公开(公告)号：CN109860038B

公开(公告)日：2021-05-25

申请号：CN201810689001.X

申请日：2018-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李胜男 ,  蔡腾群 ,  徐崇威 ,  吴振豪 ,  蔡宗霖

IPC: H01L21/306 ,  C09G1/02

Abstract: 一种半导体装置的制造方法包括提供一基材，此基材上形成有氧化硅层和覆盖氧化硅层的金属氧化物层。此方法还包括制备CMP浆料。所述CMP浆料包括带有负电荷的多个研磨粒、包含(XaYb)‑基团的路易士碱和缓冲溶液。X代表IIIA族元素或前期过渡金属，Y代表氮族元素、氧族元素或卤素，a>0且b>0。所述CMP浆料具有实质为2至7的pH值。接着，对金属氧化物层的表面进行平坦化操作，直至氧化硅层的表面暴露出。此平坦化操作具有金属氧化物层相对于氧化硅层的高选择性。

公开(公告)号：CN109585278A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811142966.3

申请日：2018-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐崇威 ,  苏煜中 ,  吴振豪 ,  李胜男 ,  蔡宗霖 ,  蔡腾群

IPC: H01L21/027

Abstract: 一种用以形成多层式光罩的方法包含在目标结构上形成碳涂(spin-on carbon；SOC)层；化学处理该碳涂层的上部分；在碳涂层上形成牺牲层；在牺牲层上进行化学机械研磨程序，直到抵达碳涂层，其中该碳涂层经化学处理的上部分对该化学机械研磨程序的阻抗高于牺牲层对该化学机械研磨程序的阻抗；在化学机械研磨程序后，于碳涂层上形成图案化光阻层；以及使用图案化光阻层作为光罩，蚀刻目标结构。

公开(公告)号：CN110648994B

公开(公告)日：2021-05-07

申请号：CN201910560047.6

申请日：2019-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗霖 ,  李胜男 ,  卡迪尔姆鲁诺阿比基斯 ,  徐崇威 ,  吴振豪 ,  蔡腾群

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本文公开了一种互连结构，包括：通孔，设置在介电层中，其中，所述通孔连接第一互连部件和第二互连部件，并且所述通孔包括：通孔阻挡层，与所述介电层物理接触；以及所述通孔包括通孔插塞，设置在所述通孔阻挡层和所述第一互连部件之间，从而使得所述通孔插塞与所述第一互连部件和所述介电层物理接触。本发明实施例还公开了多层互连部件的互连结构、以及互连结构制造方法。

公开(公告)号：CN110648994A

公开(公告)日：2020-01-03

申请号：CN201910560047.6

申请日：2019-06-26

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 蔡宗霖 ,  李胜男 ,  卡迪尔 ,  姆鲁诺 ,  阿比基斯 ,  徐崇威 ,  吴振豪 ,  蔡腾群

IPC: H01L23/522 ,  H01L23/528 ,  H01L21/768

Abstract: 本文公开了一种互连结构，包括：通孔，设置在介电层中，其中，所述通孔连接第一互连部件和第二互连部件，并且所述通孔包括：通孔阻挡层，与所述介电层物理接触；以及所述通孔包括通孔插塞，设置在所述通孔阻挡层和所述第一互连部件之间，从而使得所述通孔插塞与所述第一互连部件和所述介电层物理接触。本发明实施例还公开了多层互连部件的互连结构、以及互连结构制造方法。

公开(公告)号：CN109860038A

公开(公告)日：2019-06-07

申请号：CN201810689001.X

申请日：2018-06-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 李胜男 ,  蔡腾群 ,  徐崇威 ,  吴振豪 ,  蔡宗霖

IPC: H01L21/306 ,  C09G1/02

Abstract: 一种半导体装置的制造方法包括提供一基材，此基材上形成有氧化硅层和覆盖氧化硅层的金属氧化物层。此方法还包括制备CMP浆料。所述CMP浆料包括带有负电荷的多个研磨粒、包含(XaYb)-基团的路易士碱和缓冲溶液。X代表IIIA族元素或前期过渡金属，Y代表氮族元素、氧族元素或卤素，a>0且b>0。所述CMP浆料具有实质为2至7的pH值。接着，对金属氧化物层的表面进行平坦化操作，直至氧化硅层的表面暴露出。此平坦化操作具有金属氧化物层相对于氧化硅层的高选择性。

公开(公告)号：CN109585362A

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201811135370.0

申请日：2018-09-28

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 吴振豪 ,  李胜男 ,  徐崇威 ,  蔡宗霖 ,  蔡腾群

IPC: H01L21/768

Abstract: 一种半导体元件的制造方法包含：在基材上方形成栅电极；在栅电极上方形成硬遮罩，其中硬遮罩包含金属氧化物；在硬遮罩上方形成层间介电层；在层间介电层中形成接触孔，其中接触孔暴露源极/漏极；利用导电材料填充接触孔；以及将化学机研磨光制程应用至层间介电层及导电材料，其中化学机研磨光制程在硬遮罩处终止，化学机研磨光制程使用含有硼酸或其衍生物的研磨液，化学机研磨光制程对于层间介电层具有第一移除速率以及对于硬遮罩具有第二移除速率，并且第一移除速率比第二移除速率为第一比率。第一比率大于约5。

公开(公告)号：CN115559899A

公开(公告)日：2023-01-03

申请号：CN202210206929.4

申请日：2022-03-04

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 江芳彬 ,  蔡宗霖 ,  黄朝彦 ,  陈怡权

IPC: F04C11/00 ,  F04C14/00 ,  F04C15/00 ,  F04C15/06 ,  F17D1/00 ,  F17D1/02 ,  F17D3/01

Abstract: 本发明实施例涉及化学物质供给系统的互锁设备。本公开提供一种化学物质供给系统，其包含：腔室；管道，其延伸到所述腔室中；互锁设备，其包含用于紧固所述管道的固定件及用于确定所述管道是否由所述固定件紧固的构件。