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公开(公告)号:CN220439613U
公开(公告)日:2024-02-02
申请号:CN202321381672.2
申请日:2023-06-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/528
Abstract: 一种半导体装置,包括位于基板上的导电结构,所述导电结构具有:顶表面、在第一接点与顶表面相交的第一侧壁、以及在第二接点与顶表面相交的第二侧壁;以及位于导电结构之上的阻挡层,所述阻挡层包括:沿着第一侧壁向下延伸的第一凸部、沿着第二侧壁向下延伸的第二凸部、以及在顶表面之上且与第一凸部及第二凸部互连的横向桥部。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利