公开(公告)号：CN116430667A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211481930.4

申请日：2022-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  朱家庆 ,  陈亚伦 ,  苏煜中 ,  王子奕 ,  郑雅如 ,  连大成 ,  李信昌 ,  张庆裕

IPC: G03F1/24

Abstract: 本文涉及EUV光掩模的制作方法。在一种制造反射型掩模的方法中，在掩模坯上方形成粘合层。掩模坯包括衬底、布置在衬底上方的反射多层、布置在反射多层上方的覆盖层、布置在覆盖层上方的吸收剂层和布置在吸收剂层上方的硬掩模层。在粘合层上方形成光致抗蚀剂图案，图案化粘合层，图案化硬掩模层，并且使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化吸收剂层。光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性高于对硬掩模层的粘附性。

公开(公告)号：CN113267956B

公开(公告)日：2024-12-27

申请号：CN202110137144.1

申请日：2021-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡虹驿 ,  谢玮哲 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林秉勋 ,  郑浩平 ,  陈明威 ,  蔡思屏

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/56 ,  G03F1/48

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、以及设置在帽盖层上的吸收体层。该吸收体层包括由Cr基材料、Ir基材料、Pt基材料或Co基材料中的一者或多者制成的基础材料，并且还包含选自由Si、B、Ge、Al、As、Sb、Te、Se和Bi组成的组的一种或多种附加元素。

公开(公告)号：CN113053734B

公开(公告)日：2025-01-10

申请号：CN202110225684.5

申请日：2021-03-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  王子奕 ,  林秉勳 ,  连大成 ,  李信昌 ,  李环陵

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开提供了一种光罩的形成方法。此方法包括提供设置在吸收体顶部上的硬遮罩层、覆盖层和设置在基材上的多层。此方法包括在硬遮罩层上方形成中间层，在中间层上方形成光阻层，图案化光阻层，透过图案化的光阻层蚀刻中间层，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层，然后，透过图案化的硬遮罩层蚀刻吸收体。在部分实施例中，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层包括干式蚀刻制程，此干式蚀刻制程具有对硬遮罩层的第一去除速率和对中间层的第二去除速率，并且对硬遮罩层的第一去除速率与对中间层的第二去除速率的比例大于5。

公开(公告)号：CN113053734A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202110225684.5

申请日：2021-03-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  王子奕 ,  林秉勳 ,  连大成 ,  李信昌 ,  李环陵

IPC: H01L21/033 ,  H01L21/027

Abstract: 本公开提供了一种光罩的形成方法。此方法包括提供设置在吸收体顶部上的硬遮罩层、覆盖层和设置在基材上的多层。此方法包括在硬遮罩层上方形成中间层，在中间层上方形成光阻层，图案化光阻层，透过图案化的光阻层蚀刻中间层，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层，然后，透过图案化的硬遮罩层蚀刻吸收体。在部分实施例中，透过图案化的中间层蚀刻硬遮罩层包括干式蚀刻制程，此干式蚀刻制程具有对硬遮罩层的第一去除速率和对中间层的第二去除速率，并且对硬遮罩层的第一去除速率与对中间层的第二去除速率的比例大于5。

公开(公告)号：CN117348330A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310558044.5

申请日：2023-05-17

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  陈建诚 ,  林秉勋 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/32

Abstract: 本申请公开了制造光掩模的方法。在一种制造衰减相移掩模的方法中，在掩模基板之上形成光致抗蚀剂图案。该掩模基板包括透明衬底、透明衬底上的蚀刻停止层、蚀刻停止层上的相移材料层、相移材料层上的硬掩模层、以及硬掩模层上的中间层。通过使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模来图案化中间层，通过使用经图案化的中间层作为蚀刻掩模来图案化硬掩模层，以及通过使用经图案化的硬掩模层作为蚀刻掩模来图案化相移材料层。中间层包括过渡金属、过渡金属合金或含硅材料中的至少一种，并且硬掩模层由与中间层不同的材料制成。

公开(公告)号：CN115390357A

公开(公告)日：2022-11-25

申请号：CN202210010786.X

申请日：2022-01-06

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  吕啟纶 ,  林秉勳 ,  朱福盛 ,  连大成 ,  李信昌

IPC: G03F1/52 ,  G03F1/54

Abstract: 一种反射型罩幕及其制造方法，反射型罩幕包括基板、设置于基板上方的下反射多层、设置于下反射多层上方的中间层、设置于中间层上方的上反射多层、设置于上反射多层上方的覆盖层、及设置于形成于上反射层中且在中间层上方的沟槽中的吸收层。中间层包括除了铬、钌、硅、硅化合物及碳以外的金属。

公开(公告)号：CN113267956A

公开(公告)日：2021-08-17

申请号：CN202110137144.1

申请日：2021-02-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡虹驿 ,  谢玮哲 ,  连大成 ,  李信昌 ,  林秉勋 ,  郑浩平 ,  陈明威 ,  蔡思屏

IPC: G03F1/22 ,  G03F1/24 ,  G03F1/56 ,  G03F1/48

Abstract: 本公开涉及EUV光掩模及其制造方法。一种反射掩模包括：衬底、设置在衬底上的反射多层、设置在反射多层上的帽盖层、以及设置在帽盖层上的吸收体层。该吸收体层包括由Cr基材料、Ir基材料、Pt基材料或Co基材料中的一者或多者制成的基础材料，并且还包含选自由Si、B、Ge、Al、As、Sb、Te、Se和Bi组成的组的一种或多种附加元素。