公开(公告)号：CN102683237A

公开(公告)日：2012-09-19

申请号：CN201110307168.3

申请日：2011-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李储安 ,  黄惠琪 ,  张简鹏崇

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/321

CPC classification number: B24B37/20 ,  B24B37/013 ,  B24B37/205 ,  B24B49/12 ,  G05B2219/49085 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种焊盘寿命对化学机械抛光影响的自适应端点方法。该方法包括：为化学机械抛光(CMP)系统中的抛光焊盘限定焊盘寿命的多个时间区域；根据焊盘寿命的多个时间区域将阶梯系数分配给抛光焊盘；根据焊盘寿命影响分别限定多个时间区域的多个端点窗口；将CMP工艺施加给位于抛光焊盘上的晶圆；基于阶梯系数确定晶圆的抛光信号的时间区域；根据时间区域使端点窗口之一与抛光信号相关联；以及在由端点窗口所确定的端点处结束CMP工艺。

公开(公告)号：CN111261505A

公开(公告)日：2020-06-09

申请号：CN201911212360.7

申请日：2019-12-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李胜男 ,  蔡腾群 ,  李储安 ,  吴振豪 ,  廖峻宏 ,  赵皇麟

IPC: H01L21/304

Abstract: 本公开涉及一种研磨晶圆的方法。一晶圆被研磨，通过使用第一化学物质进行化学反应以改变晶圆上的材料层的第一部分的性质。进行第一冲洗以去除第一化学物质，且延缓化学反应。接着进行机械研磨制程以去除材料层的第一部分。

公开(公告)号：CN102683237B

公开(公告)日：2015-01-14

申请号：CN201110307168.3

申请日：2011-10-11

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李储安 ,  黄惠琪 ,  张简鹏崇

IPC: H01L21/66 ,  H01L21/321

CPC classification number: B24B37/20 ,  B24B37/013 ,  B24B37/205 ,  B24B49/12 ,  G05B2219/49085 ,  H01J37/32963 ,  H01L21/3212 ,  H01L22/26 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供了一种焊盘寿命对化学机械抛光影响的自适应端点方法。该方法包括：为化学机械抛光(CMP)系统中的抛光焊盘限定焊盘寿命的多个时间区域；根据焊盘寿命的多个时间区域将阶梯系数分配给抛光焊盘；根据焊盘寿命影响分别限定多个时间区域的多个端点窗口；将CMP工艺施加给位于抛光焊盘上的晶圆；基于阶梯系数确定晶圆的抛光信号的时间区域；根据时间区域使端点窗口之一与抛光信号相关联；以及在由端点窗口所确定的端点处结束CMP工艺。