公开(公告)号：CN115020341A

公开(公告)日：2022-09-06

申请号：CN202210087395.8

申请日：2022-01-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 张哲纶 ,  苏品全 ,  黄歆杰 ,  吴明园 ,  林子凯 ,  王育文 ,  许哲源

IPC: H01L21/8234

Abstract: 一种半导体装置的形成方法，包括；形成第一外延层于基板上方，以形成晶圆；沉积介电层于第一外延层上方；图案化介电层以形成开口；通过开口蚀刻第一外延层，以形成凹槽；形成第二外延层于凹槽中；蚀刻介电层，以露出第一外延层的顶表面；及平坦化第一外延层的露出的顶表面及第二外延层的顶表面。

公开(公告)号：CN112405336A

公开(公告)日：2021-02-26

申请号：CN202010848776.4

申请日：2020-08-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 苏品全 ,  林政锜 ,  李冠谊 ,  黄惠琪 ,  陈科维

IPC: B24B37/26 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02 ,  B24B1/00

Abstract: 本公开一实施例公开一种研磨垫，包括一顶垫以及一子垫。子垫在顶垫之下，并与顶垫接触。顶垫包括多个顶凹槽以及多个微通道。顶凹槽沿着一顶表面。微通道从顶凹槽延伸至顶垫的底表面。子垫包括多个子凹槽。子凹槽沿着子垫的顶表面。

公开(公告)号：CN109860052A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201811234219.2

申请日：2018-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李胜男 ,  林国楹 ,  苏品全 ,  蔡腾群

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 一种鳍式场效晶体管装置的制造方法。在此鳍式场效晶体管装置的制造方法中，首先，蚀刻晶圆的半导体基材以形成至少一鳍。然后，形成绝缘结构于此至少一鳍的周围。接着，凹陷此至少一鳍。接下来，磊晶地成长磊晶通道结构于凹陷的此至少一鳍上。然后，除去绝缘结构的顶表面上的磊晶通道结构的部分。接着，在除去磊晶通道结构的前述部分后，进行非接触式清洗作业以清洗晶圆的顶表面。接下来，在除去磊晶通道结构的前述部分后，使用氟化氢清洗该晶圆的顶表面。然后，凹陷绝缘结构，以致于磊晶通道结构自凹陷的绝缘结构突伸。

公开(公告)号：CN107818919A

公开(公告)日：2018-03-20

申请号：CN201710203359.2

申请日：2017-03-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄彦钧 ,  陈婷婷 ,  苏煜中 ,  聂菱甫 ,  苏品全 ,  蔡腾群 ,  黄泰钧 ,  郑雅如

IPC: H01L21/336 ,  H01L27/088

CPC classification number: H01L21/76897 ,  H01L21/02118 ,  H01L21/02282 ,  H01L21/02337 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/31116 ,  H01L21/31144 ,  H01L21/823821 ,  H01L21/845 ,  H01L29/41791 ,  H01L29/66795 ,  H01L27/0886

Abstract: 本公开实施例公开一种半导体装置的形成方法，具体为一种鳍状场效晶体管结构与其形成方法。在一方法中，形成凹陷露出晶片上的多个半导体鳍状物。虚置接点材料形成于凹陷中。虚置接点材料含碳。以一或多道烘烤步骤硬化虚置接点材料。一或多道烘烤步骤可硬化虚置接点材料。将虚置接点材料的第一部分置换为层间介电层。将虚置接点材料的第二部分置换为多个接点。接点电性耦接至半导体鳍状物的源极/漏极区。

公开(公告)号：CN109860052B

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN201811234219.2

申请日：2018-10-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李胜男 ,  林国楹 ,  苏品全 ,  蔡腾群

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02

Abstract: 一种鳍式场效晶体管装置的制造方法。在此鳍式场效晶体管装置的制造方法中，首先，蚀刻晶圆的半导体基材以形成至少一鳍。然后，形成绝缘结构于此至少一鳍的周围。接着，凹陷此至少一鳍。接下来，磊晶地成长磊晶通道结构于凹陷的此至少一鳍上。然后，除去绝缘结构的顶表面上的磊晶通道结构的部分。接着，在除去磊晶通道结构的前述部分后，进行非接触式清洗作业以清洗晶圆的顶表面。接下来，在除去磊晶通道结构的前述部分后，使用氟化氢清洗该晶圆的顶表面。然后，凹陷绝缘结构，以致于磊晶通道结构自凹陷的绝缘结构突伸。

公开(公告)号：CN113053743A

公开(公告)日：2021-06-29

申请号：CN202011554939.4

申请日：2020-12-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄惠琪 ,  林政锜 ,  苏品全 ,  王健名 ,  陈科维

IPC: H01L21/304 ,  H01L21/3063

Abstract: 公开一种晶边移除方法。晶边薄膜移除工具包括套叠在外马达内的内马达，以及固定至外马达的晶边刷具。晶边刷具可在径向上向外调整，以容许晶圆被插入晶边刷具中且固定至内马达。晶边刷具可在径向上向内调整，以接合晶边刷具的一或多个区域，且使晶边刷具与晶圆的晶边部位接触。一旦接合，一溶液可被分配至晶边刷具的接合区域，且内马达及外马达可旋转，使得晶边刷具靠着晶圆旋转，使得晶圆的晶边薄膜被化学地及机械地移除。