公开(公告)号：CN107116460A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710073489.9

申请日：2017-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志宏 ,  许加融 ,  林奕安

IPC: B24B37/10 ,  B24B53/017 ,  B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  H01L21/67

Abstract: 根据一个实施例，本发明的实施例提供了一种半导体制造装置。装置包括可操作为固定并且旋转晶圆的晶圆台；配置为抛光晶圆的背面的抛光头；配置为将空气压力施加至晶圆的正面的空气支承模块；以及配置为密封晶圆的边缘的边缘密封单元。本发明的实施例还提供了一种半导体制造系统以及一种半导体制造方法。

公开(公告)号：CN108122782B

公开(公告)日：2021-08-20

申请号：CN201710778827.9

申请日：2017-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林奕安 ,  郭铂漳 ,  张庆全 ,  施佑龙

IPC: H01L21/48

Abstract: 提供一种半导体结构的制造方法。方法包含沉积导电材料在基材上，以及移除导电材料的一部分，以形成具有桶状外形的导电结构。导电结构的主体部分的宽度是大于导电结构的上部分的宽度及底部部分的宽度。

公开(公告)号：CN108231535A

公开(公告)日：2018-06-29

申请号：CN201710646918.7

申请日：2017-08-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 施佑龙 ,  李肇耿 ,  郭铂漳 ,  张庆全 ,  林奕安

IPC: H01L21/02 ,  C23C16/44

Abstract: 一种具有钝化层的半导体装置的制造方法，包括使用第一沉积制程，沉积介电层于导电垫上方。上述方法还包括使用高密度等离子化学气相沉积，沉积第一钝化层直接位于上述介电层的上方。上述第一沉积制程与高密度等离子化学气相沉积不同。所述介电层的厚度足以避免在沉积第一钝化层所产生的电荷到达所述导电垫。

公开(公告)号：CN103579340A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201210468202.X

申请日：2012-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  万幸仁 ,  林奕安 ,  张骏伟 ,  孙诗平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管的栅电极。场效应晶体管的示例性结构包括衬底；栅电极，位于具有第一顶面和侧壁的衬底的上方；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在栅电极一侧的衬底中；间隔件，位于分布在栅电极和S/D区之间的侧壁上；以及接触蚀刻停止层(CESL)，紧邻间隔件且进一步包括在S/D区上方延伸的部分，其中，该部分的第二顶面与第一顶面基本共面。

公开(公告)号：CN107116460B

公开(公告)日：2020-10-16

申请号：CN201710073489.9

申请日：2017-02-10

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈志宏 ,  许加融 ,  林奕安

IPC: B24B37/10 ,  B24B53/017 ,  B24B37/04 ,  B24B37/30 ,  H01L21/67

Abstract: 根据一个实施例，本发明的实施例提供了一种半导体制造装置。装置包括可操作为固定并且旋转晶圆的晶圆台；配置为抛光晶圆的背面的抛光头；配置为将空气压力施加至晶圆的正面的空气支承模块；以及配置为密封晶圆的边缘的边缘密封单元。本发明的实施例还提供了一种半导体制造系统以及一种半导体制造方法。

公开(公告)号：CN110660676A

公开(公告)日：2020-01-07

申请号：CN201910537982.0

申请日：2019-06-20

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 王韻婷 ,  林奕安 ,  张庆全 ,  郭铂漳

IPC: H01L21/48 ,  H01L23/498

Abstract: 提供一种半导体晶粒的制造方法。形成下钝化层于半导体基板之上的介电层上。然后，形成第一开口于下钝化层内以露出介电层的一部分。接着，形成金属垫于第一开口内。之后，形成第一氧化物系钝化层于金属垫之上。然后，形成第二氧化物系钝化层于第一氧化物系钝化层之上。第二氧化物系钝化层具有硬度小于第一氧化物系钝化层的硬度。

公开(公告)号：CN108122782A

公开(公告)日：2018-06-05

申请号：CN201710778827.9

申请日：2017-09-01

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林奕安 ,  郭铂漳 ,  张庆全 ,  施佑龙

IPC: H01L21/48

Abstract: 提供一种半导体结构的制造方法。方法包含沉积导电材料在基材上，以及移除导电材料的一部分，以形成具有桶状外形的导电结构。导电结构的主体部分的宽度是大于导电结构的上部分的宽度及底部部分的宽度。

公开(公告)号：CN103579340B

公开(公告)日：2016-06-08

申请号：CN201210468202.X

申请日：2012-11-19

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 陈能国 ,  万幸仁 ,  林奕安 ,  张骏伟 ,  孙诗平

IPC: H01L29/78 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336 ,  H01L21/28

CPC classification number: H01L29/66545 ,  H01L21/28123 ,  H01L21/31053 ,  H01L21/3212 ,  H01L21/32134 ,  H01L21/32135 ,  H01L21/823807 ,  H01L21/823814 ,  H01L21/823821 ,  H01L29/165 ,  H01L29/6653 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/785

Abstract: 本发明涉及一种场效应晶体管的栅电极。场效应晶体管的示例性结构包括衬底；栅电极，位于具有第一顶面和侧壁的衬底的上方；源极/漏极(S/D)区，至少部分设置在栅电极一侧的衬底中；间隔件，位于分布在栅电极和S/D区之间的侧壁上；以及接触蚀刻停止层(CESL)，紧邻间隔件且进一步包括在S/D区上方延伸的部分，其中，该部分的第二顶面与第一顶面基本共面。