公开(公告)号：CN114823515A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210079494.1

申请日：2022-01-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈婷婷 ,  何彩蓉 ,  葛宗翰 ,  郑雅如 ,  彭辞修 ,  王振翰 ,  梁顺鑫 ,  上野哲嗣 ,  林耕竹

IPC: H01L21/8234

Abstract: 本公开描述了一种在栅极结构及源极/漏极(source/drain,S/D)接触件结构之间形成中间间隔物结构并移除中间间隔物结构的顶部以形成凹槽的方法。中间间隔物结构包括第一间隔层、第二间隔层、以及位于第一间隔层及第二间隔层之间的牺牲间隔层。方法还包括移除牺牲间隔层以在第一间隔层及第二间隔层之间形成气隙，以及在气隙、第一间隔层及第二间隔层上旋涂介电层以填充凹槽及密封气隙。介电层包括用于旋涂介电材料的原料。

公开(公告)号：CN113126425A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011627531.5

申请日：2020-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏煜中 ,  葛宗翰 ,  张庆裕

IPC: G03F1/56 ,  G03F7/004

Abstract: 本申请提供一种形成光致抗蚀剂图案的方法，包括在形成于衬底上的光致抗蚀剂层上方形成保护层。所述保护层和所述光致抗蚀剂层被选择性地曝露于光化辐射。所述光致抗蚀剂层被显影以在所述光致抗蚀剂层中形成图案。所述保护层包含没有含氮部分的聚合物和碱性淬灭剂、有机酸、光酸产生剂或热酸产生剂。

公开(公告)号：CN109471329A

公开(公告)日：2019-03-15

申请号：CN201811010598.7

申请日：2018-08-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛宗翰 ,  郑雅如 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: G03F7/00

Abstract: 一种进行光刻工艺的方法被提供。此方法包括形成光致抗蚀剂层于基板之上，并且通过进行曝光工艺曝光光致抗蚀剂层的一部分，以形成曝光区域及未曝光区域。此方法包括在光致抗蚀剂层上进行一烘烤工艺，而形成多个孔洞于光致抗蚀剂层的曝光区域中。此方法亦包括移除光致抗蚀剂层的未曝光区域，以形成凹口于光致抗蚀剂层中，并且填充后处理涂布材料于凹口及孔洞中。此方法还包括通过进行第二显影工艺移除后处理涂布材料的一部分，且后处理涂布材料的其他部分残留于光致抗蚀剂层的曝光区域的表面上，以形成经过图案化的光致抗蚀剂层。

公开(公告)号：CN106601597A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201610880063.X

申请日：2016-10-09

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 葛宗翰 ,  罗冠昕 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027

CPC classification number: H01L21/0271 ,  B81C2201/0149 ,  G03F7/0002 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02315 ,  H01L21/02318 ,  H01L21/02356 ,  H01L21/31138

Abstract: 本公开涉及一种半导体装置的形成方法，其包括形成图案化特征于基板之上、涂布(apply)包括第一聚合物及第二聚合物的定向材料于上述基板之上。上述第一聚合物具有第一活化能而第二聚合物具有第二活化能。上述方法亦包括于第一温度烘烤上述基板以形成包括第一聚合物的第一定向层、于第二温度烘烤上述基板以形成包括第二聚合物的第二定向层、以及于第一及第二定向层上进行定向自组装(directed self‑assembly，DSA)工艺。