公开(公告)号：CN108123700A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710426206.4

申请日：2017-06-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖柏嘉 ,  高章瑞 ,  刘祈麟 ,  沈孟弘 ,  斯帝芬 ,  鲁苏 ,  陈彦豪

IPC: H03K3/012

Abstract: 一种被配置成将输入信号锁存至输出信号的触发器电路。所述电路包括：第一锁存电路；以及第二锁存电路，耦合至所述第一锁存电路。在某些实施例中，响应于时钟信号，所述第一锁存电路与所述第二锁存电路被互补地激活以将所述输入信号锁存至所述输出信号，且所述第一锁存电路及所述第二锁存电路分别包括至多两个被配置成接收所述时钟信号的晶体管。

公开(公告)号：CN106527046A

公开(公告)日：2017-03-22

申请号：CN201610669564.3

申请日：2016-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  王建惟

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/027

CPC classification number: G03F7/0045 ,  G03F7/004 ,  G03F7/038 ,  G03F7/0382 ,  G03F7/0392 ,  G03F7/30 ,  H01L21/0271

Abstract: 本发明涉及光刻胶以及使用光刻胶实施光刻工艺的方法。光刻胶包括聚合物以及光生酸剂。光生酸剂包括感光剂组分、产酸剂组分和键合所述感光剂组分与所述产酸剂组分的键合组分。键合组分可为单键或共轭键。光刻工艺可为EUV光刻工艺或电子束光刻工艺。本发明涉及一种具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶。

公开(公告)号：CN112864002B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202010788008.4

申请日：2020-08-07

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  赖韦翰 ,  张庆裕 ,  林进祥

IPC: H01L21/027

Abstract: 本文揭示一种制造半导体元件的方法。方法包括在基板的经图案化表面上形成第一平坦化材料的第一层，在第一平坦化层上形成第二平坦化材料的第二层，交联第一平坦化材料的一部分及第二平坦化材料的一部分，并移除第二平坦化材料中未经交联的一部分。在一实施例中，方法进一步包括在移除第二平坦化材料中未经交联的部分之后，在第二平坦化材料上形成第三平坦化材料的第三层。第三平坦化材料可包括底部抗反射涂膜或旋涂碳，及酸或酸产生剂。第一平坦化材料可包括旋涂碳及酸、热酸产生剂或光酸产生剂。

公开(公告)号：CN106527046B

公开(公告)日：2020-06-26

申请号：CN201610669564.3

申请日：2016-08-15

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  王建惟

IPC: G03F7/004 ,  H01L21/027

Abstract: 本发明涉及光刻胶以及使用光刻胶实施光刻工艺的方法。光刻胶包括聚合物以及光生酸剂。光生酸剂包括感光剂组分、产酸剂组分和键合所述感光剂组分与所述产酸剂组分的键合组分。键合组分可为单键或共轭键。光刻工艺可为EUV光刻工艺或电子束光刻工艺。本发明涉及一种具有键合至产酸剂的感光剂的新光刻胶。

公开(公告)号：CN106353969B

公开(公告)日：2020-05-08

申请号：CN201610013802.5

申请日：2016-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑雅玲 ,  张庆裕 ,  王建惟 ,  陈彦豪

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明的更广泛形式之一涉及制造半导体器件的法。方法包括将光刻胶层曝光于辐射源以及将硬化剂应用于光刻胶层。因此，在应用硬化剂之后，光刻胶层的第一部分具有比光刻胶层的第二部分更高的玻璃化转变温度、更高的机械强度。本发明实施例涉及光刻工艺和材料。

公开(公告)号：CN108121154A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710344344.8

申请日：2017-05-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  赖韦翰 ,  王建惟 ,  林进祥

