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公开(公告)号：CN110491790B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810438880.9
申请日：2018-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , B24B37/04
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一半导体基板之上；形成一开口于材料层中；沉积一金属层于开口中并延伸至材料层上；以及化学机械研磨一部分的金属层，其中化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。
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公开(公告)号：CN110491790A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810438880.9
申请日：2018-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , B24B37/04
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一半导体基板之上；形成一开口于材料层中；沉积一金属层于开口中并延伸至材料层上；以及化学机械研磨一部分的金属层，其中化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。
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公开(公告)号：CN112518572A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN202010977945.4
申请日：2020-09-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , H01L21/67 , H01L21/768
Abstract: 一种化学机械研磨的方法包括将研磨头放置在平台上，此研磨头包括第一磁铁组，以及控制第二磁铁组以在平台上旋转研磨头，其中控制第二磁铁组包括反转第二磁铁组中的至少一个第二磁铁的极性，以在第一磁铁组的至少一个第一磁铁上产生磁力，其中第二磁铁组在研磨头的外部。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110153873A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810151144.5
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种研磨设备、检测装置以及半导体基板的研磨方法，研磨设备包含一旋转平台、一研磨垫、一研磨浆提供器以及至少一检测装置。研磨垫是固定地设置于旋转平台上，研磨垫是被配置以被旋转平台旋转。研磨浆提供器是被配置以提供一研磨浆于研磨垫上。至少一检测装置是设置于研磨垫中，检测装置是被配置以检测研磨浆的成分与相对应的浓度。
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公开(公告)号：CN112238395A
公开(公告)日：2021-01-19
申请号：CN202010542306.5
申请日：2020-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B37/04 , B24B37/32 , H01L21/768
Abstract: 一种施行化学机械平坦化工具，包括通过附接到载体的保持环来固持晶片、将晶片压靠在研磨垫的第一表面、以第一速度旋转研磨垫，分配浆料到研磨垫的第一表面上以及在研磨垫处产生振动。
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公开(公告)号：CN109822400A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201811273778.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。
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公开(公告)号：CN110153873B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810151144.5
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种研磨设备、检测装置以及半导体基板的研磨方法，研磨设备包含一旋转平台、一研磨垫、一研磨浆提供器以及至少一检测装置。研磨垫是固定地设置于旋转平台上，研磨垫是被配置以被旋转平台旋转。研磨浆提供器是被配置以提供一研磨浆于研磨垫上。至少一检测装置是设置于研磨垫中，检测装置是被配置以检测研磨浆的成分与相对应的浓度。
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公开(公告)号：CN109822400B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811273778.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。
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