公开(公告)号：CN113314402B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202110214175.2

申请日：2021-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 制造半导体装置的方法包含在基板上形成包含光阻剂组成物的光阻层。光阻剂组成物包含光活性化合物、聚合物与交联剂。聚合物具有结构：#imgabs0#交联剂包含从以下选出的结构：‑B1‑OH、‑B2‑ORa、‑B3‑NH2、‑B4‑NR2与#imgabs1#A1、A2、A3、B1、B2、B3、B4与D各自为C1至C30的芳基、烷基、环烷基、羟烷基、烷氧基、烷氧基烷基、乙酰基、乙酰基烷基、羧基、烷基羧基、环烷基羧基、碳氢环、杂环基、链、环、立体结构；R1、R2与Ra为C4至C15的链、环、立体结构的的烷基、环烷基、羟烷基、烷氧基或烷氧基烷基，聚合物中的x、y与z比例为0≤x/(x+y+z)≤1、0≤y/(x+y+z)≤1且0≤z/(x+y+z)≤1，且在同一个聚合物中，x、y与z皆不为0。

公开(公告)号：CN119493335A

公开(公告)日：2025-02-21

申请号：CN202410994685.X

申请日：2024-07-24

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨立柏 ,  赖韦翰 ,  罗冠昕 ,  张庆裕

IPC: G03F7/004 ,  G03F7/20

Abstract: 本申请涉及用于极紫外光刻法的含硫醇光致抗蚀剂组合物。所述光致抗蚀剂组合物可用于制造半导体器件，制造半导体器件的方法包括在基板上方由光致抗蚀剂组合物形成光致抗蚀剂层。将所述光致抗蚀剂层选择性地曝光于光化辐射以形成潜在图案，并且通过将显影剂施加至经选择性曝光的光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂来使所述潜在图案显影。所述光致抗蚀剂组合物包含光活性化合物、包含芳基基团和酸不稳定基团的含硫醇聚合物。所述硫醇基团可以经由氧化二硫键形成和/或硫醇‑烯/炔“点击”反应来使所述聚合物交联。

公开(公告)号：CN117352374A

公开(公告)日：2024-01-05

申请号：CN202310531991.5

申请日：2023-05-12

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 谢洁欣 ,  赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/075

Abstract: 本公开涉及半导体器件的制造方法。一种制造半导体器件的方法，所述方法包括在衬底上形成第一层，所述第一层包括有机材料。在第一层上形成第二层，其中，所述第二层包括含硅材料和选自由以下组成的组中的一种或多种：光致酸产生剂、包括碘取代基的光化辐射吸收添加剂和具有碘取代基或酚基取代基的含硅单体。在第二层上形成光敏层，且对所述光敏层进行图案化。

公开(公告)号：CN112748637A

公开(公告)日：2021-05-04

申请号：CN202011154513.X

申请日：2020-10-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 杨立柏 ,  赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: G03F7/038 ,  G03F7/004 ,  G03F7/32

Abstract: 本揭露提供一种负光阻及其显影的方法。例如；负光阻包含溶剂、溶解抑制剂以及聚合物。聚合物包含一个羟基。聚合物占负光阻总重的40重量百分比以上。

公开(公告)号：CN105990104B

公开(公告)日：2019-12-13

申请号：CN201510860185.8

申请日：2015-11-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦翰 ,  张庆裕 ,  林进祥 ,  吴承翰 ,  王筱姗

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/00 ,  G03F7/26

Abstract: 本发明涉及一种制造一半导体装置的方法。该方法包括：形成一材料层于一基板之上；形成一负型光致抗蚀剂层于该材料层之上；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光工艺；对该负型光致抗蚀剂层执行一曝光后烘烤工艺；在该曝光工艺与该曝光后烘烤工艺之后，以一溶剂来处理该负型光致抗蚀剂层；该溶剂包含具有一大于正乙酸丁酯的偶极矩的一化学品。

公开(公告)号：CN105895509A

公开(公告)日：2016-08-24

申请号：CN201610054467.3

申请日：2016-01-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦翰 ,  张庆裕 ,  王建惟

