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公开(公告)号：CN111261505A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911212360.7
申请日：2019-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/304
Abstract: 本公开涉及一种研磨晶圆的方法。一晶圆被研磨，通过使用第一化学物质进行化学反应以改变晶圆上的材料层的第一部分的性质。进行第一冲洗以去除第一化学物质，且延缓化学反应。接着进行机械研磨制程以去除材料层的第一部分。
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公开(公告)号：CN109860052A
公开(公告)日：2019-06-07
申请号：CN201811234219.2
申请日：2018-10-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L21/02
Abstract: 一种鳍式场效晶体管装置的制造方法。在此鳍式场效晶体管装置的制造方法中，首先，蚀刻晶圆的半导体基材以形成至少一鳍。然后，形成绝缘结构于此至少一鳍的周围。接着，凹陷此至少一鳍。接下来，磊晶地成长磊晶通道结构于凹陷的此至少一鳍上。然后，除去绝缘结构的顶表面上的磊晶通道结构的部分。接着，在除去磊晶通道结构的前述部分后，进行非接触式清洗作业以清洗晶圆的顶表面。接下来，在除去磊晶通道结构的前述部分后，使用氟化氢清洗该晶圆的顶表面。然后，凹陷绝缘结构，以致于磊晶通道结构自凹陷的绝缘结构突伸。
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公开(公告)号：CN105017973B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201410327603.2
申请日：2014-07-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C09G1/18 , C09G1/02 , H01L21/304
Abstract: 本发明提供了一种用于实施化学机械抛光(CMP)工艺的方法，该方法包括对衬底上的硬化的流体材料的表面应用CMP浆料溶液，该溶液包括用于改变硬化的流体材料的表面上的键结构的添加剂。该方法进一步包括使用抛光头抛光硬化的流体材料的表面。本发明还涉及用于硬化的流体材料的CMP浆料溶液。
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公开(公告)号：CN104916583A
公开(公告)日：2015-09-16
申请号：CN201410239159.9
申请日：2014-05-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L21/31055 , H01L21/02282 , H01L21/28123 , H01L21/3086 , H01L21/31058 , H01L21/31116 , H01L21/31138 , H01L21/31144 , H01L21/32136 , H01L21/823821 , H01L21/845 , H01L29/0692 , H01L29/66545 , H01L29/66795
Abstract: 一种IC器件制造工艺实现了材料的平坦凹进，该材料初始在衬底上的高度变化。方法包括：形成底部抗反射涂层(BARC)，烘烤以在BARC中引发交联，CMP以去除BARC的第一部分并形成平坦表面，然后等离子体蚀刻以实现BARC的平坦凹进。等离子体蚀刻可以在BARC和凹进的材料之间具有低选择性，从而使BARC和材料同时凹进。去除特定高度之上的任何材料。可以保护基本上位于特定高度下方的结构不受污染并保持完整。当使用的磨料在CMP期间与BARC形成醚键时，该方法可以特别有效。本发明涉及用于平坦凹进或去除可变高度层的BARC辅助工艺。
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公开(公告)号：CN101659034A
公开(公告)日：2010-03-03
申请号：CN200910165983.3
申请日：2009-08-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , H01L21/304 , C09G1/02 , C09K3/14
CPC classification number: B24B37/042 , H01L21/28079 , H01L21/31053 , H01L21/3212 , H01L21/823807 , H01L21/823828 , H01L29/66545 , H01L29/7843
Abstract: 本发明提供一种进行化学机械研磨的方法，包括：加工一半导体基板，以于该基板上形成一虚置栅极结构，于该虚置栅极结构上形成一硬掩模，以及于该硬掩模上形成一层间介电层；以一第一研磨浆进行一第一化学机械研磨工艺，以修饰该层间介电层其非平坦的起伏表面；以一第二研磨浆进行一第二化学机械研磨工艺，以移除该硬掩模；以及以一第三研磨浆进行一第三化学机械研磨工艺，以移除一界面层，该界面层在该半导体工艺中形成于该虚置栅极及该硬掩模之间。本发明的方法，简单且具经济效益，且不会过研磨并减少栅极的高度。也降低了在化学机械研磨工艺中损坏下方层膜的风险。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1464537A
公开(公告)日：2003-12-31
申请号：CN02124398.0
申请日：2002-06-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/31 , H01L21/283
Abstract: 本发明公开了一种low－k介电材料层结构及其制造方法，该介电材料层结构包括：一基底；一多孔性介电材料，设置于上述基底表面；以及一致密介电材料，设置于上述多孔性介电材料之上。其制造方法包括：提供一基底；在一基底上形成一low－k的多孔性介电材料，接着，再覆盖上一层致密的介电材料于多孔性介电材料表面。可防止多孔性介电材料剥落(peeling)的问题发生。
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公开(公告)号：CN109860038B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201810689001.X
申请日：2018-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , C09G1/02
Abstract: 一种半导体装置的制造方法包括提供一基材，此基材上形成有氧化硅层和覆盖氧化硅层的金属氧化物层。此方法还包括制备CMP浆料。所述CMP浆料包括带有负电荷的多个研磨粒、包含(XaYb)‑基团的路易士碱和缓冲溶液。X代表IIIA族元素或前期过渡金属，Y代表氮族元素、氧族元素或卤素，a>0且b>0。所述CMP浆料具有实质为2至7的pH值。接着，对金属氧化物层的表面进行平坦化操作，直至氧化硅层的表面暴露出。此平坦化操作具有金属氧化物层相对于氧化硅层的高选择性。
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公开(公告)号：CN109848855B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201811380591.4
申请日：2018-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017
Abstract: 本揭露提供了一种调节研磨垫的方法，并且此方法包括：量测研磨垫的表面轮廓；获得研磨垫的参考轮廓；将研磨垫的表面轮廓与参考轮廓进行比较以产生差异结果；根据差异结果决定调节参数值；以及使用调节参数值调节研磨垫。
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公开(公告)号：CN112563193A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011024385.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , C09G1/02
Abstract: 本公开涉及一种集成电路装置的制造方法。本公开还涉及一半导体基板，具有组成均匀的金属，以及具有此金属与一氧化物的嵌入式表面。使用包括第一研磨剂以及第一胺基碱的第一浆料，直到露出嵌入式表面。使用包括第二研磨剂以及第二胺基碱的第二浆料研磨嵌入式表面。第二研磨剂与第一研磨剂不同。第二胺基碱与第一胺基碱不同。此金属与此氧化物在第一浆料中分别具有第一移除速率与第二移除速率，以及在第二浆料中分别具有第三移除速率与第四移除速率。第一移除速率对第二移除速率的比例大于30：1，以及第三移除速率对第四移除速率的比例为约1：0.5至约1：2。
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