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公开(公告)号：CN112420612B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202010848997.1
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及FINFET接触及其形成方法。一种器件，包括：半导体鳍，从衬底突出；位于半导体鳍上方的第一栅极堆叠和位于半导体鳍上方的第二栅极堆叠；位于邻近第一栅极堆叠的半导体鳍中的第一源极/漏极区域和位于邻近第二栅极堆叠的半导体鳍中的第二源极/漏极区域；位于第一栅极堆叠上的第一层第一电介质材料和位于第二栅极堆叠上的第二层第一电介质材料；第一源极/漏极接触，位于第一源极/漏极区域上并邻近第一栅极堆叠；第一层第二电介质材料，位于第一源极/漏极接触的顶表面上；以及第二源极/漏极接触，位于第二源极/漏极区域上并邻近第二栅极堆叠，其中，第二源极/漏极接触的顶表面不含第二电介质材料。
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公开(公告)号：CN118664497A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311408583.7
申请日：2023-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/10 , B24B53/017 , B24B57/02 , H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 一种压电垫监测装置以及半导体工艺工具的操作方法，平坦化工具配置以监测和分析抛光垫在抛光垫的使用寿命期间的状态。压电垫监测装置可以安装在平坦化工具的抛光头上设置半导体晶圆的位置。压电垫监测装置可以被压抵在抛光垫上。当压电垫监测装置压抵在抛光垫上时，压电垫监测装置可以根据抛光垫上与压电垫监测装置接触的垫接触的数量产生信号。信号可以提供给平坦化工具的处理器，以便于处理器根据信号产生抛光垫上的垫接触的图。处理器可以使用垫接触图来确定抛光垫的属性，例如粗糙度和/或均匀性，以及其他例子。
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公开(公告)号：CN102683237A
公开(公告)日：2012-09-19
申请号：CN201110307168.3
申请日：2011-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/321
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/013 , B24B37/205 , B24B49/12 , G05B2219/49085 , H01J37/32963 , H01L21/3212 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种焊盘寿命对化学机械抛光影响的自适应端点方法。该方法包括：为化学机械抛光(CMP)系统中的抛光焊盘限定焊盘寿命的多个时间区域；根据焊盘寿命的多个时间区域将阶梯系数分配给抛光焊盘；根据焊盘寿命影响分别限定多个时间区域的多个端点窗口；将CMP工艺施加给位于抛光焊盘上的晶圆；基于阶梯系数确定晶圆的抛光信号的时间区域；根据时间区域使端点窗口之一与抛光信号相关联；以及在由端点窗口所确定的端点处结束CMP工艺。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118197992A
公开(公告)日：2024-06-14
申请号：CN202410189646.2
申请日：2024-02-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/538 , C25D3/38 , C25D5/02 , C25D7/12
Abstract: 一种形成半导体结构的方法，包括：在衬底上形成晶种层，在晶种层上形成光刻胶层，光刻胶层具有比第二开口宽的第一开口，以第一镀电流执行电镀工艺，以在第一开口中生长第一金属线的底部并且在第二开口中生长第二金属线的底部，以大于第一镀电流的第二镀电流继续电镀工艺，以生长第一金属线的顶部和第二金属线的顶部，去除光刻胶层以暴露晶种层的部分，以及去除晶种层的暴露的部分。本公开的实施例还提供了电镀方法和再分布结构。
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公开(公告)号：CN112420612A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010848997.1
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及FINFET接触及其形成方法。一种器件，包括：半导体鳍，从衬底突出；位于半导体鳍上方的第一栅极堆叠和位于半导体鳍上方的第二栅极堆叠；位于邻近第一栅极堆叠的半导体鳍中的第一源极/漏极区域和位于邻近第二栅极堆叠的半导体鳍中的第二源极/漏极区域；位于第一栅极堆叠上的第一层第一电介质材料和位于第二栅极堆叠上的第二层第一电介质材料；第一源极/漏极接触，位于第一源极/漏极区域上并邻近第一栅极堆叠；第一层第二电介质材料，位于第一源极/漏极接触的顶表面上；以及第二源极/漏极接触，位于第二源极/漏极区域上并邻近第二栅极堆叠，其中，第二源极/漏极接触的顶表面不含第二电介质材料。
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公开(公告)号：CN118617299A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202311284239.1
申请日：2023-10-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/005 , C09K3/14
Abstract: 本公开涉及一种研磨设备和研磨方法，揭示了一种化学机械研磨设备以及制造和使用化学机械研磨设备的方法。在一实施方式中，提供了一种研磨设备包括涂布多肽的研磨垫；及相邻研磨垫附近的酵素喷射装置。
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公开(公告)号：CN112405335A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010851423.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种化学机械平坦化工具，其包括平台以及附接至前述平台的研磨垫。研磨垫远离平台的第一表面包括第一研磨区和第二研磨区，其中前述第一研磨区是位在前述研磨垫的第一表面中心处的圆形区域，而前述第二研磨区是在前述第一研磨区周围的环形区域。前述第一研磨区和第二研磨区具有不同的表面性质。
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公开(公告)号：CN102683237B
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201110307168.3
申请日：2011-10-11
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/66 , H01L21/321
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/013 , B24B37/205 , B24B49/12 , G05B2219/49085 , H01J37/32963 , H01L21/3212 , H01L22/26 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
Abstract: 本发明提供了一种焊盘寿命对化学机械抛光影响的自适应端点方法。该方法包括：为化学机械抛光(CMP)系统中的抛光焊盘限定焊盘寿命的多个时间区域；根据焊盘寿命的多个时间区域将阶梯系数分配给抛光焊盘；根据焊盘寿命影响分别限定多个时间区域的多个端点窗口；将CMP工艺施加给位于抛光焊盘上的晶圆；基于阶梯系数确定晶圆的抛光信号的时间区域；根据时间区域使端点窗口之一与抛光信号相关联；以及在由端点窗口所确定的端点处结束CMP工艺。
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