公开(公告)号：CN1464537A

公开(公告)日：2003-12-31

申请号：CN02124398.0

申请日：2002-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周子仁 ,  章勋明 ,  陈盈和 ,  李胜男

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种low－k介电材料层结构及其制造方法，该介电材料层结构包括：一基底；一多孔性介电材料，设置于上述基底表面；以及一致密介电材料，设置于上述多孔性介电材料之上。其制造方法包括：提供一基底；在一基底上形成一low－k的多孔性介电材料，接着，再覆盖上一层致密的介电材料于多孔性介电材料表面。可防止多孔性介电材料剥落(peeling)的问题发生。

公开(公告)号：CN1217389C

公开(公告)日：2005-08-31

申请号：CN02124398.0

申请日：2002-06-21

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 周子仁 ,  章勋明 ,  陈盈和 ,  李胜男

IPC: H01L21/31 ,  H01L21/283

Abstract: 本发明公开了一种low-k介电材料层结构，该介电材料层结构包括：一基底；多个多孔性介电材料，由下往上依序设置于上述基底上；以及多个致密介电材料，交错地设置于上述多孔性介电材料间，其中所述多孔性介电材料的表面积由下往上递减。本发明的介电材料层结构可防止多孔性介电材料剥落(peeling)的问题发生。