公开(公告)号：CN113594091A

公开(公告)日：2021-11-02

申请号：CN202110733519.0

申请日：2021-06-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王振翰 ,  陈婷婷 ,  梁顺鑫 ,  上野哲嗣 ,  林耕竹

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092

Abstract: 本公开描述一种半导体装置的制造方法。半导体装置的制造方法包括：于基板上形成鳍片结构；于鳍片结构的第一部分上形成多晶硅栅极结构；于鳍片结构的第二部分中形成开口，其中鳍片结构的第一部分与第二部分彼此相邻；于多晶硅栅极结构下方的鳍片结构的第一部分的侧壁上横向地形成凹口；以及于凹口之中形成内间隔物结构。内间隔物结构包括被第一介电间隔物层与第二介电间隔物层封闭的内空气间隔物。

公开(公告)号：CN113013226A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011510967.6

申请日：2020-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁顺鑫 ,  王振翰 ,  林耕竹 ,  上野哲嗣 ,  陈婷婷

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及半导体器件，包括形成在鳍区域上的第一和第二端子以及形成在第一和第二端子之间的密封层。密封层包括掺杂有氧的碳化硅材料。半导体器件还包括由密封层、鳍区域以及第一和第二端子围绕的气隙。本发明还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN112531030A

公开(公告)日：2021-03-19

申请号：CN202010498643.9

申请日：2020-06-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 彭羽筠 ,  颜甫庭 ,  陈婷婷 ,  林耕竹 ,  彭辞修

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 此处提供半导体装置与其形成方法。本公开实施例的半导体装置包括第一半导体通道膜，与第二半导体通道膜位于第一半导体通道膜上；以及含硅与氮的多孔介电结构。多孔介电结构夹设于第一半导体通道膜与第二半导体通道膜之间，且多孔介电结构的密度小于氮化硅的密度。

公开(公告)号：CN109841571A

公开(公告)日：2019-06-04

申请号：CN201811359633.6

申请日：2018-11-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏嘉伟 ,  颜甫庭 ,  陈婷婷 ,  蔡腾群

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种半导体结构的制造方法包括在基板上形成栅极堆叠和层间介电质，其中该层间介电质与该栅极堆叠相邻；形成抑制物覆盖该层间介电质，使得该栅极堆叠从该抑制物暴露出；执行沉积制程以在该栅极堆叠上方形成导电层，直至该导电层开始在该抑制物上形成，其中该沉积制程对该栅极堆叠具有相对于该抑制物的沉积选择性；以及执行蚀刻制程以移除该抑制物上方的该导电层的一部分。

公开(公告)号：CN107818919A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710203359.2

申请日：2017-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦钧 ,  陈婷婷 ,  苏煜中 ,  聂菱甫 ,  苏品全 ,  蔡腾群 ,  黄泰钧 ,  郑雅如

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L27/0886

Abstract: 本公开实施例公开一种半导体装置的形成方法，具体为一种鳍状场效晶体管结构与其形成方法。在一方法中，形成凹陷露出晶片上的多个半导体鳍状物。虚置接点材料形成于凹陷中。虚置接点材料含碳。以一或多道烘烤步骤硬化虚置接点材料。一或多道烘烤步骤可硬化虚置接点材料。将虚置接点材料的第一部分置换为层间介电层。将虚置接点材料的第二部分置换为多个接点。接点电性耦接至半导体鳍状物的源极/漏极区。

公开(公告)号：CN113013226B

公开(公告)日：2024-02-06

申请号：CN202011510967.6

申请日：2020-12-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁顺鑫 ,  王振翰 ,  林耕竹 ,  上野哲嗣 ,  陈婷婷

IPC: H01L29/06 ,  H01L27/088 ,  H01L21/764 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明涉及半导体器件，包括形成在鳍区域上的第一和第二端子以及形成在第一和第二端子之间的密封层。密封层包括掺杂有氧的碳化硅材料。半导体器件还包括由密封层、鳍区域以及第一和第二端子围绕的气隙。本发明还涉及形成半导体器件的方法。

公开(公告)号：CN114823515A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210079494.1

申请日：2022-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈婷婷 ,  何彩蓉 ,  葛宗翰 ,  郑雅如 ,  彭辞修 ,  王振翰 ,  梁顺鑫 ,  上野哲嗣 ,  林耕竹

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开描述了一种在栅极结构及源极/漏极(source/drain,S/D)接触件结构之间形成中间间隔物结构并移除中间间隔物结构的顶部以形成凹槽的方法。中间间隔物结构包括第一间隔层、第二间隔层、以及位于第一间隔层及第二间隔层之间的牺牲间隔层。方法还包括移除牺牲间隔层以在第一间隔层及第二间隔层之间形成气隙，以及在气隙、第一间隔层及第二间隔层上旋涂介电层以填充凹槽及密封气隙。介电层包括用于旋涂介电材料的原料。

公开(公告)号：CN112509972A

公开(公告)日：2021-03-16

申请号：CN202010973977.7

申请日：2020-09-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 颜甫庭 ,  陈婷婷 ,  彭羽筠 ,  林耕竹

IPC: H01L21/762

Abstract: 根据本公开实施例的一些实施例，一种半导体结构的形成方法，包含：提供工件，其包含开口与顶表面；沉积介电材料于工件上且进入开口中，以形成第一介电材料层，且第一介电材料层具有于顶表面上的顶部与于开口中的插塞部(plug portion)；处理(treating)第一介电层以将顶部转换成第二介电层，其中第二介电层不同于第一介电层；以及选择性移除第二介电层。

公开(公告)号：CN113013100A

公开(公告)日：2021-06-22

申请号：CN202011292567.2

申请日：2020-11-18

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁顺鑫 ,  王振翰 ,  林耕竹 ,  上野哲嗣 ,  陈婷婷

IPC: H01L21/8234 ,  H01L21/8238

Abstract: 本发明涉及一种用于形成半导体器件的方法，该方法包括在相应的第一端子和第二端子的第一侧壁和第二侧壁之间形成开口。第一侧壁和第二侧壁彼此相对。该方法还包括以第一沉积速率在开口的顶部上沉积第一介电材料，以及以第二沉积速率在第一介电材料上以及在第一侧壁和第二侧壁上沉积第二介电材料。第二介电材料以及第一侧壁和第二侧壁截留气袋。该方法还包括对第二介电材料执行处理工艺。