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/20

CPC classification number: G03F7/091 ,  B05D3/007 ,  C08F18/04 ,  C08F220/22 ,  G03F7/0046 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/0395 ,  G03F7/0397 ,  G03F7/11 ,  G03F7/16 ,  G03F7/2041 ,  H01L21/0271 ,  H01L21/0274 ,  H01L21/0276 ,  H01L21/033 ,  G03F7/70 ,  G03F7/70033 ,  H01L21/0272

Abstract: 在衬底上方形成可图案化层。在可图案化层上方形成光敏层。光敏层包含添加剂。添加剂至少包含浮动控制化学成分和容量控制化学成分。对光敏层实施旋转干燥和/或烘烤工艺。浮动控制化学成分使添加剂在旋转干燥或烘烤期间上升。此后，作为远紫外(EUV)光刻工艺的部分，曝光光敏层。在曝光期间在光敏层内部生成一种或多种脱气化学物质。容量控制化学成分足够大量和致密以将脱气化学物质捕获在光敏层内部。本发明的实施例还涉及用于脱气减少和带外辐射吸收的新光刻胶添加剂。

公开(公告)号：CN115410989A

公开(公告)日：2022-11-29

申请号：CN202210590272.6

申请日：2022-05-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 黄景弘 ,  赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/768

Abstract: 本文涉及多层结构的下层及使用其的方法。所述方法包括：在衬底上提供分层结构，该分层结构包含在衬底上方形成的底层和在底层上方形成的光致抗蚀剂层；将光致抗蚀剂层暴露于辐射源；显影光致抗蚀剂层；图案化底层；以及穿过在图案化的底层中的开口而去除部分衬底。在一些实施方案中，在底层和光致抗蚀剂层之间提供中间层。底层的材料包含至少一种交联剂，该交联剂已被官能化以降低其对底层中其他材料的亲和力。

公开(公告)号：CN107203092B

公开(公告)日：2022-06-21

申请号：CN201611187173.4

申请日：2016-12-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: G03F1/56 ,  G03F1/76

Abstract: 一种半导体装置的制作方法，包括：形成光致抗蚀剂图案于可图案化层上。光致抗蚀剂层包含负型光致抗蚀剂材料。对光致抗蚀剂层进行曝光工艺。对光致抗蚀剂层进行曝光后烘烤工艺。冲洗光致抗蚀剂层以显影光致抗蚀剂图案。施加底漆材料至光致抗蚀剂图案。底漆材料为设置用于使光致抗蚀剂图案轮廓平直化，增加光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元数目、或与光致抗蚀剂材料的去保护酸敏基团单元键结。在施加底漆材料后，涂布收缩材料于光致抗蚀剂图案上、烘烤收缩材料、以及移除部分的收缩材料以增大光致抗蚀剂图案。以增大的光致抗蚀剂图案作为掩模，图案化可图案化层。

公开(公告)号：CN108231547B

公开(公告)日：2022-01-21

申请号：CN201710367867.4

申请日：2017-05-23

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦翰 ,  王建惟 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027 ,  H01L21/033

Abstract: 提供改质基板的方法与材料组成。图案化基板以包含多个结构。结构包含第一子集，其具有一或多个实质上钝性的表面。在多种实施例中，沉积底漆材料于基板上、结构上、以及实质上钝性的表面上。举例来说，沉积的底漆材料至少键合至实质上钝性的表面。此外，沉积的底漆材料提供改质的基板表面。在沉积底漆材料后，旋转涂布层状物于改质的基板表面上，其中旋转涂布的层状物实质上平坦。

公开(公告)号：CN113126433A

公开(公告)日：2021-07-16

申请号：CN202011611909.2

申请日：2020-12-30

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: G03F7/004

Abstract: 制造半导体元件的方法包括在基板上方形成光阻层。将光阻层选择性地曝露于辐射，并且将选择性曝露的光阻层显影。光阻剂组成物包含光活性化合物、交联剂、共聚物。