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公开(公告)号：CN109822400B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811273778.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。
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公开(公告)号：CN112420612B
公开(公告)日：2025-05-02
申请号：CN202010848997.1
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开涉及FINFET接触及其形成方法。一种器件，包括：半导体鳍，从衬底突出；位于半导体鳍上方的第一栅极堆叠和位于半导体鳍上方的第二栅极堆叠；位于邻近第一栅极堆叠的半导体鳍中的第一源极/漏极区域和位于邻近第二栅极堆叠的半导体鳍中的第二源极/漏极区域；位于第一栅极堆叠上的第一层第一电介质材料和位于第二栅极堆叠上的第二层第一电介质材料；第一源极/漏极接触，位于第一源极/漏极区域上并邻近第一栅极堆叠；第一层第二电介质材料，位于第一源极/漏极接触的顶表面上；以及第二源极/漏极接触，位于第二源极/漏极区域上并邻近第二栅极堆叠，其中，第二源极/漏极接触的顶表面不含第二电介质材料。
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公开(公告)号：CN110842759A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910203695.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 此处说明化学机械研磨的研磨液的形成方法，以及在含有金属结构的基板上进行化学机械研磨工艺的方法。化学机械研磨的研磨液的形成方法，可采用螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，此比例取决于基板的金属材料电位。可依据化学机械研磨的研磨液的螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，在基板上进行化学机械研磨工艺。
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公开(公告)号：CN110491790B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810438880.9
申请日：2018-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , B24B37/04
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一半导体基板之上；形成一开口于材料层中；沉积一金属层于开口中并延伸至材料层上；以及化学机械研磨一部分的金属层，其中化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。
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公开(公告)号：CN112405335A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010851423.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开实施例提供一种化学机械平坦化工具，其包括平台以及附接至前述平台的研磨垫。研磨垫远离平台的第一表面包括第一研磨区和第二研磨区，其中前述第一研磨区是位在前述研磨垫的第一表面中心处的圆形区域，而前述第二研磨区是在前述第一研磨区周围的环形区域。前述第一研磨区和第二研磨区具有不同的表面性质。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110491790A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810438880.9
申请日：2018-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , B24B37/04
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一半导体基板之上；形成一开口于材料层中；沉积一金属层于开口中并延伸至材料层上；以及化学机械研磨一部分的金属层，其中化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。
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公开(公告)号：CN112420612A
公开(公告)日：2021-02-26
申请号：CN202010848997.1
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/8234 , H01L27/088
Abstract: 本公开涉及FINFET接触及其形成方法。一种器件，包括：半导体鳍，从衬底突出；位于半导体鳍上方的第一栅极堆叠和位于半导体鳍上方的第二栅极堆叠；位于邻近第一栅极堆叠的半导体鳍中的第一源极/漏极区域和位于邻近第二栅极堆叠的半导体鳍中的第二源极/漏极区域；位于第一栅极堆叠上的第一层第一电介质材料和位于第二栅极堆叠上的第二层第一电介质材料；第一源极/漏极接触，位于第一源极/漏极区域上并邻近第一栅极堆叠；第一层第二电介质材料，位于第一源极/漏极接触的顶表面上；以及第二源极/漏极接触，位于第二源极/漏极区域上并邻近第二栅极堆叠，其中，第二源极/漏极接触的顶表面不含第二电介质材料。
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公开(公告)号：CN110783258A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910589961.3
申请日：2019-07-02
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/528
Abstract: 提供半导体装置结构的形成方法。方法包含在基底上形成第一金属层，在第一金属层上形成介电层。方法包含在介电层内形成沟槽，以及实施表面处理工艺以在沟槽的侧壁表面上形成疏水层。疏水层是形成在介电层的侧壁表面上。方法还包含在沟槽内和疏水层上沉积金属材料以形成导孔结构。
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公开(公告)号：CN118664497A
公开(公告)日：2024-09-20
申请号：CN202311408583.7
申请日：2023-10-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/005 , B24B37/34 , B24B49/10 , B24B53/017 , B24B57/02 , H01L21/306 , H01L21/67
Abstract: 一种压电垫监测装置以及半导体工艺工具的操作方法，平坦化工具配置以监测和分析抛光垫在抛光垫的使用寿命期间的状态。压电垫监测装置可以安装在平坦化工具的抛光头上设置半导体晶圆的位置。压电垫监测装置可以被压抵在抛光垫上。当压电垫监测装置压抵在抛光垫上时，压电垫监测装置可以根据抛光垫上与压电垫监测装置接触的垫接触的数量产生信号。信号可以提供给平坦化工具的处理器，以便于处理器根据信号产生抛光垫上的垫接触的图。处理器可以使用垫接触图来确定抛光垫的属性，例如粗糙度和/或均匀性，以及其他例子。
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公开(公告)号：CN110842759B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201910203695.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 此处说明化学机械研磨的研磨液的形成方法，以及在含有金属结构的基板上进行化学机械研磨工艺的方法。化学机械研磨的研磨液的形成方法，可采用螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，此比例取决于基板的金属材料电位。可依据化学机械研磨的研磨液的螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，在基板上进行化学机械研磨工艺。
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