公开(公告)号：CN110838432B

公开(公告)日：2022-07-12

申请号：CN201910760074.8

申请日：2019-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仲豪 ,  陈启通

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种处理半导体基板的方法及沉积腔室。处理半导体基板的方法包括将具有相对于晶圆台的表面的第一静摩擦系数的半导体基板的第一主侧转换为相对于晶圆台的表面的第二静摩擦系数，其中第二静摩擦系数小于第一静摩擦系数。在具有第一静摩擦系数的半导体基板的第二主侧上施加光阻层。第二主侧与第一主侧相对。将半导体基板放置在晶圆台上，使得半导体基板的第一主侧面向晶圆台。

公开(公告)号：CN115145124A

公开(公告)日：2022-10-04

申请号：CN202210338407.X

申请日：2022-04-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仲豪 ,  陈明威 ,  马艾杰 ,  陈庆跃

IPC: G03F7/20 ,  G03F1/68

Abstract: 本申请涉及使用光掩模制造半导体器件的方法。在制造半导体器件的方法中，在EUV扫描仪中，对形成在半导体衬底上方的光致抗蚀剂层执行使用EUV掩模的EUV光刻操作。在EUV光刻操作之后，从EUV扫描仪的掩模台卸载EUV掩模。EUV掩模被置于低于大气压的减压下。在该减压下以100℃至350℃的范围内的第一温度加热EUV掩模。在加热之后，EUV掩模被储存在掩模储料器中。

公开(公告)号：CN110838432A

公开(公告)日：2020-02-25

申请号：CN201910760074.8

申请日：2019-08-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张仲豪 ,  陈启通

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/67

Abstract: 一种处理半导体基板的方法及沉积腔室。处理半导体基板的方法包括将具有相对于晶圆台的表面的第一静摩擦系数的半导体基板的第一主侧转换为相对于晶圆台的表面的第二静态摩擦系数，其中第二静摩擦系数小于第一静摩擦系数。在具有第一静摩擦系数的半导体基板的第二主侧上施加光阻层。第二主侧与第一主侧相对。将半导体基板放置在晶圆台上，使得半导体基板的第一主侧面向晶圆台。