公开(公告)号：CN110776873A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910682996.1

申请日：2019-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李安璿 ,  李胜男 ,  吴振豪 ,  廖峻宏 ,  蔡腾群 ,  赵皇麟

IPC: C09K3/14 ,  H01L21/768

Abstract: 化学机械研磨及/或平坦化工艺所用的研磨液组成，包括氧化剂，包括一或多个氧原子；以及研磨粒子，具有壳层结构围绕核心结构。核心结构包括第一化合物，壳层结构包括第二化合物，且第一化合物与第二化合物不同，其中核心结构的直径大于壳层结构的厚度，且其中第一化合物设置为与氧化剂反应形成反应性氧物种。

公开(公告)号：CN112563193A

公开(公告)日：2021-03-26

申请号：CN202011024385.7

申请日：2020-09-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李安璿 ,  廖峻宏 ,  吴振豪 ,  李胜男 ,  蔡腾群 ,  赵皇麟

IPC: H01L21/768 ,  C09G1/02

Abstract: 本公开涉及一种集成电路装置的制造方法。本公开还涉及一半导体基板，具有组成均匀的金属，以及具有此金属与一氧化物的嵌入式表面。使用包括第一研磨剂以及第一胺基碱的第一浆料，直到露出嵌入式表面。使用包括第二研磨剂以及第二胺基碱的第二浆料研磨嵌入式表面。第二研磨剂与第一研磨剂不同。第二胺基碱与第一胺基碱不同。此金属与此氧化物在第一浆料中分别具有第一移除速率与第二移除速率，以及在第二浆料中分别具有第三移除速率与第四移除速率。第一移除速率对第二移除速率的比例大于30：1，以及第三移除速率对第四移除速率的比例为约1：0.5至约1：2。

公开(公告)号：CN110774167A

公开(公告)日：2020-02-11

申请号：CN201910682902.0

申请日：2019-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李安璿 ,  佘铭轩 ,  吴振豪 ,  廖峻宏 ,  李胜男 ,  蔡腾群

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B37/34 ,  B24D18/00 ,  H01L21/306

Abstract: 一种化学机械研磨垫的形成方法，包括提供嵌段共聚物的溶液，其中嵌段共聚物包括第一链段和连接第一链段的第二链段，第二链段与第一链段在组成上不相同。此形成方法还包括对嵌段共聚物的溶液进行处理，以形成具有第一相和嵌入于第一相的第二相的一聚合物网络，其中第一相包括第一链段，第二相包括第二链段。随后自聚合物网络将第二相移除，因而形成一聚合物膜，此聚合物膜包括嵌入于第一相的孔隙网络。之后，形成方法包括结合CMP顶部垫与一CMP子垫而形成一CMP研磨垫，其中CMP顶部垫配置为在化学机械研磨制程期间与一工作件接合。本发明还涉及到一种化学机械研磨方法及其装置。

公开(公告)号：CN115365994A

公开(公告)日：2022-11-22

申请号：CN202210712713.5

申请日：2022-06-22

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 廖峻宏 ,  吴振豪 ,  李安璿 ,  赵皇麟

IPC: B24B37/00 ,  B24B37/005 ,  B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02

Abstract: 本公开描述一种抛光方法和一种抛光设备，可增强用于化学机械抛光制程的研磨浆氧化性。抛光方法可包括将一基板固定至一抛光系统的一承载件之上。所述抛光方法可更包括借由抛光系统的一供料器分配一第一研磨浆至抛光系统的一抛光垫。所述抛光方法可更包括借由增强第一研磨浆的氧化性形成一第二研磨浆，以及使用第二研磨浆在基板上执行一抛光制程。

公开(公告)号：CN110774167B

公开(公告)日：2022-04-15

申请号：CN201910682902.0

申请日：2019-07-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李安璿 ,  佘铭轩 ,  吴振豪 ,  廖峻宏 ,  李胜男 ,  蔡腾群

IPC: B24B37/10 ,  B24B37/24 ,  B24B37/26 ,  B24B37/34 ,  B24D18/00 ,  H01L21/306

Abstract: 一种化学机械研磨垫的形成方法，包括提供嵌段共聚物的溶液，其中嵌段共聚物包括第一链段和连接第一链段的第二链段，第二链段与第一链段在组成上不相同。此形成方法还包括对嵌段共聚物的溶液进行处理，以形成具有第一相和嵌入于第一相的第二相的一聚合物网络，其中第一相包括第一链段，第二相包括第二链段。随后自聚合物网络将第二相移除，因而形成一聚合物膜，此聚合物膜包括嵌入于第一相的孔隙网络。之后，形成方法包括结合CMP顶部垫与一CMP子垫而形成一CMP研磨垫，其中CMP顶部垫配置为在化学机械研磨制程期间与一工作件接合。本发明还涉及到一种化学机械研磨方法及其装置。

公开(公告)号：CN222896688U

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202421461826.3

申请日：2024-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁正庸 ,  叶韦廷 ,  黄一涵 ,  吴振豪 ,  李安璿 ,  赵皇麟 ,  彭羽筠 ,  林耕竹

IPC: H01L23/538 ,  H10D84/83

Abstract: 一种半导体结构，包括集成电路芯片，其具有装置区与周边区。第一集成电路芯片包括基板；装置层，位于基板上；内连线结构，位于装置层上；氮化物层，位于周边区中的内连线结构的第一部分上；以及氧化物层，位于装置区中的内连线结构的第二部分上。氧化物层的上表面与氮化物层的上表面实质上共平面。半导体结构还包括第二集成电路芯片位于氧化物层上。