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公开(公告)号：CN110153873B
公开(公告)日：2021-06-11
申请号：CN201810151144.5
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种研磨设备、检测装置以及半导体基板的研磨方法，研磨设备包含一旋转平台、一研磨垫、一研磨浆提供器以及至少一检测装置。研磨垫是固定地设置于旋转平台上，研磨垫是被配置以被旋转平台旋转。研磨浆提供器是被配置以提供一研磨浆于研磨垫上。至少一检测装置是设置于研磨垫中，检测装置是被配置以检测研磨浆的成分与相对应的浓度。
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公开(公告)号：CN109822400B
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN201811273778.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。
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公开(公告)号：CN106847813A
公开(公告)日：2017-06-13
申请号：CN201610809101.2
申请日：2016-09-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/092 , H01L21/8238 , H01L29/78
CPC classification number: H01L29/66795 , H01L21/76224 , H01L21/823807 , H01L21/823821 , H01L21/823878 , H01L21/845 , H01L27/0924 , H01L27/1211 , H01L29/1054 , H01L29/785
Abstract: 半导体器件包括用于鳍式场效应晶体管(FET)的鳍结构。该鳍结构包括突出于衬底的基层、设置在基层上方的中间层和设置在中间层上方的上层。该鳍结构还包括第一保护层和由与第一保护层的不同的材料制成的第二保护层。该中间层包括设置在基层上方的第一半导体层、覆盖第一半导体层的至少侧壁的第一保护层和覆盖第一保护层的至少侧壁的第二保护层。本发明的实施例还涉及半导体器件的制造方法。
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公开(公告)号：CN106206730A
公开(公告)日：2016-12-07
申请号：CN201510298932.3
申请日：2015-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括用于第一鳍式场效应晶体管(FET)的第一鳍结构。第一鳍结构包括从衬底突出的第一基底层、设置在第一基底层上方的第一中间层以及设置在第一中间层上方的第一沟道层。第一鳍结构还包括由防止下面的层氧化的材料制成的第一保护层。第一沟道层由SiGe制成，第一中间层包括设置在第一基底层上方的第一半导体(例如，SiGe)层和设置在第一半导体层上方的第二半导体(例如，Si)层。第一保护层覆盖第一基底层的侧壁、第一半导体层的侧壁和第二半导体层的侧壁。本发明还涉及包括FinFET的半导体器件及其制造方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106206730B
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201510298932.3
申请日：2015-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L27/088 , H01L21/336
Abstract: 一种半导体器件包括用于第一鳍式场效应晶体管(FET)的第一鳍结构。第一鳍结构包括从衬底突出的第一基底层、设置在第一基底层上方的第一中间层以及设置在第一中间层上方的第一沟道层。第一鳍结构还包括由防止下面的层氧化的材料制成的第一保护层。第一沟道层由SiGe制成，第一中间层包括设置在第一基底层上方的第一半导体(例如，SiGe)层和设置在第一半导体层上方的第二半导体(例如，Si)层。第一保护层覆盖第一基底层的侧壁、第一半导体层的侧壁和第二半导体层的侧壁。本发明还涉及包括FinFET的半导体器件及其制造方法。
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公开(公告)号：CN107116460A
公开(公告)日：2017-09-01
申请号：CN201710073489.9
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B53/017 , B24B37/04 , B24B37/30 , H01L21/67
Abstract: 根据一个实施例，本发明的实施例提供了一种半导体制造装置。装置包括可操作为固定并且旋转晶圆的晶圆台；配置为抛光晶圆的背面的抛光头；配置为将空气压力施加至晶圆的正面的空气支承模块；以及配置为密封晶圆的边缘的边缘密封单元。本发明的实施例还提供了一种半导体制造系统以及一种半导体制造方法。
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公开(公告)号：CN110153873A
公开(公告)日：2019-08-23
申请号：CN201810151144.5
申请日：2018-02-14
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种研磨设备、检测装置以及半导体基板的研磨方法，研磨设备包含一旋转平台、一研磨垫、一研磨浆提供器以及至少一检测装置。研磨垫是固定地设置于旋转平台上，研磨垫是被配置以被旋转平台旋转。研磨浆提供器是被配置以提供一研磨浆于研磨垫上。至少一检测装置是设置于研磨垫中，检测装置是被配置以检测研磨浆的成分与相对应的浓度。
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公开(公告)号：CN107116460B
公开(公告)日：2020-10-16
申请号：CN201710073489.9
申请日：2017-02-10
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: B24B37/10 , B24B53/017 , B24B37/04 , B24B37/30 , H01L21/67
Abstract: 根据一个实施例，本发明的实施例提供了一种半导体制造装置。装置包括可操作为固定并且旋转晶圆的晶圆台；配置为抛光晶圆的背面的抛光头；配置为将空气压力施加至晶圆的正面的空气支承模块；以及配置为密封晶圆的边缘的边缘密封单元。本发明的实施例还提供了一种半导体制造系统以及一种半导体制造方法。
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公开(公告)号：CN109822400A
公开(公告)日：2019-05-31
申请号：CN201811273778.4
申请日：2018-10-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及一种平坦化方法及一种化学机械研磨CMP方法。所述平坦化方法包含：提供衬底，所述衬底包含具有不同程度的疏水性或亲水性的第一区域及第二区域；及对所述第一区域执行表面处理以使其疏水性或亲水性程度接近所述第二区域的疏水性或亲水性程度。所述CMP方法包含：提供包含第一区域及第二区域的衬底；在所述衬底上提供研磨浆，其中所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第一接触角，且所述研磨浆及所述第一区域的表面具有第二接触角；使所述第一区域的表面改质以使所述第一接触角与所述第二接触角之间的接触角差等于或小于30度。
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