，且厚度为6nm以下(含)。第2层的铬含有率为38原子％以下(含)，氧含有率为30原子％以上(含)，氮含有量为18原子％以下(含)，碳为14原子％以下(含)，且膜厚为22nm以上(含)且32nm以下(含)。第3层的铬含有率为50原子％以下(含)，氧含有率为30原子％以下(含)，氮含有量为20原子％以上(含)，且膜厚为6nm以下(含)。第4层的铬含有率为44原子％以下(含)，氧含有率为20原子％以上(含)，氮含有量为20原子％以下(含)，碳为16原子％以下(含)，且膜厚为13nm以上(含)。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113906343B
公开(公告)日：2024-02-20
申请号：CN202080039794.6
申请日：2020-05-28
Applicant: 凸版光掩模有限公司
Abstract: 提供可以在抑制投影效应的同时提高掩模的寿命的反射型光掩模坯和反射型光掩模。反射型光掩模坯(10)具备：基板(1)、设置在基板(1)上并反射入射光的反射部(7)、以及设置在反射部(7)上并吸收入射光的低反射部(8)。低反射部(8)为至少2层以上的层叠结构。低反射部(8)的最表层(5)相对于EUV(Extreme UltraViolet：极端紫外线，波长13.5nm)光的折射率n为0.90以上、消光系数k为0.02以下。
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公开(公告)号：CN117348136A
公开(公告)日：2024-01-05
申请号：CN202311559466.0
申请日：2023-11-21
Applicant: 中国科学院光电技术研究所
Abstract: 本公开提供一种离轴照明光栅及其制备方法、可分离式离轴照明光刻掩模，该制备方法包括：S1，采用电子束光刻和反应离子束刻蚀制备具有光栅图形的光栅母版(1)；S2，通过第一纳米压印将光栅母版(1)上的光栅图形复制到工作模版(2)的表面，形成具有光栅图形的工作模版；S3，在基片(3)上依次制备光栅材料层(4)、传递层(5)和压印胶层(6)，通过第二纳米压印将S2得到的工作模版(2)的光栅图形复制到压印胶层(6)上，并进行固化；S4，将压印胶层(6)上的光栅图形依次刻蚀传递至传递层(5)、光栅材料层(4)，去除残余的传递层(5)，得到离轴照明光栅。本公开的离轴照明光栅与掩模可分离，可以重复利用。
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公开(公告)号：CN117289540A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202310735512.1
申请日：2023-06-20
Applicant: SK恩普士有限公司
Abstract: 根据本说明书的一个实施例的空白掩模包括：透光基板；以及遮光膜，设置在所述透光基板上。遮光膜包含过渡金属，还包含氧和氮中的至少一种。遮光膜表面的晶粒尺寸的平均值为14nm至24nm。在这种情况下，可通过所述空白掩模实现高分辨率的光掩模，并且可在高灵敏度地检测遮光膜表面的缺陷时获得更准确的结果值。
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公开(公告)号：CN117192886A
公开(公告)日：2023-12-08
申请号：CN202310678851.0
申请日：2023-06-08
Applicant: 三星电子株式会社
Abstract: 本发明提供一种极紫外(EUV)光掩模，其可以包括掩模结构，该掩模结构包括主区域、围绕主区域的划线道区域、在划线道区域外侧且彼此分开并且各自具有相同的第一宽度的缓冲区域、以及在缓冲区域外侧的黑色边界区域。缓冲区域可以包括第一缓冲区域、第二缓冲区域和第三缓冲区域。黑色边界区域可以包括第一拐角区域、第二拐角区域和第三拐角区域。第一拐角区域可以接触第一缓冲区域和第二缓冲区域。第二拐角区域可以接触第一缓冲区域、第三缓冲区域和划线道区域的一边。第三拐角区域可以接触第二缓冲区域和第三缓冲区域。
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公开(公告)号：CN116909090A
公开(公告)日：2023-10-20
申请号：CN202310731018.8
申请日：2023-06-20
Applicant: 广纳四维(广东)光电科技有限公司
Abstract: 本发明公开了一种光刻遮罩及其制备方法、光刻装置和光刻方法，其中，光刻遮罩包括：遮罩薄片和透明基体，遮罩薄片包括多个第一定位孔，透明基体包括与第一定位孔数量相适应的多个第二定位孔，第一定位孔和第二定位孔位置相对应，以定位遮罩薄片在透明基体上的位置；还包括：透明粘合剂，透明粘合剂涂覆于透明基体或遮罩薄片上，用于透明基体与遮罩薄片的粘合固定；其中，遮罩薄片设置有镂空的第一图形，透明基体设置有与第一图形形状相同且位置对应的镂空的第二图形，第一图形的轮廓线位于第二图形的轮廓线以内，第一图形的形状为曝光图形的外轮廓线形成的形状。从而，可以保证薄片表面平整和光滑，并且不会轻易刮伤光刻板。
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