公开(公告)号：CN119421480A

公开(公告)日：2025-02-11

申请号：CN202411064114.2

申请日：2024-08-05

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 詹贵麟 ,  叶韦廷 ,  颜甫庭 ,  彭羽筠 ,  林耕竹

IPC: H10D84/03 ,  H01L21/02 ,  H10D84/85

Abstract: 本公开的一个实施例提供一种半导体装置结构的制造方法。所述方法包括移除设置在第二半导体层与第三半导体层之间的第一半导体层，以及执行氧化物回填工艺以在第二半导体层与第三半导体层之间形成无缝介电材料。氧化物回填工艺包括将第二导体层以及第三半导体层暴露于含硅前驱物达第一持续时间以形成单层，以及将单层暴露于含氧前驱物达第二持续时间以形成无缝介电材料，含氧前驱物具有第二流速，第二流速为第一流速的大约2倍至大约20倍，且第二持续时间为第一持续时间的大约2倍至大约20倍。

公开(公告)号：CN119835971A

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202411439266.6

申请日：2024-10-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁正庸 ,  叶韦廷 ,  颜甫庭 ,  颜鸿宇 ,  林建宏 ,  詹贵麟 ,  彭羽筠 ,  林耕竹

IPC: H10D30/62 ,  H10D30/01 ,  H10D62/60 ,  H10D64/27

Abstract: 描述了半导体器件结构及其形成方法。结构包括：栅极介电层，设置在衬底上方；栅电极层，设置在栅极介电层上方；以及第一栅极间隔件，邻近栅极介电层设置。第一栅极间隔件包括面向栅极介电层的内表面和与内表面相对的外表面，并且第一栅极间隔件包括从内表面和外表面朝着第一栅极间隔件的中心降低的氟浓度。结构还包括设置在第一栅极间隔件的外表面上的第二栅极间隔件，并且第二栅极间隔件包括从外表面朝着内表面降低的氟浓度。

公开(公告)号：CN115863433A

公开(公告)日：2023-03-28

申请号：CN202211069117.6

申请日：2022-09-02

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 叶韦廷 ,  颜鸿宇 ,  彭羽筠 ,  林耕竹

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/06 ,  H01L21/336

Abstract: 提供了半导体器件结构和形成半导体器件结构的方法。该方法包括在衬底上方形成牺牲基层以及在牺牲基层上方形成半导体堆叠件。半导体堆叠件具有位于牺牲基层上方的第一半导体层、位于第一半导体层上方的牺牲层和位于牺牲层上方的第二半导体层；在形成外延源极/漏极结构之前，去除牺牲基层，以在衬底和第一半导体层之间形成间隙；以及在间隙中形成含金属的多层介电结构。

公开(公告)号：CN222015403U

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202420239351.7

申请日：2024-01-31

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁正庸 ,  彭羽筠 ,  叶韦廷 ,  许志成 ,  林耕竹

IPC: H01L23/48 ,  H01L23/522 ,  H01L23/528

Abstract: 本公开实施例提出一种承载结构。在一些实施例中，此方法包括在一基板之上形成一或多个装置、在一或多个装置之上形成一第一互连结构以及将第一互连结构接合到一承载结构。承载结构包括一半导体基板、一释放层以及一第一介电层，并且释放层包括一金属氮化物。此方法还包括翻转一或多个装置，使得承载结构位于一底部、执行背面工艺、翻转一或多个装置，使得承载结构位于一顶部以及将承载结构暴露于红外光。部分的释放层与第一介电层分离。

公开(公告)号：CN222896688U

公开(公告)日：2025-05-23

申请号：CN202421461826.3

申请日：2024-06-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 梁正庸 ,  叶韦廷 ,  黄一涵 ,  吴振豪 ,  李安璿 ,  赵皇麟 ,  彭羽筠 ,  林耕竹

IPC: H01L23/538 ,  H10D84/83

Abstract: 一种半导体结构，包括集成电路芯片，其具有装置区与周边区。第一集成电路芯片包括基板；装置层，位于基板上；内连线结构，位于装置层上；氮化物层，位于周边区中的内连线结构的第一部分上；以及氧化物层，位于装置区中的内连线结构的第二部分上。氧化物层的上表面与氮化物层的上表面实质上共平面。半导体结构还包括第二集成电路芯片位于氧化物层上。