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公开(公告)号：CN110842759A
公开(公告)日：2020-02-28
申请号：CN201910203695.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 此处说明化学机械研磨的研磨液的形成方法，以及在含有金属结构的基板上进行化学机械研磨工艺的方法。化学机械研磨的研磨液的形成方法，可采用螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，此比例取决于基板的金属材料电位。可依据化学机械研磨的研磨液的螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，在基板上进行化学机械研磨工艺。
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公开(公告)号：CN109822400B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811273778.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。
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公开(公告)号：CN110491790B
公开(公告)日：2021-11-09
申请号：CN201810438880.9
申请日：2018-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , B24B37/04
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一半导体基板之上；形成一开口于材料层中；沉积一金属层于开口中并延伸至材料层上；以及化学机械研磨一部分的金属层，其中化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。
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公开(公告)号：CN110491790A
公开(公告)日：2019-11-22
申请号：CN201810438880.9
申请日：2018-05-09
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L21/321 , B24B37/04
Abstract: 在一些实施例中，提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成一材料层于一半导体基板之上；形成一开口于材料层中；沉积一金属层于开口中并延伸至材料层上；以及化学机械研磨一部分的金属层，其中化学机械研磨使用的一研磨液包括：具有孤对电子的一有机碱；以及一氧化剂。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN112476228B
公开(公告)日：2023-02-14
申请号：CN202010848750.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B53/013
Abstract: 本公开的一些实施例提供一种操作化学机械平坦化用具的方法。方法包括使用一粘着剂，将一研磨垫附接至一化学机械平坦化用具的一平台的一第一表面，从平台移除研磨垫，其中在移除研磨垫之后，粘着剂的多个残余部分残留在平台的第一表面上，使用一荧光材料来识别平台的第一表面上的粘着剂的残余部分的多个位置，并且从平台的第一表面移除粘着剂的残余部分。
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公开(公告)号：CN110774059A
公开(公告)日：2020-02-11
申请号：CN201910695391.6
申请日：2019-07-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B1/00 , B24B37/10 , B24B57/02 , H01L21/304
Abstract: 本公开提供一种化学机械研磨系统，包括一头部、一研磨垫以及一磁系统。化学机械研磨工艺中所使用的浆料含有可磁化的磨料。通过磁系统施加以及控制一磁场，允许精准控制浆料中的可磁化的磨料可如何被拉朝向晶片或被拉朝向研磨垫。
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公开(公告)号：CN110842759B
公开(公告)日：2022-08-19
申请号：CN201910203695.6
申请日：2019-03-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 此处说明化学机械研磨的研磨液的形成方法，以及在含有金属结构的基板上进行化学机械研磨工艺的方法。化学机械研磨的研磨液的形成方法，可采用螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，此比例取决于基板的金属材料电位。可依据化学机械研磨的研磨液的螯合剂助剂与抑制剂助剂的平衡浓度比例，在基板上进行化学机械研磨工艺。
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公开(公告)号：CN112476228A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202010848750.X
申请日：2020-08-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/04 , B24B37/10 , B24B37/005 , B24B53/013
Abstract: 本公开的一些实施例提供一种操作化学机械平坦化用具的方法。方法包括使用一粘着剂，将一研磨垫附接至一化学机械平坦化用具的一平台的一第一表面，从平台移除研磨垫，其中在移除研磨垫之后，粘着剂的多个残余部分残留在平台的第一表面上，使用一荧光材料来识别平台的第一表面上的粘着剂的残余部分的多个位置，并且从平台的第一表面移除粘着剂的残余部分。
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公开(公告)号：CN109822400A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201811273778.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。
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