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公开(公告)号：CN110776873A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910682996.1
申请日：2019-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: C09K3/14 , H01L21/768
Abstract: 化学机械研磨及/或平坦化工艺所用的研磨液组成，包括氧化剂，包括一或多个氧原子；以及研磨粒子，具有壳层结构围绕核心结构。核心结构包括第一化合物，壳层结构包括第二化合物，且第一化合物与第二化合物不同，其中核心结构的直径大于壳层结构的厚度，且其中第一化合物设置为与氧化剂反应形成反应性氧物种。
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公开(公告)号：CN103365078A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201210357267.7
申请日：2012-09-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: G03F7/095 , G03F7/0045 , G03F7/0392
Abstract: 本发明提供了一种敏感材料。该敏感材料包括响应于与酸的反应转变成可溶于碱液的聚合物；响应于辐射能分解以形成碱的多种光产碱剂(PBG)；以及响应于热能产生酸的热敏组分。本发明公开了方法和双敏感光刻胶的组成。
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公开(公告)号：CN110648994B
公开(公告)日：2021-05-07
申请号：CN201910560047.6
申请日：2019-06-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/522 , H01L23/528 , H01L21/768
Abstract: 本文公开了一种互连结构，包括：通孔，设置在介电层中，其中，所述通孔连接第一互连部件和第二互连部件，并且所述通孔包括：通孔阻挡层，与所述介电层物理接触；以及所述通孔包括通孔插塞，设置在所述通孔阻挡层和所述第一互连部件之间，从而使得所述通孔插塞与所述第一互连部件和所述介电层物理接触。本发明实施例还公开了多层互连部件的互连结构、以及互连结构制造方法。
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公开(公告)号：CN105093842B
公开(公告)日：2017-06-06
申请号：CN201510201052.X
申请日：2015-04-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G03F7/20
CPC classification number: G03F7/322 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0382 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/11 , G03F7/2041 , G03F7/30
Abstract: 在一个实施例中，提供了制备和使用光敏材料的方法，该方法包括选择光刻胶，该光刻胶是正性光刻胶和负性光刻胶中的一种。基于光刻胶选择第一附加材料或第二附加材料。第一附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和碱组分，如果提供正性光刻胶，则选择第一附加材料。第二附加材料具有附接至聚合物链的氟组分和酸组分，如果提供负性光刻胶，则选择第二附加材料。将所选择的光刻胶和所选择的附加材料施加至目标衬底。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109860038B
公开(公告)日：2021-05-25
申请号：CN201810689001.X
申请日：2018-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/306 , C09G1/02
Abstract: 一种半导体装置的制造方法包括提供一基材，此基材上形成有氧化硅层和覆盖氧化硅层的金属氧化物层。此方法还包括制备CMP浆料。所述CMP浆料包括带有负电荷的多个研磨粒、包含(XaYb)‑基团的路易士碱和缓冲溶液。X代表IIIA族元素或前期过渡金属，Y代表氮族元素、氧族元素或卤素，a>0且b>0。所述CMP浆料具有实质为2至7的pH值。接着，对金属氧化物层的表面进行平坦化操作，直至氧化硅层的表面暴露出。此平坦化操作具有金属氧化物层相对于氧化硅层的高选择性。
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公开(公告)号：CN109848855B
公开(公告)日：2021-04-20
申请号：CN201811380591.4
申请日：2018-11-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B53/017
Abstract: 本揭露提供了一种调节研磨垫的方法，并且此方法包括：量测研磨垫的表面轮廓；获得研磨垫的参考轮廓；将研磨垫的表面轮廓与参考轮廓进行比较以产生差异结果；根据差异结果决定调节参数值；以及使用调节参数值调节研磨垫。
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公开(公告)号：CN112563193A
公开(公告)日：2021-03-26
申请号：CN202011024385.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , C09G1/02
Abstract: 本公开涉及一种集成电路装置的制造方法。本公开还涉及一半导体基板，具有组成均匀的金属，以及具有此金属与一氧化物的嵌入式表面。使用包括第一研磨剂以及第一胺基碱的第一浆料，直到露出嵌入式表面。使用包括第二研磨剂以及第二胺基碱的第二浆料研磨嵌入式表面。第二研磨剂与第一研磨剂不同。第二胺基碱与第一胺基碱不同。此金属与此氧化物在第一浆料中分别具有第一移除速率与第二移除速率，以及在第二浆料中分别具有第三移除速率与第四移除速率。第一移除速率对第二移除速率的比例大于30：1，以及第三移除速率对第四移除速率的比例为约1：0.5至约1：2。
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公开(公告)号：CN110774167A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910682902.0
申请日：2019-07-26
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种化学机械研磨垫的形成方法，包括提供嵌段共聚物的溶液，其中嵌段共聚物包括第一链段和连接第一链段的第二链段，第二链段与第一链段在组成上不相同。此形成方法还包括对嵌段共聚物的溶液进行处理，以形成具有第一相和嵌入于第一相的第二相的一聚合物网络，其中第一相包括第一链段，第二相包括第二链段。随后自聚合物网络将第二相移除，因而形成一聚合物膜，此聚合物膜包括嵌入于第一相的孔隙网络。之后，形成方法包括结合CMP顶部垫与一CMP子垫而形成一CMP研磨垫，其中CMP顶部垫配置为在化学机械研磨制程期间与一工作件接合。本发明还涉及到一种化学机械研磨方法及其装置。
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公开(公告)号：CN109585278A
公开(公告)日：2019-04-05
申请号：CN201811142966.3
申请日：2018-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/027
Abstract: 一种用以形成多层式光罩的方法包含在目标结构上形成碳涂(spin-on carbon；SOC)层；化学处理该碳涂层的上部分；在碳涂层上形成牺牲层；在牺牲层上进行化学机械研磨程序，直到抵达碳涂层，其中该碳涂层经化学处理的上部分对该化学机械研磨程序的阻抗高于牺牲层对该化学机械研磨程序的阻抗；在化学机械研磨程序后，于碳涂层上形成图案化光阻层；以及使用图案化光阻层作为光罩，蚀刻目标结构。
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