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明一些实施例提供提供光刻图案化的方法，包括形成光致抗蚀剂层于基板上，其中光致抗蚀剂层包含聚合物、光敏剂、与光酸产生剂，其中光酸产生剂包含化学键合至硫的第一苯环与第二苯环，第一苯环与第二苯环更化学键合在一起，以增加光酸产生剂的敏感度；对光致抗蚀剂层进行曝光工艺；以及显影光致抗蚀剂层以形成图案化的光致抗蚀剂层。本发明提供敏感度增加的光致抗蚀剂材料，可增加光致抗蚀剂材料的敏感度。

公开(公告)号：CN113314402B

公开(公告)日：2025-03-25

申请号：CN202110214175.2

申请日：2021-02-25

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈彦豪 ,  赖韦翰 ,  张庆裕

IPC: H01L21/027 ,  G03F7/004 ,  G03F7/027

Abstract: 制造半导体装置的方法包含在基板上形成包含光阻剂组成物的光阻层。光阻剂组成物包含光活性化合物、聚合物与交联剂。聚合物具有结构：#imgabs0#交联剂包含从以下选出的结构：‑B1‑OH、‑B2‑ORa、‑B3‑NH2、‑B4‑NR2与#imgabs1#A1、A2、A3、B1、B2、B3、B4与D各自为C1至C30的芳基、烷基、环烷基、羟烷基、烷氧基、烷氧基烷基、乙酰基、乙酰基烷基、羧基、烷基羧基、环烷基羧基、碳氢环、杂环基、链、环、立体结构；R1、R2与Ra为C4至C15的链、环、立体结构的的烷基、环烷基、羟烷基、烷氧基或烷氧基烷基，聚合物中的x、y与z比例为0≤x/(x+y+z)≤1、0≤y/(x+y+z)≤1且0≤z/(x+y+z)≤1，且在同一个聚合物中，x、y与z皆不为0。

公开(公告)号：CN111474823B

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202010397361.X

申请日：2016-01-08

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 郑雅玲 ,  张庆裕 ,  王建惟 ,  陈彦豪

IPC: G03F7/00 ,  G03F7/004

Abstract: 本发明的更广泛形式之一涉及制造半导体器件的法。方法包括将光刻胶层曝光于辐射源以及将硬化剂应用于光刻胶层。因此，在应用硬化剂之后，光刻胶层的第一部分具有比光刻胶层的第二部分更高的玻璃化转变温度、更高的机械强度。本发明实施例涉及光刻工艺和材料。

公开(公告)号：CN110648904B

公开(公告)日：2023-03-14

申请号：CN201910568264.X

申请日：2019-06-27

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王建惟 ,  张庆裕 ,  张尚文 ,  陈彦豪

IPC: H01L21/027

Abstract: 本公开涉及用于制造半导体器件的图案形成方法和材料。在图案形成方法中，在下层上方形成底层。在底层上方形成中间层。在中间层上方形成抗蚀剂图案。通过使用抗蚀剂图案作为蚀刻掩模对中间层进行图案化。通过使用经图案化的中间层对底层进行图案化。对下层进行图案化。中间层包含50wt％或更多的硅和有机材料。在前述和后述实施例中的一个或多个中，在形成中间层之后进一步实施退火操作。

公开(公告)号：CN114722764A

公开(公告)日：2022-07-08

申请号：CN202110594545.X

申请日：2021-05-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 赖韦安 ,  林威呈 ,  陈彦豪 ,  曾健庭 ,  袁立本 ,  庄惠中 ,  黄禹轩

IPC: G06F30/392 ,  G06F30/394 ,  G06F30/398 ,  H01L27/092

Abstract: 本揭露的一态样关于一种集成电路制造系统及其操作方法及集成电路结构，方法包括将第一纳米片结构放置在IC布局图内。第一纳米片结构具有第一宽度。方法包括邻接第二纳米片结构与第一纳米片结构。第二纳米片结构具有第二宽度。第二宽度小于第一宽度。方法包括产生IC布局图并将IC布局图储存在储存元件中。