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公开(公告)号：CN109860020A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811313609.9
申请日：2018-11-06
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/02
Abstract: 本发明实施例公开了一种清洁半导体装置的方法，特别公开了用于清洁半导体装置表面的清洁溶液，以及使用与形成清洁溶液的方法。在一实施例中，自半导体装置的第一表面研磨移除材料；以及以清洁溶液清洁第一表面。清洁溶液可包括主体，且主体具有至少一环。主体可具有亲水外部与疏水内部。
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公开(公告)号：CN109585361A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201810721468.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件和形成方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上方形成介电层并且图案化介电层以形成第一凹槽。该方法还包括在第一凹槽中沉积第一层并且在第一层上方沉积第二层，第二层不同于第一层。该方法还包括使用第一氧化剂对第二层实施第一化学机械抛光(CMP)工艺并且使用第一氧化剂对第二层和第一层的多余部分实施第二CMP工艺。该方法还包括在实施第二CMP抛光之后在第一层的剩余部分上方形成第一导电元件。
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公开(公告)号：CN109585361B
公开(公告)日：2021-11-30
申请号：CN201810721468.8
申请日：2018-07-04
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538
Abstract: 本发明实施例提供了半导体器件和形成方法。在一些实施例中，该方法包括在衬底上方形成介电层并且图案化介电层以形成第一凹槽。该方法还包括在第一凹槽中沉积第一层并且在第一层上方沉积第二层，第二层不同于第一层。该方法还包括使用第一氧化剂对第二层实施第一化学机械抛光(CMP)工艺并且使用第一氧化剂对第二层和第一层的多余部分实施第二CMP工艺。该方法还包括在实施第二CMP抛光之后在第一层的剩余部分上方形成第一导电元件。
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公开(公告)号：CN109585295A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811131650.4
申请日：2018-09-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/28
Abstract: 半导体装置的形成方法包括在形成工艺时使源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞暴露至金属离子源溶液，其中金属离子源溶液中的金属离子的金属成分，与源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞的金属成分相同。若源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞的组成为钴，则金属离子源溶液包含钴离子源溶液。若源极/漏极接点插塞或栅极接点插塞的组成为钨，则金属离子源溶液包含钨离子源溶液。
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公开(公告)号：CN107818919A
公开(公告)日：2018-03-20
申请号：CN201710203359.2
申请日：2017-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L27/088
CPC classification number: H01L21/76897 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02337 , H01L21/28123 , H01L21/31053 , H01L21/31116 , H01L21/31144 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L29/41791 , H01L29/66795 , H01L27/0886
Abstract: 本公开实施例公开一种半导体装置的形成方法，具体为一种鳍状场效晶体管结构与其形成方法。在一方法中，形成凹陷露出晶片上的多个半导体鳍状物。虚置接点材料形成于凹陷中。虚置接点材料含碳。以一或多道烘烤步骤硬化虚置接点材料。一或多道烘烤步骤可硬化虚置接点材料。将虚置接点材料的第一部分置换为层间介电层。将虚置接点材料的第二部分置换为多个接点。接点电性耦接至半导体鳍状物的源极/漏极区。
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