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公开(公告)号：CN110776873A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910682996.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C09K3/14 , H01L21/768
Abstract: 化学机械研磨及/或平坦化工艺所用的研磨液组成，包括氧化剂，包括一或多个氧原子；以及研磨粒子，具有壳层结构围绕核心结构。核心结构包括第一化合物，壳层结构包括第二化合物，且第一化合物与第二化合物不同，其中核心结构的直径大于壳层结构的厚度，且其中第一化合物设置为与氧化剂反应形成反应性氧物种。
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公开(公告)号：CN112563193A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011024385.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , C09G1/02
Abstract: 本公开涉及一种集成电路装置的制造方法。本公开还涉及一半导体基板，具有组成均匀的金属，以及具有此金属与一氧化物的嵌入式表面。使用包括第一研磨剂以及第一胺基碱的第一浆料，直到露出嵌入式表面。使用包括第二研磨剂以及第二胺基碱的第二浆料研磨嵌入式表面。第二研磨剂与第一研磨剂不同。第二胺基碱与第一胺基碱不同。此金属与此氧化物在第一浆料中分别具有第一移除速率与第二移除速率，以及在第二浆料中分别具有第三移除速率与第四移除速率。第一移除速率对第二移除速率的比例大于30：1，以及第三移除速率对第四移除速率的比例为约1：0.5至约1：2。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110774167A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910682902.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种化学机械研磨垫的形成方法，包括提供嵌段共聚物的溶液，其中嵌段共聚物包括第一链段和连接第一链段的第二链段，第二链段与第一链段在组成上不相同。此形成方法还包括对嵌段共聚物的溶液进行处理，以形成具有第一相和嵌入于第一相的第二相的一聚合物网络，其中第一相包括第一链段，第二相包括第二链段。随后自聚合物网络将第二相移除，因而形成一聚合物膜，此聚合物膜包括嵌入于第一相的孔隙网络。之后，形成方法包括结合CMP顶部垫与一CMP子垫而形成一CMP研磨垫，其中CMP顶部垫配置为在化学机械研磨制程期间与一工作件接合。本发明还涉及到一种化学机械研磨方法及其装置。
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公开(公告)号：CN115365994A
公开(公告)日：2022-11-22
申请号：CN202210712713.5
申请日：2022-06-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/00 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/34 , B24B57/02
Abstract: 本公开描述一种抛光方法和一种抛光设备，可增强用于化学机械抛光制程的研磨浆氧化性。抛光方法可包括将一基板固定至一抛光系统的一承载件之上。所述抛光方法可更包括借由抛光系统的一供料器分配一第一研磨浆至抛光系统的一抛光垫。所述抛光方法可更包括借由增强第一研磨浆的氧化性形成一第二研磨浆，以及使用第二研磨浆在基板上执行一抛光制程。
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公开(公告)号：CN110774167B
公开(公告)日：2022-04-15
申请号：CN201910682902.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种化学机械研磨垫的形成方法，包括提供嵌段共聚物的溶液，其中嵌段共聚物包括第一链段和连接第一链段的第二链段，第二链段与第一链段在组成上不相同。此形成方法还包括对嵌段共聚物的溶液进行处理，以形成具有第一相和嵌入于第一相的第二相的一聚合物网络，其中第一相包括第一链段，第二相包括第二链段。随后自聚合物网络将第二相移除，因而形成一聚合物膜，此聚合物膜包括嵌入于第一相的孔隙网络。之后，形成方法包括结合CMP顶部垫与一CMP子垫而形成一CMP研磨垫，其中CMP顶部垫配置为在化学机械研磨制程期间与一工作件接合。本发明还涉及到一种化学机械研磨方法及其装置。
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公开(公告)号：CN111261505A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN201911212360.7
申请日：2019-12-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/304
Abstract: 本公开涉及一种研磨晶圆的方法。一晶圆被研磨，通过使用第一化学物质进行化学反应以改变晶圆上的材料层的第一部分的性质。进行第一冲洗以去除第一化学物质，且延缓化学反应。接着进行机械研磨制程以去除材料层的第一部分。
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公开(公告)号：CN220439613U
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202321381672.2
申请日：2023-06-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置，包括位于基板上的导电结构，所述导电结构具有：顶表面、在第一接点与顶表面相交的第一侧壁、以及在第二接点与顶表面相交的第二侧壁；以及位于导电结构之上的阻挡层，所述阻挡层包括：沿着第一侧壁向下延伸的第一凸部、沿着第二侧壁向下延伸的第二凸部、以及在顶表面之上且与第一凸部及第二凸部互连的横向桥部。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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