公开(公告)号：CN116430667A

公开(公告)日：2023-07-14

申请号：CN202211481930.4

申请日：2022-11-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢玮哲 ,  朱家庆 ,  陈亚伦 ,  苏煜中 ,  王子奕 ,  郑雅如 ,  连大成 ,  李信昌 ,  张庆裕

IPC: G03F1/24

Abstract: 本文涉及EUV光掩模的制作方法。在一种制造反射型掩模的方法中，在掩模坯上方形成粘合层。掩模坯包括衬底、布置在衬底上方的反射多层、布置在反射多层上方的覆盖层、布置在覆盖层上方的吸收剂层和布置在吸收剂层上方的硬掩模层。在粘合层上方形成光致抗蚀剂图案，图案化粘合层，图案化硬掩模层，并且使用图案化的硬掩模层作为刻蚀掩模来图案化吸收剂层。光致抗蚀剂层对粘合层的粘附性高于对硬掩模层的粘附性。

公开(公告)号：CN107357134B

公开(公告)日：2021-12-10

申请号：CN201610300889.4

申请日：2016-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  苏煜中 ,  刘朕與 ,  张庆裕

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004

Abstract: 一种组成物及形成一材料层的方法。组成物包含：约2至约25重量份的高分子；约5至约20重量份的交联剂；约0.1至约10重量份的触媒，触媒在一温度下触发交联剂与高分子发生交联反应；以及约3至约30重量份的一第一溶剂，且第一溶剂的一沸点大于触媒触发交联反应的温度。此组成物所形成的层别能够有效地改善“厚度负载”的问题。

公开(公告)号：CN107357134A

公开(公告)日：2017-11-17

申请号：CN201610300889.4

申请日：2016-05-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 翁明晖 ,  苏煜中 ,  刘朕與 ,  张庆裕

IPC: G03F7/027 ,  G03F7/004

CPC classification number: G03F7/027 ,  G03F7/004

Abstract: 一种组成物及形成一材料层的方法。组成物包含：约2至约25重量分的高分子；约5至约20重量分的交联剂；约0.1至约10重量分的触媒，触媒在一温度下触发交联剂与高分子发生交联反应；以及约3至约30重量分的一第一溶剂，且第一溶剂的一沸点大于触媒触发交联反应的温度。此组成物所形成的层别能够有效地改善“厚度负载”的问题。

公开(公告)号：CN110824845A

公开(公告)日：2020-02-21

申请号：CN201910743530.8

申请日：2019-08-13

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏煜中 ,  罗冠昕 ,  郑雅如 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/16

Abstract: 本公开提供一种半导体制程，其包括提供光阻溶液，光阻溶液中含有具有第一体积的第一溶剂和具有第二体积的第二溶剂，其中第一溶剂不同于第二溶剂，且第一体积小于第二体积。涂布光阻溶液于基板上以形成薄膜，其中涂布过程将蒸发一部分第一溶剂和一部分第二溶剂，使得第一溶剂的剩余部分大于第二溶剂的剩余部分。烘烤薄膜，并于烘烤薄膜后，将薄膜进行曝光以形成已曝光薄膜，以及将已曝光薄膜进行显影。

公开(公告)号：CN109427558A

公开(公告)日：2019-03-05

申请号：CN201810994413.4

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏煜中 ,  郑雅如 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

Abstract: 在半导体装置的形成方法中，形成第一光刻胶层于具有多个下方结构的基板上。以射线曝光第一光刻胶层。以显影溶液显影曝光的第一光刻胶层。形成平坦化层于显影的第一光刻胶层上。下方结构包括多个凹陷部分，且凹陷部分的一部分未填有显影的第一光刻胶层。

公开(公告)号：CN107818919A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710203359.2

申请日：2017-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦钧 ,  陈婷婷 ,  苏煜中 ,  聂菱甫 ,  苏品全 ,  蔡腾群 ,  黄泰钧 ,  郑雅如

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L27/0886

Abstract: 本公开实施例公开一种半导体装置的形成方法，具体为一种鳍状场效晶体管结构与其形成方法。在一方法中，形成凹陷露出晶片上的多个半导体鳍状物。虚置接点材料形成于凹陷中。虚置接点材料含碳。以一或多道烘烤步骤硬化虚置接点材料。一或多道烘烤步骤可硬化虚置接点材料。将虚置接点材料的第一部分置换为层间介电层。将虚置接点材料的第二部分置换为多个接点。接点电性耦接至半导体鳍状物的源极/漏极区。

公开(公告)号：CN119335812A

公开(公告)日：2025-01-21

申请号：CN202410374332.X

申请日：2024-03-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏煜中 ,  张庆裕 ,  郭彦佑

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/11

Abstract: 本发明提供了光致抗蚀剂底层材料及相关方法。半导体器件可以使用由一种或多种材料形成的多层光致抗蚀剂来制造，所述一种或多种材料减少残留材料保留在所述多层光致抗蚀剂中的可能性和/或所述残留材料的量。所述多层光致抗蚀剂的光致抗蚀剂底层包含具有高度均匀分布的极性基团单体的聚合物。另外和/或替代地，光致抗蚀剂底层包含聚合物，所述聚合物包含主链和与所述主链偶联的多个侧链。所述侧链包含产酸剂组分。由于产酸剂组分通过侧链与聚合物的主链偶联，而不是不受控制地扩散到光致抗蚀剂层中，因此在曝光于辐射时由产酸剂组分产生的酸以均匀的方式聚集在光致抗蚀剂层的底部下方并且使得光致抗蚀剂层的最底部部分能够被显影和去除。

公开(公告)号：CN113126425A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011627531.5

申请日：2020-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏煜中 ,  葛宗翰 ,  张庆裕

IPC: G03F1/56 ,  G03F7/004

Abstract: 本申请提供一种形成光致抗蚀剂图案的方法，包括在形成于衬底上的光致抗蚀剂层上方形成保护层。所述保护层和所述光致抗蚀剂层被选择性地曝露于光化辐射。所述光致抗蚀剂层被显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。所述保护层包含没有含氮部分的聚合物和碱性淬灭剂、有机酸、光酸产生剂或热酸产生剂。

公开(公告)号：CN109427558B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201810994413.4

申请日：2018-08-29

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏煜中 ,  郑雅如 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

Abstract: 在半导体装置的形成方法中，形成第一光刻胶层于具有多个下方结构的基板上。以射线曝光第一光刻胶层。以显影溶液显影曝光的第一光刻胶层。形成平坦化层于显影的第一光刻胶层上。下方结构包括多个凹陷部分，且凹陷部分的一部分未填有显影的第一光刻胶层。

公开(公告)号：CN109585278A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811142966.3

申请日：2018-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐崇威 ,  苏煜中 ,  吴振豪 ,  李胜男 ,  蔡宗霖 ,  蔡腾群

IPC: H01L21/027

Abstract: 一种用以形成多层式光罩的方法包含在目标结构上形成碳涂(spin-on carbon；SOC)层；化学处理该碳涂层的上部分；在碳涂层上形成牺牲层；在牺牲层上进行化学机械研磨程序，直到抵达碳涂层，其中该碳涂层经化学处理的上部分对该化学机械研磨程序的阻抗高于牺牲层对该化学机械研磨程序的阻抗；在化学机械研磨程序后，于碳涂层上形成图案化光阻层；以及使用图案化光阻层作为光罩，蚀刻目标结构。